Order this document by MRF177/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors MRF177 Designed for broadband commercial and military applications up to 400 MHz frequency range. Primarily used as a driver or output amplifier in push–pull configurations. Can be used in manual gain control, ALC and modulation circuits. 100 W, 28 V, 400 MHz N–CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET N–Channel Enhancement Mode MOSFET • Typical Performance at 400 MHz, 28 V: Output Power — 100 W Gain — 12 dB Efficiency — 60% 2 • Low Thermal Resistance • Low Crss — 10 pF Typ @ VDS = 28 Volts • Ruggedness Tested at Rated Output Power • Nitride Passivated Die for Enhanced Reliability 6 5, 8 1, 4 7 • Excellent Thermal Stability; Suited for Class A Operation 3 CASE 744A–01, STYLE 2 MAXIMUM RATINGS Symbol Value Unit Drain–Source Voltage Rating VDSS 65 Vdc Drain–Gate Voltage (RGS = 1.0 MΩ) VDGR 65 Vdc VGS ±40 Vdc Gate–Source Voltage Drain Current — Continuous ID 16 Adc Total Device Dissipation @ TC = 25°C (1) Derate above 25°C PD 270 1.54 Watts W/°C Storage Temperature Range Tstg – 65 to +150 °C TJ 200 °C Symbol Max Unit RθJC 0.65 °C/W Operating Temperature Range THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Thermal Resistance, Junction–to–Case (1) Total device dissipation rating applies only when the device is operated as an RF push–pull amplifier. NOTE — CAUTION — MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and packaging MOS devices should be observed. REV 9 1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted) Characteristic (1) Symbol Min Typ Max Unit V(BR)DSS 65 — — Vdc Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 28 V, VGS = 0) IDSS — — 2.0 mAdc Gate–Source Leakage Current (VGS = 20 V, VDS = 0) IGSS — — 1.0 µAdc Gate Threshold Voltage (VDS = 10 V, ID = 50 mA) VGS(th) 1.0 3.0 6.0 Vdc Drain–Source On–Voltage (VGS = 10 V, ID = 3.0 A) VDS(on) — — 1.4 Vdc Forward Transconductance (VDS = 10 V, ID = 2.0 A) gfs 1.8 2.2 — mhos Input Capacitance (VDS = 28 V, VGS = 0, f = 1.0 MHz) Ciss — 100 — pF Output Capacitance (VDS = 28 V, VGS = 0, f = 1.0 MHz) Coss — 105 — pF Reverse Transfer Capacitance (VDS = 28 V, VGS = 0, f = 1.0 MHz) Crss — 10 — pF Common Source Power Gain (VDD = 28 Vdc, Pout = 100 W, f = 400 MHz, IDQ = 200 mA) GPS 10 12 — dB Drain Efficiency (VDD = 28 Vdc, Pout = 100 W, f = 400 MHz, IDQ = 200 mA) η 55 60 — % Electrical Ruggedness (VDD = 28 Vdc, Pout = 100 W, f = 400 MHz, IDQ = 200 mA, Load VSWR = 30:1, All Phase Angles At Frequency of Test) ψ OFF CHARACTERISTICS Drain–Source Breakdown Voltage (VGS = 0, ID = 50 mA) ON CHARACTERISTICS (1) DYNAMIC CHARACTERISTICS (1) FUNCTIONAL CHARACTERISTICS (Figure 8) (2) (1) Note each transistor chip measured separately (2) Both transistor chips operating in push–pull amplifier REV 9 2 No Degradation in Output Power Before & After Test TYPICAL CHARACTERISTICS 140 50 120 Pout , OUTPUT POWER (WATTS) Pout , OUTPUT POWER (WATTS) f = 150 MHz 225 MHz 100 80 400 MHz 60 40 VDD = 28 V IDQ = 200 mA 20 0 0 2 4 6 