MA-COM MRF166W

Order this document
by MRF166W/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
The RF MOSFET Line
Power Field Effect Transistor
MRF166W
N–Channel Enhancement–Mode MOSFET
Designed primarily for wideband large–signal output and driver stages to
30 – 500 MHz.
• Push–Pull Configuration Reduces Even Numbered Harmonics
• Guaranteed Performance at 500 MHz, 28 Vdc
Output Power = 40 Watts
Gain = 14 dB
Efficiency = 50%
40 W, 500 MHz
TMOS BROADBAND
RF POWER FET
• Typical Performance at 175 MHz, 28 Vdc
Output Power = 40 Watts
Gain = 17 dB
Efficiency = 60%
• Excellent Thermal Stability, Ideally Suited for Class A Operation
• Facilitates Manual Gain Control, ALC and Modulation Techniques
• 100% Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 30:1 VSWR
• Low Crss — 4.0 pF @ VDS = 28 Volts
CASE 412–01, Style 1
1
3
5
FLANGE
4
2
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Value
Unit
Drain–Gate Voltage
VDSS
65
Vdc
Drain–Gate Voltage (RGS = 1.0 MΩ)
VDGR
65
Vdc
VGS
± 20
Adc
Drain Current — Continuous
ID
8.0
ADC
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25°C
PD
175
1.0
Watts
°C/W
Storage Temperature Range
Tstg
– 65 to +150
°C
TJ
200
°C
RθJC
1.0
°C/W
Rating
Gate–Source Voltage
Operating Junction Temperature
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance — Junction to Case
NOTE — CAUTION — MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and
packaging MOS devices should be observed.
REV 3
1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
65
—
—
—
—
0.5
—
—
1.0
1.5
3.0
4.5
0.9
1.1
—
—
28
—
—
30
—
—
4.0
—
14
16
—
50
55
—
Unit
OFF CHARACTERISTICS (1)
Drain–Source Breakdown Voltage
(VGS = 0 Vdc, ID = 5.0 mA)
V(BR)DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
(VDS = 28 Vdc, VGS = 0 Vdc)
IDSS
Gate–Source Leakage Current
(VGS = 20 Vdc, VDS = 0 Vdc)
IGSS
Vdc
mA
µA
ON CHARACTERISTICS (1)
Gate Threshold Voltage
(VDS= 10 Vdc, ID = 25 mA)
VGS(th)
Forward Transconductance
(VDS= 10 Vdc, ID = 1.5 A)
gfs
Vdc
mS
DYNAMIC CHARACTERISTICS (1)
Input Capacitance
(VDS = 28 Vdc, VGS = 0 Vdc, f = 1.0 MHz)
Ciss
Output Capacitance
(VDS = 28 Vdc, VGS = 0 Vdc, f = 1.0 MHz)
Coss
Reverse Transfer Capacitance
(VDS = 28 Vdc, VGS = 0 Vdc, f = 1.0 MHz)
Crss
pF
pF
pF
FUNCTIONAL CHARACTERISTICS (2)
Common Source Power Gain
(VDD = 28 Vdc, Pout = 40 W, f = 500 MHz, IDQ = 100 mA)
Gps
Drain Efficiency
(VDD = 28 Vdc, Pout = 40 W, f = 500 MHz, IDQ = 100 mA)
η
Electrical Ruggedness
(VDD = 28 Vdc, Pout = 40 W, f = 500 MHz, IDQ = 100 mA)
Load VSWR = 30:1, All phase angles at frequency of test
Ψ
Series Equivalent Input Impedance
(VDD = 28 Vdc, Pout = 40 W, f = 500 MHz, IDQ = 100 mA)
Zin
Series Equivalent Output Impedance
(VDD = 28 Vdc, Pout = 40 W, f = 500 MHz, IDQ = 100 mA)
Zout
(1) Each transistor chip measured separately.
(2) Both transistor chips operating in a push–pull amplifier.
REV 3
2
dB
%
No Degradation in Output Power
Ohms
—
2.88 –j7.96
—
—
6.12 –j9.43
—
Ohms
BIAS SUPPLY
R1
C12
R2
C11
+
C13
–
VDD = 28 Vdc
C14
R3
L1
RF INPUT
B2
B1
C7
C2
D.U.T.
