elm14407aa

单 P 沟道 MOSFET
ELM14407AA-N
■概要
■特点
ELM14407AA-N 是 P 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=-30V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=-12A (Vgs=-20V)
·Rds(on) < 13mΩ (Vgs=-20V)
·Rds(on) < 14mΩ (Vgs=-10V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
漏极电流(脉冲)
-30
±25
-12
-10
-60
Id
Idm
Tc=25℃
容许功耗
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
V
V
3.0
Pd
Tj, Tstg
2.1
-55 ~ 150
A
1
A
2
W
1
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
记号
t≤10s
稳定状态
Rθja
稳定状态
Rθjl
典型值
28
54
最大值
40
75
单位
℃/W
℃/W
备注
21
30
℃/W
3
■引脚配置图
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
1
5
引脚编号
1
引脚名称
SOURCE
2
3
4
SOURCE
SOURCE
GATE
5
6
7
DRAIN
DRAIN
DRAIN
8
DRAIN
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D
G
S
单 P 沟道 MOSFET
ELM14407AA-N
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=-24V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±25V
-30
-1
Ta=55℃
-5
±100
栅极阈值电压
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-1.7
导通时漏极电流
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
-60
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
Vsd
Is
输入电容
输出电容
Vgs=-10V
Id=-10A
V
Ta=125℃
Vgs=-20V, Id=-10A
Vgs=-4.5V, Id=-10A
Vds=-5V, Id=-10A
-3.0
nA
V
A
11
14
15
19
10
24
26
13
mΩ
S
-0.72 -1.00
-4.2
V
A
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
2076
503
pF
pF
反馈电容
栅极电阻
Crss
Rg
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
302
2
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
Qg
Qgs
Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-12A
37.2
7.0
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
Is=-1A, Vgs=0V
-2.5
μA
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) RL=1.25Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
Qrr
If=-12A, dlf/dt=100A/μs
If=-12A, dlf/dt=100A/μs
2500
3
45.0
pF
Ω
nC
nC
10.4
12.4
8.2
nC
ns
ns
25.6
12.0
ns
ns
33
23
40
ns
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 P 沟道 MOSFET
ELM14407AA-N
■标准特性和热特性曲线
50
-10V
-8V
25
-6V
20
-5V
30
20
-Id(A)
-Id (A)
Vds=-5V
-5.5V
40
-4.5V
10
15
10
125°C
5
Vgs=-4V
25°C
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
2.5
3
3.5
4
4.5
5
Normalized On-Resistance
1.6
25
Rds(on) (m� )
2
-Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
30
20
Vgs=-6V
15
10
Vgs=-10V
5
0
Id=-10A
1.4
Vgs=-10V
1.2
Vgs=-4.5V
1
0.8
0
5
10
15
20
25
0
25
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
60
1.0E+01
1.0E+00
Id=-10A
50
1.0E-01
40
-Is (A)
Rds(on) (m� )
1.5
30
20
125°C
25°C
1.0E-03
1.0E-04
10
1.0E-05
0
1.0E-06
0
2
4
6
8
125°C
1.0E-02
25°C
0.0
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
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1.2
单 P 沟道 MOSFET
ELM14407AA-N
10
2500
Capacitance (pF)
8
-Vgs (Volts)
3000
Vds=-15V
Id=-12A
6
4
2
Ciss
2000
1500
Coss
1000
Crss
500
0
0
5
10
15
20
25
30
35
0
40
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100�s
Rds(on)
10.0 limited
10ms
1s
DC
20
1
10
0
0.001
100
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=40°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
-Vds (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
30
10
10s
10
25
30
1ms
0.1
20
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10�s
0.1s
0.1
15
40
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
1.0
10
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
-Id (Amps)
100.0
5
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
100
1000
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