Pin, INPUT POWER (WATTS) 8 f = 225 MHz 40 400 MHz 30 20 10 0 10 VDD = 13.5 V IDQ = 200 mA 0 2 Figure 1. Output Power versus Input Power 120 f = 400 MHz Pin = CONSTANT 90 IDQ = 200 mA f = 400 MHz 100 6.3 W 80 4W 60 40 20 VDS = 28 V IDQ = 200 mA 80 70 60 50 40 30 20 10 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 0 30 –5 –4 –3 –2 –1 0 1 2 3 Figure 3. Output Power versus Supply Voltage Figure 4. Output Power versus Gate Voltage 140 420 100 120 300 100 VGS = 0 V f = 1 MHz 60 180 Coss 120 40 Crss 60 0 4 8 12 16 20 VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS) 20 24 Figure 5. Capacitance versus Drain Voltage REV 9 3 80 0 28 ID , DRAIN CURRENT (AMPS) 360 Crss , C iss , CAPACITANCE (pF) C oss , CAPACITANCE (pF) Ciss 240 4 VGS, GATE–SOURCE VOLTAGE (VOLTS) VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS) 0 10 100 Pin = 10 W Pout , OUTPUT POWER (WATTS) Pout , OUTPUT POWER (WATTS) 8 Figure 2. Output Power versus Input Power 140 0 4 6 Pin, INPUT POWER (WATTS) 20 10 TC = 25° C 4 2 1 0.4 0.2 0.1 1 2 4 6 10 20 40 60 100 VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS) Figure 6. DC Safe Operating Area 5 f = 400 MHz f = 400 MHz Zo = 10 Ω ZOL* 200 150 Zin 100 200 150 100 NOTE: Input and Output Impedance values given are measured gate–to–gate and drain–to–drain respectively. VDD = 28 V IDQ = 200 mA Pout = 100 W f ZOL* Zin (MHz) Ohms Ohms 100 2.0 – j11.5 3.5 – j6 150 2.05 – j9.45 3.35 – j5.34 200 2.1 – j7.5 3.3 – j4.4 400 2.35 + j0.4 3.2 – j1.38 ZOL*: Conjugate of optimum load impedance into which the device operates at a given output power, voltage, current and frequency. Figure 7. Impedance or Admittance Coordinates REV 9 4 VDD = 28 V + D1 R3 C14 + R2 + C16 C15 L1 C17 FERRITE BEAD + C18 FERRITE BEAD FERRITE BEAD R1 R4 C13 + C2 RF INPUT C1 L2 MRF177 T2 C10 C5 MS1 MS3 MS2 MS4 C7 C4 T1 T3 C3 C8 C6 D.U.T. C9 C11 T4 RF OUTPUT C12 R5 MICROSTRIP DETAIL 0.15″ 0.325″ 0.325″ 0.10″ 0.45″ MS1 MS3 0.45″ 0.45″ MS2 MS4 0.45″ 0.10″ 0.15″ 0.325″ C1, C12 C2, C3, C5, C6, C10, C11 C4, C9 C7 C8 C13, C14 C15, C18 C16 C17 0.15″ 0.10″ 0.10″ 0.15″ 0.325″ 1–10 pF JOHANSON OR EQUIVALENT D1 L1 270 pF ATC 100 MIL CHIP CAP L2 1–20 pF R1, R4, R5 36 pF CHIP CAP R2 10 pF CHIP CAP R3 0.1 µFD @ 50 Vdc T1 10 µFD @ 50 Vdc T2 500 pF BUTTON T3 1000 pF UNCASED MICA T4 BOARD 1N5347B, 20 Vdc 1–TURN NO. 18, 0.25″, 2–HOLE FERRITE BEAD 8–1/2 TURNS NO. 18, CLOSE WOUND .375″ DIA. 10 kΩ @ 1/2 W RESISTOR 10 kΩ, 10 TURN RESISTOR 2.0 kΩ @ 1/2 W RESISTOR 1–1/2 T, 50 Ω COAX, .034″ DIA. ON DUAL 0.5″ FERRITE CORE 2.0″ 25 Ω COAX, .075″ DIA. 2.1″ 10 Ω COAX, .075″ DIA. 4.0″ 50 Ω COAX, .0865″ DIA. Dielectric Thickness = 0.060″ 2oz Copper, Cu–Clad, Teflon Fiberglass, εr = 2.55 Figure 8. Test Circuit Electrical Schematic REV 9 5 NOTE: S–Parameter data represents measurements taken from one chip only. ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ Table 1. Common Source S–Parameters (VDS = 24 V, ID = 0.4 A) S11 f MHz |S11| 30 0.797 40 φ S12 S22 |S21| φ |S12| –154 12.40 88 0.029 2 0.756 –159 0.739 –161 9.06 89 0.027 8 0.702 –165 50 0.749 –164 6.84 85 0.026 7 0.707 –168 60 0.770 –163 6.06 80 0.027 3 0.754 –168 70 0.790 –164 5.40 73 0.027 –1 0.776 –168 80 0.800 –166 4.60 70 0.026 –1 0.777 –168 90 0.808 –167 3.94 67 0.025 –1 0.795 –168 100 0.816 –168 3.47 64 0.024 –1 0.809 –169 110 0.816 –169 3.14 62 0.023 1 0.809 –169 120 0.815 –170 2.76 61 0.022 6 0.794 –169 130 0.821 –171 2.45 59 0.021 12 0.799 –170 140 0.828 –171 2.27 56 0.022 18 0.806 –169 150 0.836 –171 2.10 53 0.028 25 0.805 –169 160 0.861 –172 1.96 51 0.032 –6 0.823 –168 170 0.863 –173 1.77 49 0.020 –4 0.836 –166 180 0.869 –173 1.63 46 0.018 5 0.881 –169 190 0.872 –174 1.52 44 0.017 14 0.894 –169 200 0.873 –175 1.41 43 0.017 25 0.888 –171 210 0.877 –176 1.28 42 0.018 36 0.877 –171 220 0.880 –176 1.18 41 0.019 46 0.868 –171 230 0.881 –177 1.15 38 0.024 51 0.926 –173 240 0.877 –178 1.09 35 0.031 56 0.893 –174 250 0.857 –180 1.04 33 0.049 55 0.903 –173 260 0.758 –178 0.95 31 0.090 24 0.903 –172 270 0.862 –171 0.87 31 0.056 –33 0.933 –173 280 0.902 –174 0.85 32 0.027 –39 0.949 –174 290 0.913 –176 0.77 30 0.017 –28 0.891 –175 300 0.919 –177 0.72 30 0.012 –8 0.894 –175 310 0.922 –178 0.71 28 0.012 11 0.913 –175 320 0.925 –178 0.67 26 0.012 28 0.896 –175 330 0.927 –179 0.64 24 0.012 40 0.929 –176 340 0.929 –179 0.62 24 0.013 46 0.925 –179 350 0.931 –180 0.58 24 0.015 52 0.942 –174 360 0.934 180 0.55 24 0.017 55 0.944 –176 370 0.937 179 0.52 23 0.019 61 0.944 –176 380 0.940 179 0.49 21 0.020 68 0.919 –175 390 0.941 178 0.45 22 0.020 69 0.938 –177 400 0.942 178 0.46 18 0.021 73 0.920 –173 410 0.941 177 0.45 19 0.023 67 0.961 –178 420 0.943 177 0.44 18 0.026 67 0.945 –178 430 0.945 176 0.41 16 0.029 70 0.959 –179 REV 9 6 S21 φ |S22| φ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Table 1. Common Source S–Parameters (VDS = 24 V, ID = 0.4 A) (continued) S11 S21 S12 S22 f MHz |S11| φ |S21| φ |S12| φ |S22| 440 0.947 176 0.38 16 0.029 75 0.962 –179 450 0.949 176 0.38 19 0.030 78 0.984 –178 460 0.952 175 0.36 17 0.029 72 0.987 178 470 0.953 175 0.34 18 0.030 70 0.976 179 480 0.952 174 0.34 14 0.035 69 0.968 179 490 0.952 174 0.34 14 0.039 72 0.987 178 500 0.952 174 0.32 13 0.040 76 1.002 179 600 0.938 170 0.22 9 0.047 117 1.013 172 700 0.962 166 0.19 13 0.060 73 0.993 171 800 0.953 162 0.17 18 0.097 68 0.981 171 900 0.953 159 0.14 21 0.097 65 0.949 166 1000 0.952 156 0.14 27 0.110 68 0.982 163 φ Table 2. Common Source S–Parameters (VDS = 28 V, ID = 0.435 A) REV 9 7 S11 S21 S12 S22 f MHz |S11| |S21| φ |S12| 30 0.803 –153 13.50 89 0.028 3 0.746 –157 40 0.742 –160 9.90 90 0.026 9 0.686 –164 50 0.752 –163 7.48 85 0.025 8 0.692 –168 60 0.773 –163 6.62 80 0.026 4 0.739 –167 70 0.794 –164 5.91 74 0.026 1 0.761 –167 80 0.803 –166 5.04 70 0.025 1 0.763 –167 90 0.812 –167 4.32 68 0.024 1 0.783 –167 100 0.819 –168 3.81 64 0.022 1 0.798 –168 110 0.818 –169 3.44 62 0.022 3 0.797 –168 120 0.817 –170 3.03 61 0.021 9 0.779 –168 130 0.823 –171 2.68 59 0.020 15 0.784 –170 140 0.830 –171 2.49 57 0.021 21 0.793 –169 150 0.838 –171 2.30 53 