C3
C5
C4
RF OUTPUT
C6
C8
C1
R4
L2
C9
Inputs Line
70 mils x 2460 mils
C10
Output Lines
70 mils x 2380 mils
C4
C3
490 mils
C5
680 mils
C1, C2, C7, C8
220 pF, 100 mil Chip Capacitor, ATC
C3, C6
0 – 10 pF, Johanson
C4
27 pF, 100 mil Chip Capacitor, ATC
C5
22 pF, 100 mil Chip Capacitor, ATC
C9, C10, C11, C12
0.01 µF Blue Capacitor
C13
470 pF, 100 mil Chip Capacitor, ATC
C14
50 F, 50 V Electrolytic Capacitor
L1, L2
8 Turns #20 AWG, 0.100 mils ID
B1, B2
6″ long, ID = 550 mils, 50 Semi–Rigid Coax
R1
1.0 k 1/2 Watt
R2
10 k 1/2 Watt
R3, R4
45 1/2 Watt
Board Material – Teflon Fiberglass
Dielectric Thickness = 0.30″, εr = 2.55 Copper Clad, 2.0 oz. Copper
m
W
W
W
W
Figure 1. MRF166W 500 MHz Test Circuit Schematic
REV 3
3
C6
24
f = 500 MHz
Pout , OUTPUT POWER (WATTS)
Pout , OUTPUT POWER (WATTS)
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
VDD = 28 Vdc
IDQ = 100 mA
0.5
0
2.5
1
1.5
2
Pin, INPUT POWER (WATTS)
16
12
8
Figure 2. Output Power versus Input Power, 28 Vdc
0.4
0.8
1.2
1.6
2
Pin, INPUT POWER (WATTS)
40
IDQ = 100 mA
f = 500 MHz
Pin = 2 W
Pin = 1 W
36
32
28
Pin = 0.5 W
24
20
16
35
VDD = 28 Vdc
IDQ = 100 mA
30
25
f = 500 MHz
20
15
TYPICAL DEVICE SHOWN
VGS(th) = 3.0 V
10
12
14
16
18
20
22
24
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
26
28
0
–5
–4
–3
–2
C, CAPACITANCE (pF)
80
Coss
60
50
40
Ciss
30
20
Crss
10
0
0
4
0
1
2
Figure 5. Output Power versus Gate Voltage
VGS = 0 V
f = 1.0 MHz
90
70
–1
VDS, GATE–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
100
8
12
16
20
24
VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Capacitance versus Voltage
4
2.8
5
Figure 4. Output Power versus Supply Voltage
REV 3
2.4
45
Pout , OUTPUT POWER (WATTS)
Pout , OUTPUT POWER (WATTS)
0
Figure 3. Output Power versus Input Power, 13.5
Vdc
56
52
48
44
40
12
8
VDD = 13.5 Vdc
IDQ = 100 mA
4
0
3
f = 500 MHz
20
28
3
f = 500 MHz
Zin
400
500
ZOL*
400
Zo = 50 Ω
175
f = 175 MHz
VDD = 28 Vdc, IDQ = 100 mA, Pout = 40 W
f
MHz
Zin
Ohms
ZOL*
Ohms
175
3.7 – j 22.4
15.2 – j 16.6
400
3.6 – j 10.99
10.3 – j 7.99
500
2.88 – j 7.96
6.12 – j 9.43
ZOL* = Conjugate of the optimum load impedance into which the device
output operates at a given output power, voltage and frequency.
NOTE: Input and output impedance values given are measured from gate to
gate and drain to drain respectively.
