elm34418aa

单 N 沟道 MOSFET
ELM34418AA-N
■概要
■特点
ELM34418AA-N 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=30V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=22A
·Rds(on) < 4.0mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 5.0mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
漏极电流(定常)
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
30
V
±20
22
Id
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
崩溃电流
V
A
17
Idm
Las
100
49
A
A
崩溃能量
L=0.1mH
Eas
119
mJ
容许功耗
Tc=25℃
Tc=70℃
Pd
2.7
1.7
W
Tj, Tstg
- 55 ~ 150
℃
结合部温度及保存温度范围
3
■热特性
项目
最大结合部 - 封装热阻
记号
稳定状态
稳定状态
最大结合部 - 环境热阻
典型值
最大值
单位
25
45
℃/W
℃/W
Rθjc
Rθja
■引脚配置图
备注
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
1
引脚名称
SOURCE
2
3
4
SOURCE
SOURCE
GATE
5
6
DRAIN
DRAIN
7
8
DRAIN
DRAIN
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D
G
S
单 N 沟道 MOSFET
ELM34418AA-N
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
30
V
Vds=24V,Vgs=0V
1
Vds=20V,Vgs=0V, Ta=55℃
10
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Vgs=10V, Id=20A
Rds(on)
Vgs=4.5V, Id=16A
Gfs Vds=5V, Id=20A
Vsd If=20A, Vgs=0V
1.0
μA
±100
nA
1.5
3.2
3.0
4.0
V
3.7
100
5.0
Is
mΩ
1
1
S
V
1
1
22
A
输入电容
Ciss
2700
pF
输出电容
反馈电容
栅极电阻
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Crss
Rg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
392
302
0.9
pF
pF
Ω
60
31
nC
nC
2
2
9
14
nC
nC
2
2
25
12
56
ns
ns
ns
2
2
2
10
27
15
ns
ns
nC
2
开关特性
总栅极电荷 (Vgs=10V)
总栅极电荷 (Vgs=4.5V)
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
Qg
Qg
Qgs
Qgd
Vds=15V, Id=20A
td(on)
tr
Vgs=20V, Vds=15V
td(off) Id=20A, Rgen=6Ω
tf
trr
Qrr
If=20A, dlf/dt=100A/μs
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 占空比≤1%。
4-2
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单 N 沟道 MOSFET
PV510BA
ELM34418AA-N
N-Channel
Enhancement Mode
SOP-8
Field Effect Transistor
Halogen-Free
&
Lead-Free
■标准特性和热特性曲线
NIKO-SEM
Output Characteristics
Transfer Characteristics
30
VGS=10V
VGS=7V
VGS=5V
VGS=4.5V
VGS=3.5V
24
ID, Drain-To-Source Current(A)
ID, Drain-To-Source Current(A)
30
18
VGS=3V
12
VGS=2.5V
6
24
18
12
25�
6
125�
0
0
0
1
2
3
4
0
1
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
4
3500
3000
C , Capacitance(pF)
1.6
1.4
1.2
1.0
VGS=10V
ID=20A
0.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
CISS
2500
2000
1500
1000
500
0
150
COSS
CRSS
0
5
TJ , Junction Temperature(C)
10
15
20
25
30
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
Gate charge Characteristics
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
10
VDS=15V
ID=20A
8
IS , Source Current(A)
VGS , Gate-To-Source Voltage(V)
3
Capacitance Characteristic
On-Resistance VS Temperature
Normalized Drain to Source
ON-Resistance
2
VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
1.8
0.6
-20�
6
4
10
150�
1
25�
2
0
0
10
20
30
40
50
0.1
60
REV 0.9
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VSD, Source-To-Drain Voltage(V)
Qg , Total Gate Charge(nC)
3
4-3
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C-44-1
PV510BA
单 N Enhancement
沟道 MOSFET
N-Channel
Mode
SOP-8
FieldELM34418AA-N
Effect Transistor
Halogen-Free & Lead-Free
NIKO-SEM
Safe Operating Area
Single Pulse Maximum Power Dissipation
500
Operation in This Area
is Limited by RDS(ON)
100
450
�
350
Power(W)
100uS
10
ID , Drain Current(A)
Single Pulse
R�JA = 45C/W
TA=25C
400
1ms
10ms
1
300
250
200
100ms
0.01
150
NOTE :
1.VGS= 10V
2.TA=25C
3.R�JA = 45C/W
4.Single Pulse
0.1
0.1
100
DC
50
1
10
0
0.0001
100
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
0.001
0.01
0.1
1
Single Pulse Time(s)
10
100
Transient Thermal Response Curve
Transient Thermal Resistance
r(t) , Normalized Effective
10
1
Duty cycle=0.5
0.2
0.1
0.1
Notes
0.05
0.02
0.01
0.01
1.Duty cycle, D= t1 / t2
2.RthJA = 45 �/W
3.TJ-TA = P*RthJA(t)
4.RthJA(t) = r(t)*RthJA
single pulse
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
REV 0.9
4
4-4
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C-44-1
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