单 P 沟道 MOSFET ELM14411AA-N ■概要 ■特点 ELM14411AA-N 是 P 沟道低输入电容，低工作电 ·Vds=-30V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=-8A (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 32mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 55mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 漏极电流（脉冲） -30 ±20 -8.0 -6.6 -40 Id Idm Tc=25℃ 容许功耗 Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 V V 3.0 Pd Tj, Tstg 2.1 -55 ~ 150 A 1 A 2 W 1 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 记号 t≤10s 稳定状态 Rθja 稳定状态 Rθjl 典型值 24 54 最大值 40 75 单位 ℃/W ℃/W 备注 21 30 ℃/W 3 ■引脚配置图 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 1 5 引脚编号 1 引脚名称 SOURCE 2 3 4 SOURCE SOURCE GATE 5 6 7 DRAIN DRAIN DRAIN 8 DRAIN 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 单 P 沟道 MOSFET ELM14411AA-N ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=-24V Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V -30 -1 Ta=55℃ -5 ±100 栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA -1.2 导通时漏极电流 Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V -40 漏极 - 源极导通电阻 正向跨导 二极管正向压降 Vgs=-10V Rds(on) Id=-8A Gfs Vsd V -2.0 Vgs=-4.5V, Id=-5A Vds=-5V, Id=-8A Is=-1A, Vgs=0V S V -4.2 A 1120 pF Ciss 920 输出电容 反馈电容 Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz Crss 190 122 总栅极电荷 (10V) 总栅极电荷 (4.5V) 栅极 - 源极电荷 Qg Qg Qgs 栅极 - 漏极电荷 Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-8A mΩ 41.0 55.0 14.5 -0.76 -1.00 Is Rg V 32.0 33.0 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 栅极电阻 开关特性 nA A 24.5 Ta=125℃ -2.4 μA pF pF 3.6 5.0 Ω 18.4 9.3 2.7 23.0 11.5 nC nC nC 导通延迟时间 导通上升时间 Qgd td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V 4.9 7.1 3.4 nC ns ns 关闭延迟时间 关闭下降时间 td(off) RL=1.8Ω, Rgen=3Ω tf 18.9 8.4 ns ns 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 trr Qrr If=-8A, dlf/dt=100A/μs If=-8A, dlf/dt=100A/μs 21.5 12.5 27.0 ns nC 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM14411AA-N ■标准特性和热特性曲线 30 -10V 25 Vds=-5V 25 20 20 -4V -Id(A) -Id (A) 30 -4.5V -6V -5V 15 -3.5V 10 5 15 10 125°C 5 Vgs=-3V 0 25°C 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 60 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 1.60 50 Id=-7.5A Normalized On-Resistance 55 Rds(on) (m� ) 1.5 -Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics Vgs=-4.5V 1.40 45 40 Vgs=-10V 1.20 35 30 25 Vgs=-4.5V 1.00 Vgs=-10V 20 15 0.80 10 0 5 10 15 20 0 25 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 80 1.0E+01 70 1.0E+00 Id=-7.5A 60 1.0E-01 50 125°C 40 125°C 1.0E-02 -Is (A) Rds(on) (m� ) 1 1.0E-03 30 1.0E-04 25°C 20 25°C 1.0E-05 10 1.0E-06 0 3 4 5 6 7 8 9 10 -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.0 单 P 沟道 MOSFET ELM14411AA-N 10 1250 Capacitance (pF) 8 -Vgs (Volts) 1500 Vds=-15V Id=-8A 6 4 2 Ciss 1000 750 500 Coss 250 0 0 4 8 12 16 0 20 0 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Tj(max)=150°C, Ta=25°C 1ms 10ms 1.0 1s 10s 1 25 30 Tj(max)=150°C Ta=25°C 20 DC -Vds (Volts) 10 100 Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 20 10 0.1 0.1 15 30 100�s 0.1s 10 40 10�s Rds(on) limited 10.0 5 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) -Id (Amps) 100.0 Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance Crss D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=40°C/W 0 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 T 0.1 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000