elm34802aa

双 N 沟道 MOSFET
ELM34802AA-N
■概要
■特点
ELM34802AA-N 是 N 沟道低输入电容、低工作电压、
·Vds=30V
低导通电阻的大电流 MOSFET，内藏有两个 MOSFET。
·Id=4.5A
·Rds(on) < 68mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 98mΩ (Vgs=5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流（定常）
30
±20
4.5
3.6
20
Id
漏极电流（脉冲）
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
结合部温度及保存温度范围
V
V
A
A
Pd
2.0
1.3
W
Tj, Tstg
-55 ~ 150
℃
3
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
稳定状态
最大值
单位
62.5
℃/W
Rθja
■引脚配置图
备注
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
典型值
5
引脚编号
引脚名称
1
2
SOURCE1
GATE1
3
4
SOURCE2
GATE2
5
6
7
DRAIN2
DRAIN2
DRAIN1
8
DRAIN1
D2
D1
G2
G1
4- 1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
S1
S2
双 N 沟道 MOSFET
ELM34802AA-N
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
30
V
Vds=24V,Vgs=0V
1
Vds=20V,Vgs=0V, Ta=55℃
10
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
1.0
20
1.5
±100
nA
3.0
V
A
1
mΩ
1
S
1
1.2
V
1
正向跨导
Gfs
Vgs=10V, Id=4.5A
Vgs=5V, Id=3.5A
Vds=5V, Id=4.5A
二极管正向压降
动态特性
Vsd
If=1A, Vgs=0V
输入电容
Ciss
200
240
pF
输出电容
反馈电容
开关特性
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Crss
40
20
55
30
pF
pF
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
Qgd
6.5
1.2
1.6
8.5
1.8
2.4
nC
nC
nC
2
2
2
Vgs=10V, Vds=15V, Id=4.5A
55
75
4.5
μA
68
98
导通延迟时间
导通上升时间
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V , Id=1A
7
12
11
18
ns
ns
2
2
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
td(off) RL=15Ω, Rgen=6Ω
tf
trr If=1A, dlf/dt=100A/μs
12
7
40
18
11
80
ns
ns
ns
2
2
备注：
1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒，
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 占空比≤1%。
4- 2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
双 N 沟道 MOSFET
NIKO-SEM
P6803HVG
Dual N-Channel Enhancement Mode
ELM34802AA-N
Field
Effect Transistor
SOP-8
Lead-Free
■标准特性和热特性曲线
6.0V
2
4.5V
8
4.0V
6
1.8
4
3.5V
2
0
1
4.5V
1.4
5.0V
1.2
6.0V
7.0V
1
3.0V
0
VGS= 4.0V
1.6
DS(ON)
ID, Drain-source current(A)
VGS= 10V
R
, Noemalized
Drain-source on-resistance
On-Region Characteristics.
10
On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
10V
0.8
2
3
0
4
2
ID= 4.5A
VGS= 10V
1.2
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0.175
0.125
TA= 125° C
TA= 25° C
0.075
0.025
150
ID=3A
0.225
Is, Reverse Drain Current (A)
ID, Drain Current(A)
25°C
4
2
0
1
2
3
4
8
10
Body Diode Forword Voltage Variation with
Source Current and Temperature.
125°C
6
6
VGS, Gate to Source Voltage(V)
10
TA= -55°C
4
2
Transfer Characteristics.
8
10
0.275
TJ, Junction Temperature(°C)
VDS= 5V
8
On-Resistance Variation with Gate-to-Source Voltage.
RDS(ON), On-resistance(OHM)
DS(ON)
R
, Normalized
Drain-source on-resistance
On-Resistance Variation with Temperature.
1.4
6
ID, Drain Current(A)
VDS, Drain-Source Voltage(V)
1.6
4
5
VGS, Gate to Source Voltage(V)
6
10
VGS= 0V
1
TA= 125°C
25°C
0.1
-55°C
0.01
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
VSD, Body Diode Forword Voltage(V)
3
4- 3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
May-10-2006
1.4
双 N 沟道 MOSFET
NIKO-SEM
10
ID = 4.5A
400
15V
VDS= 5V
Capacitance(pF)
8
VGS (Voltage)
10V
6
4
2
300
Ciss
200
Coss
100
Crss
0
0
1
2
3
4
5
5
0
7
6
15
20
25
30
Single Pulse Maximum Power Dissipation.
Maximum Safe Operating Area.
5
30
100
3
us
4
T
IMI
N)L
O
(
S
RD
1m
s
Power(W)
10
ID, Drain Current(A)
10
VDS,Drain to Source Voltage(V)
Qg (nC)
10m
s
1
100
0.3
1s
DC
VGS= 10V
SINGLE PULSE
R¿ JA=125°C/W
TA=25°C
0.1
0.03
0.01
SOP-8
Lead-Free
Capacitance Characteristics
Gate-Charge Characteristics
0
P6803HVG
Dual N-Channel
Enhancement Mode
ELM34802AA-N
Field Effect Transistor
0.1
0.3
1
ms
3
2
1
3
10
30
50
VGS= 10V
SINGLE PULSE
R¿ JA=125°C/W
TA=25°C
0
0.01
0.1
1
10
100
300
Single pulse time(SEC)
VDS, Drain-Source Voltage(V)
D=0.5
0.5
P(pk)
r(t), Normalized Effective
Transient Thermal Resistance
Transient Thermal Response Curve.
1
0.2
0.2
0.1
0.05
0.05
0.02
R¿ JA(t) = r(t) * R¿ ��
R¿ JA=125°C/W
TJ-TA=P*R¿ JA(t)
Duty Cycle, D= t1/ t2
0.02
0.01
Single Pulse
0.01
0.0001
t1
t2
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t1 Time(Sec)
4- 4 4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
May-10-2006