TRIAC（NON-ISOLATED TYPE） TMG10C60 TMG10C60 are non-isolated triac suitable for wide range of applications like copier, microwave oven, solid state switch, motor control, light and heater control. 10A ● High surge capability 110A ● Non-isolated type D F ● IT （RMS） H J L T1 ＊ B G M A DIM G K 1 I 2 E C 3 １． T１ 2． T２ ３． Gate A B C D E F G H I J K L M Millimeters Min 5.58 8.38 4.40 1.15 0.35 9.66 ― ― 0.75 1.14 ― 12.70 14.48 Typ 6.40 8.60 4.50 1.27 0.45 10.10 16.25 3.83 0.85 1.27 2.54 13.50 15.00 Unit：A T2 ■Maximum Ratings （Tj=25℃ unless otherwise specified） Symbol Item VDRM Repetitive Peak Off-State Voltage Symbol Item Ratings 600 Tc＝103℃ ITSM Surge On-State Current One cycle, 50Hz/60Hz, peak, non-repetitive I2t 1ms∼10ms PGM V Conditions R.M.S. On-State Current PG（AV） Unit TMG10C60 IT（RMS） I2t Max 7.49 8.90 4.70 1.39 0.60 10.28 ― ― 0.95 1.40 ― 14.27 15.87 Peak Gate Power Dissipation Average Gate Power Dissipation Ratings Unit 10 A 100/110 50 A2S A 5 W 0.5 W IGM Peak Gate Current 2 A VGM Peak Gate Voltage 10 V Operating Junction Temperature −40 to ＋125 ℃ Storage Temperature −40 to ＋125 ℃ 2 g Tj Tstg Mass ■Electrical Characteristics Symbol Item IDRM Reptitive Peak Off-State Current VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃ VTM ＋ I GT1 Peak On-State Voltage IT＝15A, Inst. measurement 1 − I GT1 2 ＋ Ratings Mon. Typ. Max. 2 mA V 30 Gate Trigger Current 30 VD＝6V，RL＝10Ω 3 − I GT3 4 ― 30 ＋ V GT1 1 1.5 − V GT1 2 ＋ V GT3 3 − V GT3 4 〔dv/dt〕c IH Unit 1.4 I GT3 VGD Gate Trigger Voltage 1.5 VD＝6V，RL＝10Ω ― 1.5 mA V Non-Trigger Gate Voltage Tj＝125℃，VD＝1／2VDRM 0.2 V Critical Rate of Rise off-State Voltage at commutation Tj＝125℃， 〔di/dt〕 c＝−5A/ms，VD＝2／3VDRM 10 V/μs Holding Current Rth（j-c） Thermal Impedance 15 Conditions 20 Junction to case mA 1.8 ℃/W TMG10C60 Gate Characteristics Av er ag eG ate ２ Gate Distribution １０0 Pe Po we （ r０ ． ５W １０ ak Ga te Po we （ r５ W ） ５ ２ ） ５ ２ １０１ ５ ２ １００ １０２ ５ ２ ５ １０３ ２ ２ ０． ５ ５ １． ０ １． ５ On State Current vs. Maximum Power Dissipation On State Current vs. Allowable Case Temperature １３０ θ＝１８０゜ θ＝１５０゜ 2 １０ θ＝１２０゜ 。 360 θ＝９０゜ : Conduction Angle ８ θ＝６０゜ θ＝３０゜ ６ ４ ０ ０ １ ２ ３ ４ ６ ５ ７ ８ ９ θ＝３０゜ 。 360 : Conduction Angle ０ ０ １ ２ ３ ６０HZ ５０HZ ４０ ２０ １０１ ２ １０２ ５ Time（cycles） IGT（t℃） ×100（％） IGT（２５℃） １０ ６ ７ ８ ９ １０ １１ ５ １Sec∼１００Sec ２ １００ １０mSec∼１Sec ５ Junction to case ２ １０−１ １０−２ ２ １０ １０３ ５ ２ ２ １０ ５ Transient Thermal Impedance ０ Gate trigger current vs. Junction temperature I＋GT１ （1＋） I−GT１ （1−） ５ − I （3 ） GT３ − ２ １０−１ ５ １ ５ １０ Time t（sec） ２ ５ １００ ２ ５ １０２ Gate trigger voltage vs.Junction temperature ５ ２ V−GT３ （3−） ２ １０ V＋GT１ （1＋） （1−） V−GT１ ５ ２ ２ １０１ −５０ Transient Thermal Impedance θj-c（℃/W） ８０ １０１ VGT（t℃） ×100（％） VGT（２５℃） Surge On-State Current（A） Tj＝25℃ start ５ ４ RMS On-State Current（A） １００ ２ θ＝６０゜ θ＝９０゜ θ＝１２０゜ θ＝１５０゜ θ＝１８０゜ 2 １０ １１ Surge On-State Current Rating （Non-Repetitive） ０ １００ ３． ５ １１０ RMS On-State Current（A） ６０ ３． ０ １２０ １００ ２ ３ ２． ５ On-State Voltage（V） １２ １２０ ２． ０ Gate Current（mA） Allowable Case Temperature（℃） １４ ２ Ｔ ｊ=２５℃ Ｔ ｊ=１２５℃ ５ Maximum Gate Non-Trigger Voltage １０１ Power Dissipation（W） On-State Current（A） ５ On-State Voltage ２ Peak Forward Gate Voltage（10V） １０１ Gate Voltage（V） ２ Peak Gate Current（２A） ２ ０ ５０ １００ Junction Temp. Tj（℃） １５０ １０１ −５０ ０ ５０ １００ １５０ Junction Temp. Tj（℃） 16