0.027 27 0.792 –169 160 0.864 –172 2.16 52 0.030 –5 0.816 –167 170 0.865 –173 1.95 49 0.019 –2 0.827 –166 180 0.870 –173 1.79 46 0.017 8 0.869 –168 190 0.873 –174 1.67 44 0.016 18 0.882 –168 200 0.874 –175 1.55 43 0.017 27 0.878 –171 210 0.878 –176 1.40 42 0.017 37 0.866 –171 220 0.881 –176 1.29 41 0.019 47 0.858 –171 230 0.881 –177 1.25 38 0.025 53 0.918 –172 240 0.877 –178 1.20 35 0.031 59 0.882 –173 250 0.856 –180 1.13 33 0.048 57 0.893 –173 260 0.760 –178 1.03 31 0.088 24 0.899 –172 270 0.864 –171 0.96 31 0.056 –33 0.931 –172 280 0.903 –174 0.93 32 0.027 –38 0.946 –173 290 0.914 –176 0.85 30 0.015 –25 0.885 –174 φ φ |S22| φ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ Table 2. Common Source S–Parameters (VDS = 28 V, ID = 0.435 A) (continued) S11 f MHz |S11| 300 0.919 310 0.922 320 S21 S22 |S21| φ |S12| φ |S22| –177 0.79 30 0.010 –7 0.881 –175 –178 0.78 28 0.009 6 0.903 –175 0.925 –178 0.75 26 0.010 18 0.900 –175 330 0.927 –179 0.70 24 0.012 31 0.925 –176 340 0.929 –180 0.68 24 0.014 45 0.920 –178 350 0.931 180 0.63 25 0.015 63 0.932 –173 360 0.934 179 0.61 23 0.014 70 0.931 –176 370 0.936 179 0.57 23 0.013 68 0.929 –176 380 0.939 178 0.53 21 0.015 61 0.909 –176 390 0.941 178 0.50 22 0.018 61 0.940 –178 400 0.941 178 0.50 18 0.022 74 0.917 –173 410 0.940 177 0.49 19 0.024 80 0.955 –178 420 0.941 177 0.48 18 0.022 83 0.942 –178 430 0.943 176 0.46 16 0.020 77 0.957 –179 440 0.946 176 0.42 16 0.022 69 0.960 –178 450 0.948 175 0.41 18 0.029 71 0.982 –177 460 0.951 175 0.39 17 0.032 76 0.983 178 470 0.951 175 0.37 17 0.031 88 0.968 179 480 0.950 174 0.37 13 0.027 93 0.965 179 490 0.950 174 0.37 13 0.025 81 0.994 179 500 0.950 173 0.36 12 0.031 69 1.012 180 600 0.936 170 0.24 7 0.063 127 1.005 171 700 0.960 166 0.20 11 0.064 72 0.989 171 800 0.953 162 0.17 15 0.092 66 1.017 169 900 0.954 159 0.15 19 0.092 65 0.952 167 1000 0.952 156 0.15 24 0.082 56 0.988 162 REV 9 8 φ S12 φ PACKAGE DIMENSIONS U 0.76 (0.030) M A M 4 PL M Q B M 1 2 3 K 4 R DIM A B C D E F G H J K L M N Q R U V –B– 5 D NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 6 7 K 8 4 PL F V 4 PL 2 PL L G –A– J STYLE 2: PIN 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. N H C E –T– SEATING PLANE CASE 744A–01 ISSUE C Specifications subject to change without notice. n North America: Tel. (800) 366-2266, Fax (800) 618-8883 n Asia/Pacific: Tel.+81-44-844-8296, Fax +81-44-844-8298 n Europe: Tel. +44 (1344) 869 595, Fax+44 (1344) 300 020 Visit www.macom.com for additional data sheets and product information. REV 9 9 MILLIMETERS MIN MAX 22.60 23.11 9.52 10.03 6.65 7.16 1.60 1.95 2.94 3.40 2.87 3.22 16.51 BSC 4.01 4.36 0.07 0.15 4.34 4.90 12.45 12.95 45_NOM 1.051 11.02 3.04 3.35 9.90 10.41 1.02 1.27 0.64 0.89 INCHES MIN MAX 0.890 0.910 0.375 0.395 0.262 0.282 0.063 0.077 0.116 0.134 0.113 0.127 0.650 BSC 0.158 0.172 0.003 0.006 0.171 0.193 0.490 0.510 45 _NOM 0.414 0.434 0.120 0.132 0.390 0.410 0.040 0.050 0.025 0.035 SOURCE (COMMON) DRAIN DRAIN SOURCE (COMMON) SOURCE (COMMON) GATE GATE SOURCE (COMMON)