elm14411aa

单 P 沟道 MOSFET
ELM14411AA-N
■概要
■特点
ELM14411AA-N 是 P 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=-30V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=-8A (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 32mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 55mΩ (Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
漏极电流(脉冲)
-30
±20
-8.0
-6.6
-40
Id
Idm
Tc=25℃
容许功耗
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
V
V
3.0
Pd
Tj, Tstg
2.1
-55 ~ 150
A
1
A
2
W
1
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
记号
t≤10s
稳定状态
Rθja
稳定状态
Rθjl
典型值
24
54
最大值
40
75
单位
℃/W
℃/W
备注
21
30
℃/W
3
■引脚配置图
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
1
5
引脚编号
1
引脚名称
SOURCE
2
3
4
SOURCE
SOURCE
GATE
5
6
7
DRAIN
DRAIN
DRAIN
8
DRAIN
4-1
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D
G
S
单 P 沟道 MOSFET
ELM14411AA-N
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=-24V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
-30
-1
Ta=55℃
-5
±100
栅极阈值电压
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-1.2
导通时漏极电流
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
-40
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
Vgs=-10V
Rds(on) Id=-8A
Gfs
Vsd
V
-2.0
Vgs=-4.5V, Id=-5A
Vds=-5V, Id=-8A
Is=-1A, Vgs=0V
S
V
-4.2
A
1120
pF
Ciss
920
输出电容
反馈电容
Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
Crss
190
122
总栅极电荷 (10V)
总栅极电荷 (4.5V)
栅极 - 源极电荷
Qg
Qg
Qgs
栅极 - 漏极电荷
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-8A
mΩ
41.0
55.0
14.5
-0.76 -1.00
Is
Rg
V
32.0
33.0
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
栅极电阻
开关特性
nA
A
24.5
Ta=125℃
-2.4
μA
pF
pF
3.6
5.0
Ω
18.4
9.3
2.7
23.0
11.5
nC
nC
nC
导通延迟时间
导通上升时间
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
4.9
7.1
3.4
nC
ns
ns
关闭延迟时间
关闭下降时间
td(off) RL=1.8Ω, Rgen=3Ω
tf
18.9
8.4
ns
ns
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
trr
Qrr
If=-8A, dlf/dt=100A/μs
If=-8A, dlf/dt=100A/μs
21.5
12.5
27.0
ns
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
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单 P 沟道 MOSFET
ELM14411AA-N
■标准特性和热特性曲线
30
-10V
25
Vds=-5V
25
20
20
-4V
-Id(A)
-Id (A)
30
-4.5V
-6V
-5V
15
-3.5V
10
5
15
10
125°C
5
Vgs=-3V
0
25°C
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
60
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
1.60
50
Id=-7.5A
Normalized On-Resistance
55
Rds(on) (m� )
1.5
-Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
Vgs=-4.5V
1.40
45
40
Vgs=-10V
1.20
35
30
25
Vgs=-4.5V
1.00
Vgs=-10V
20
15
0.80
10
0
5
10
15
20
0
25
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
80
1.0E+01
70
1.0E+00
Id=-7.5A
60
1.0E-01
50
125°C
40
125°C
1.0E-02
-Is (A)
Rds(on) (m� )
1
1.0E-03
30
1.0E-04
25°C
20
25°C
1.0E-05
10
1.0E-06
0
3
4
5
6
7
8
9
10
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
4-3
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1.0
单 P 沟道 MOSFET
ELM14411AA-N
10
1250
Capacitance (pF)
8
-Vgs (Volts)
1500
Vds=-15V
Id=-8A
6
4
2
Ciss
1000
750
500
Coss
250
0
0
4
8
12
16
0
20
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Tj(max)=150°C, Ta=25°C
1ms
10ms
1.0
1s
10s
1
25
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
20
DC
-Vds (Volts)
10
100
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
20
10
0.1
0.1
15
30
100�s
0.1s
10
40
10�s
Rds(on)
limited
10.0
5
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
-Id (Amps)
100.0
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
Crss
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=40°C/W
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
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100
1000
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