Table 1. Input and Output Impedances
Figure 7. Series Equivalent Input/Output Impedance
REV 3
5
MRF166W–500MHZ M J B
NOTES: 1) 3 X 5 inch Glass Teflon 32 Mil Board, Copper Both Sides
NOTES: 2) Small Holes are 40 Mils ID and Plated Through
NOTES: 3) Large Holes are 140 Mils ID and Plated Through
Figure 8. MRF166W Circuit Board Photomaster
Figure 9. MRF166W Test Fixture
REV 3
6
(Scale 1:1)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
Table 1. Common Source S–Parameters (VDS = 24 V, ID = 230 mA)
S21
S12
S22
|S11|
φ
|S21|
φ
|S12|
φ
|S22|
30
0.554
–85
20.30
128
0.044
28
0.628
–121
40
0.775
–113
20.00
113
0.040
26
0.632
–123
50
0.758
–124
17.50
107
0.041
20
0.652
–135
60
0.711
–132
14.60
100
0.050
20
0.570
–135
70
0.751
–139
12.70
100
0.042
11
0.666
–145
80
0.742
–143
11.30
95
0.043
9
0.666
–149
90
0.724
–146
10.00
92
0.042
8
0.657
–151
100
0.730
–149
8.97
90
0.042
6
0.663
–154
110
0.735
–151
8.29
87
0.043
3
0.683
–156
120
0.732
–153
7.53
84
0.042
2
0.666
–158
130
0.734
–155
7.01
83
0.042
1
0.688
–159
140
0.740
–156
6.57
81
0.043
0
0.701
–160
150
0.747
–157
6.01
78
0.042
–2
0.688
–162
160
0.748
–159
5.66
76
0.041
–4
0.715
–162
170
0.741
–160
5.22
76
0.040
–4
0.690
–161
180
0.746
–160
4.94
74
0.041
–4
0.719
–164
190
0.753
–161
4.67
73
0.041
–6
0.725
–165
200
0.756
–162
4.51
70
0.040
–7
0.729
–166
210
0.755
–162
4.15
69
0.039
–8
0.727
–165
220
0.759
–163
3.91
68
0.039
–8
0.724
–166
230
0.767
–163
3.75
65
0.039
–10
0.751
–169
240
0.769
–164
3.56
64
0.038
–12
0.733
–167
250
0.766
–164
3.41
63
0.037
–12
0.726
–167
260
0.767
–165
3.26
63
0.035
–10
0.725
–167
270
0.773
–165
3.07
61
0.035
–10
0.725
–167
280
0.777
–165
3.03
61
0.035
–11
0.753
–167
290
0.777
–166
2.89
58
0.034
–13
0.732
–169
300
0.782
–166
2.80
57
0.034
–11
0.744
–169
310
0.788
–166
2.66
57
0.034
–12
0.764
–169
320
0.794
–167
2.54
55
0.033
–12
0.760
–167
330
0.796
–167
2.47
54
0.032
–13
0.787
–169
340
0.795
–168
2.38
54
0.031
–13
0.753
–170
350
0.799
–168
2.27
52
0.030
–11
0.772
–168
360
0.804
–168
2.17
51
0.030
–11
0.782
–169
370
0.805
–168
2.15
50
0.030
–11
0.796
–169
380
0.807
–169
2.06
48
0.029
–12
0.782
–170
390
0.812
–169
2.00
48
0.028
–12
0.796
–170
400
0.818
–170
1.91
47
0.027
–10
0.784
–168
410
0.821
–170
1.86
46
0.029
–11
0.830
–170
420
0.821
–170
1.83
44
0.028
–11
0.823
–171
430
0.822
–171
1.74
44
0.026
–9
0.791
–170
440
0.826
–171
1.67
43
0.025
–7
0.788
–170
REV 3
7
S11
f
MHz
φ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
Table 1. Common Source S–Parameters (VDS = 24 V, ID = 230 mA) (continued)
S11
f
MHz
|S11|
450
0.830
460
0.831
470
S21
φ
S12
|S21|
φ
|S12|
–171
1.68
42
–172
1.64
41
0.832
–172
1.54
480
0.835
–173
490
0.835
500
600
S22
φ
|S22|
φ
0.025
–7
0.820
–170
0.026
–10
0.843
–174
41
0.025
–7
0.827
–173
1.50
39
0.024
–3
0.836
–172
–173
1.43
38
0.024
1
0.835
–171
0.823
–174
1.43
37
0.025
3
0.849
–172
0.874
–176
1.12
29
0.003
–171
0.873
–176
700
0.910
–179
0.86
23
0.013
89
0.867
–177
800
0.932
179
0.74
18
0.035
61
0.904
178
900
0.966
176
0.63
12
0.029
68
0.897
179
1000
