elm34423aa

单 P 沟道 MOSFET
ELM34423AA-N
■概要
■特点
ELM34423AA-N 是 P 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=-30V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。另外、此芯片
·Id=-8A
·Rds(on) < 20Ω (Vgs=-10V)
还内藏 ESD 保护电路。
·Rds(on) < 35Ω (Vgs=-4.5V)
·ESD 保护
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
漏极电流(定常)
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
崩溃电流
Id
Idm
Ias
崩溃能量
L=0.1mH
Tc=25℃
容许功耗
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Eas
Pd
Tj, Tstg
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
-30
±20
-8.0
V
V
-6.5
-50
-30
46
2.0
A
5
A
A
3, 5
mJ
W
1.3
-55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
Rθja
■引脚配置图
典型值
最大值
60
单位
℃/W
备注
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
1
2
引脚名称
SOURCE
SOURCE
3
4
5
SOURCE
GATE
DRAIN
6
7
DRAIN
DRAIN
8
DRAIN
4- 1
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D
G
S
单 P 沟道 MOSFET
ELM34423AA-N
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
-1
Vds=-20V, Vgs=0V, Ta=70℃
-10
Vds=0V, Vgs=±16V
±30
nA
-3.0
V
A
1
mΩ
1
S
1
V
A
1
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vds=-5V, Vgs=-10V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
V
Vds=-24V, Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
正向跨导
-30
-1.0
-50
Vgs=-10V, Id=-8A
Vgs=-4.5V, Id=-7A
Vds=-10V, Id=-8A
-1.6
17
27
22
If=-8A, Vgs=0V
20
35
-1.2
-8
μA
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
柵极抵抗
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
Crss
Rg
Qg
Qgs
Qgd
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=-10V, Vds=-15V
Id=-8A
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) Id=-8A, Rgen=6Ω
tf
trr
Qrr
If=-8A, dlf/dt=100A/μs
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%;
2. 独立于工作温度;
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制;
4. 占空比≤1%;
5. 只限于被允许的最高温度。
4- 2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1500
293
207
pF
pF
pF
3.1
Ω
30
nC
2
5
8
nC
nC
2
2
20
12
48
ns
ns
ns
2
2
2
22
18
7
ns
ns
nC
2
单 P 沟道 MOSFET

ELM34423AA-N
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■标准特性和热特性曲线
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

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
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
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
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4- 3
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单 P 沟道 MOSFET
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ELM34423AA-N
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4- 4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
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