华晶分立器件 3DG7091 高频放大环境额定双极型晶体管 1 概述与特点 3DG7091 硅 NPN 型高频高压小功率晶体管 主要用于无绳电话机及一般放大电路 其特点如 下 1.5 击穿电压高 饱和压降低 电流容量大 封装形式 TO-92 2 电特性 额定值 300 300 7 0.5 0.625 150 -55 150 单位 V V V A W 4.2max 标志 2max 符号 VCE0 VCB0 VEB0 IC Ptot Tj Tstg 5.3max 5.3max 12.7min 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 集电极-发射极电压 集电极-基 极电压 发射极-基 极电压 集电极电流 耗散功率(Ta=25 ) 结温 贮存温度 0.45 0.45 2.54 C B E 2.2 电参数 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 集电极-基极截止电流 发射极-基极截止电流 共发射极正向电流传输比 的静态值 集电极-发射极饱和电压 测 试 条 件 ICB0 IEB0 VCB=300V , IE=0 VEB=7V, IC=0 hFE VCE=10V IC=30mA VCEsat 特征频率 fT 共基极输出电容 Cob R O Y IC=20mA , IB=2mA VCE=20V , IC=10mA f=10MHz VCB=20V, IE=0 f=1MHz 规 范 值 最小 典型 最大 10 1 40 120 80 240 200 400 0.5 50 单位 A A V MHz 6.5 pF 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5800360 华晶分立器件 IB=1mA I 1 A 3DG7091 3 特性曲线 Ptot – Tamb 关系曲线 IC-VCE 关系曲线 IC(mA) 350 A Ptot (W) Tamb=25 40 0.60 0.45 20 0.30 100 IB=50 A 0 0 5 10 15 0.15 20 VCE (V) 0 60 90 120 T( ) VCEsat - IC 关系曲线 hFE - IC 关系曲线 hFE 30 Tamb=25 VCE=10V VCEsat (V) Tamb=25 IC/IB=10 1 100 0.1 10 0.001 0.01 0.1 IC (A) 第 2 页 0.01 共 2 页 0.1 IC (A)