elm14423aa

单 P 沟道 MOSFET
ELM14423AA-N
■概要
■特点
ELM14423AA-N 是 P 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=-30V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。另外、此芯片
·Id=-15A (Vgs=-20V)
·Rds(on) < 7mΩ (Vgs=-20V)
还内藏 ESD 保护电路。
·Rds(on) < 8.5mΩ (Vgs=-10V)
·ESD 规格∶ 6000V HBM
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
漏极电流(定常)
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
Id
Idm
Tc=25℃
容许功耗
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Pd
Tj, Tstg
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
-30
±25
-15.0
V
V
-12.1
-80
3.1
2.0
-55 ~ 150
A
1
A
2
W
1
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
记号
t≤10s
稳定状态
稳定状态
最大结合部 - 引脚架热阻
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
典型值
26
最大值
40
单位
℃/W
50
14
75
24
℃/W
℃/W
备注
1
3
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
1
2
引脚名称
SOURCE
SOURCE
3
4
5
SOURCE
GATE
DRAIN
6
7
8
DRAIN
DRAIN
DRAIN
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D
G
S
单 P 沟道 MOSFET
ELM14423AA-N
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
栅极阈值电压
导通时漏极电流
漏极 - 源极导通电阻
Vds=-24V
Vgs=0V
-30
-100
Ta=55℃
Vds=0V, Vgs=±20V
-500
±1
Vds=0V, Vgs=±25V
±10
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
Rds(on)
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Gfs
Vsd
Is
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
V
Vgs=-20V
Id=-15A
-2.0
-80
Ta=125℃
Vgs=-10V, Id=-15A
Vgs=-6V, Id=-10A
-3.5
5.7
7.0
7.1
6.8
9.4
8.6
8.5
12.0
μA
V
A
mΩ
43
-0.71 -1.00
-4.2
S
V
A
Ciss
4632
pF
Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
Crss
1034
705
pF
pF
2.5
Ω
82.0
nC
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-15A
Qgd
td(on)
16.8
23.0
18.5
nC
nC
ns
导通上升时间
关闭延迟时间
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) RL=1Ω, Rgen=3Ω
20.0
55.0
ns
ns
30.0
43
38
ns
ns
nC
栅极电阻
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
Rg
Vds=-5V, Id=-15A
Is=-1A, Vgs=0V
-2.7
nA
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Qg
tf
trr
Qrr
If=-15A, dlf/dt=100A/μs
If=-15A, dlf/dt=100A/μs
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 P 沟道 MOSFET
ELM14423AA-N
■标准特性和热特性曲线
30
50
-10V
-6V
-5V
30
20
-4.5V
-Id(A)
-Id (A)
40
Vds=-5V
25
20
125°C
15
10
Vgs=-4V
10
25°C
5
0
0
0
1
2
3
4
2
5
2.5
12
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m� )
3.5
4
4.5
5
1.6
Vgs=-6V
10
8
Vgs=-10V
6
Vgs=-20V
4
Vgs=-10V
Id = -15A
1.4
Vgs=-20V
Id = -15A
1.2
Vgs=-6V
Id = -10A
1
0.8
0
5
10
15
20
25
30
0
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
16
25
50
-Is (A)
10
175
125°C
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
25°C
6
1.0E-05
4
1.0E-06
8
150
1.0E+00
125°C
4
125
-15
1.0E+01
1.0E-01
8
100
-12.8
Id=-15A
12
75
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
14
Rds(on) (m� )
3
-Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
12
16
25°C
0.0
20
0.2
0.4
0.6
0.8
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
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1.0
单 P 沟道 MOSFET
ELM14423AA-N
10
6000
Capacitance (pF)
8
-Vgs (Volts)
7000
Vds=-15V
Id=-15A
6
4
2
4000
3000
Coss
2000
1000
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Crss
0
90
0
100.0
5
10
15
20
25
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
40
Rds(on)
limited
100�s
1ms
10.0
30
10ms
0.1s
1.0
1s
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10s
DC
1
10
-Vds (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
20
10
0
0.001
0.1
0.1
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10�s
Power (W)
-Id (Amps)
Ciss
5000
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=40°C/W
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
100
-12.8
0.01
-15
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
Single Pulse
0.0001
T
1
10
0.001
0.01
Pulse 0.1
Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
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100
1000
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