elm14425aa

单 P 沟道 MOSFET
ELM14425AA-N
■概要
■特点
ELM14425AA-N 是 P 沟道低输入电容，低工作电
·Vds=-38V
压，低导通电阻的大电流 MOSFET。另外、此芯片
·Id=-14A (Vgs=-20V)
·Rds(on) < 10mΩ (Vgs=-20V)
还内藏 ESD 保护电路。
·Rds(on) < 11mΩ (Vgs=-10V)
·ESD 规格∶ 4000V HBM
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
漏极电流（定常）
Ta=70℃
漏极电流（脉冲）
-38
±25
-14
Id
-11
-50
3.1
Idm
Tc=25℃
容许功耗
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Pd
Tj, Tstg
V
V
2.0
-55 ~ 150
A
1
A
2
W
1
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
记号
t≤10s
稳定状态
稳定状态
最大结合部 - 引脚架热阻
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
典型值
26
最大值
40
单位
℃/W
50
14
75
24
℃/W
℃/W
备注
1
3
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
1
2
引脚名称
SOURCE
SOURCE
3
4
5
SOURCE
GATE
DRAIN
6
7
8
DRAIN
DRAIN
DRAIN
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D
G
S
单 P 沟道 MOSFET
ELM14425AA-N
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
Vds=-30V
Vgs=0V
-38
-100
Ta=55℃
-500
Vds=0V, Vgs=±20V
±1
栅极阈值电压
Vds=0V, Vgs=±25V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-2.0
导通时漏极电流
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
-50
漏极 - 源极导通电阻
V
Vgs=-20V
Rds(on) Id=-14A
正向跨导
Gfs
Vgs=-10V, Id=-14A
Vds=-5V, Id=-14A
二极管正向压降
Vsd
Is=-1A, Vgs=0V
Ta=125℃
-2.5
±10
-3.5
nA
μA
V
A
7.7
11.0
10.0
13.5
8.8
43
11.0
mΩ
S
-0.71 -1.00
V
-4.2
A
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
Ciss
3800
pF
输出电容
反馈电容
栅极电阻
Coss Vgs=0V, Vds=-20V, f=1MHz
Crss
Rg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
560
350
7.5
pF
pF
Ω
63.0
nC
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs Vgs=-10V, Vds=-20V, Id=-14A
Qgd
td(on)
14.1
16.1
12.4
nC
nC
ns
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=-10V, Vds=-20V
td(off) RL=1.35Ω, Rgen=3Ω
tf
9.2
97.5
45.5
ns
ns
ns
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
Is
Qg
寄生二极管反向恢复时间
trr
If=-14A, dlf/dt=100A/μs
35
ns
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=-14A, dlf/dt=100A/μs
33
nC
备注：
1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到
电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 P 沟道 MOSFET
ELM14425AA-N
■标准特性和热特性曲线
30
30
-20V
-10V
-5V
25
20
-4.5V
-Id (A)
-Id (A)
20
-4V
15
-3.5V
10
5
2
3
4
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
10
1.6
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m� )
25°C
0
5
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
Vgs=-10V
9
8
Vgs=-20V
7
6
0
5
10
15
20
25
Vgs=-10V
Id = -14A
1.4
Vgs=-20V
Id = -14A
1.2
1
0.8
30
0
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
-15
1.0E+01
20
-12.8
Id=-14A
1.0E+00
1.0E-01
15
-Is (A)
Rds(on) (m� )
125°C
5
0
1
15
10
Vgs=-3V
0
Vds=-5V
25
125°C
10
125°C
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
25°C
25°C
1.0E-05
1.0E-06
5
4
8
12
16
0.0
20
0.2
0.4
0.6
0.8
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1.0
单 P 沟道 MOSFET
ELM14425AA-N
5000
10
Vds=-15V
Id=-14A
Capacitance (pF)
6
4
2000
1000
0
0
10
20
30
40
50
60
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100.0
70
10
20
30
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
40
1ms
0.1s
1s
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
20
10
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10s
DC
0
0.001
0.1
0.1
40
30
10ms
1
-Vds (Volts)
10
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
100
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
Crss
100�s
10.0
1.0
Coss
0
10�s
Rds(on)
limited
-Id (Amps)
3000
2
0
Ciss
4000
Power (W)
-Vgs (Volts)
8
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=40°C/W
-12.8
0.01
-15
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
T
1
10
0.01
Pulse 0.1
Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
0.001
4-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
100
1000