0.975
172
0.54
5
0.042
49
0.953
174
Table 2. Common Source S–Parameters (VDS = 28 V, ID = 250 mA)
|S11|
30
40
S21
S12
S22
φ
|S21|
φ
|S12|
φ
|S22|
φ
0.601
–86
22.20
128
0.040
29
0.796
–119
0.783
–112
21.20
114
0.037
27
0.616
–122
50
0.764
–122
18.50
108
0.038
21
0.637
–133
60
0.727
–131
15.50
101
0.045
21
0.574
–135
70
0.759
–138
13.50
100
0.039
12
0.648
–143
80
0.751
–142
12.10
95
0.040
9
0.649
–148
90
0.732
–146
10.70
93
0.040
8
0.641
–150
100
0.737
–149
9.55
90
0.040
6
0.648
–153
110
0.741
–150
8.81
88
0.040
4
0.670
–155
120
0.738
–153
8.01
85
0.040
3
0.654
–156
130
0.740
–154
7.47
83
0.040
2
0.675
–157
140
0.747
–156
7.01
82
0.040
1
0.684
–158
150
0.754
–157
6.43
79
0.040
–2
0.669
–161
160
0.757
–159
6.07
77
0.039
–3
0.693
–161
170
0.749
–159
5.59
76
0.038
–3
0.670
–161
180
0.753
–160
5.28
75
0.039
–4
0.701
–163
190
0.759
–161
4.99
73
0.039
–5
0.712
–164
200
0.761
–161
4.81
70
0.038
–7
0.719
–165
210
0.759
–162
4.44
70
0.037
–6
0.713
–163
220
0.762
–163
4.18
69
0.037
–7
0.709
–164
230
0.771
–164
4.03
66
0.037
–9
0.733
–167
240
0.775
–164
3.83
65
0.036
–10
0.715
–165
250
0.774
–165
3.69
64
0.035
–10
0.713
–166
260
0.775
–165
3.52
63
0.034
–10
0.715
–168
270
0.780
–165
3.29
61
0.034
–10
0.712
–168
280
0.782
–165
3.24
61
0.034
–11
0.741
–168
290
0.781
–166
3.10
59
0.032
–12
0.722
–168
300
0.785
–166
3.01
58
0.033
–11
0.733
–168
REV 3
8
S11
f
MHz
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
Table 2. Common Source S–Parameters (VDS = 28 V, ID = 250 mA) (continued)
|S11|
310
0.792
320
0.798
330
S21
φ
S12
S22
|S21|
φ
|S12|
φ
|S22|
–167
2.87
57
0.032
–12
0.750
–167
–167
2.75
56
0.032
–12
0.739
–166
0.801
–168
2.68
53
0.031
–13
0.760
–170
340
0.800
–168
2.58
53
0.030
–14
0.727
–172
350
0.803
–169
2.44
52
0.029
–12
0.755
–170
360
0.807
–169
2.33
50
0.029
–12
0.772
–171
370
0.808
–169
2.30
50
0.029
–12
0.787
–169
380
0.809
–169
2.19
48
0.028
–13
0.768
–170
390
0.813
–170
2.14
49
0.027
–13
0.775
–169
400
0.820
–170
2.06
47
0.026
–11
0.765
–167
410
0.823
–170
2.02
45
0.027
–12
0.805
–170
420
0.823
–171
1.98
44
0.026
–13
0.794
–173
430
0.824
–171
1.89
44
0.025
–12
0.778
–174
440
0.828
–172
1.83
43
0.024
–11
0.785
–173
450
0.832
–172
1.81
41
0.024
–10
0.812
–172
460
0.833
–172
1.75
41
0.025
–13
0.838
–175
470
0.835
–172
1.65
41
0.023
–11
0.817
–173
480
0.840
–172
1.60
40
0.022
–10
0.818
–172
490
0.844
–173
1.55
38
0.022
–10
0.819
–172
500
0.845
–173
1.56
37
0.022
–10
0.833
–173
600
0.879
–176
1.21
29
0.002
138
0.870
–176
700
0.912
–179
0.92
23
0.017
77
0.862
–176
800
0.935
179
0.79
18
0.039
58
0.887
179
900
0.966
176
0.67
11
0.030
69
0.892
179
1000
0.974
172
0.57
5
0.043
49
0.945
175
REV 3
9
S11
f
MHz
φ
PACKAGE DIMENSIONS
–A–
U
Q 2 PL
G
0.51 (0.020)
1
2
3
4
K
M
T A
–B–
5
D 4 PL
0.51 (0.020)
J
N
M
T A
M
B
M
E
H
C
–T–
SEATING
PLANE
CASE 412–01
ISSUE O
Specifications subject to change without notice.
n North America: Tel. (800) 366-2266, Fax (800) 618-8883
n Asia/Pacific: Tel.+81-44-844-8296, Fax +81-44-844-8298
n Europe: Tel. +44 (1344) 869 595, Fax+44 (1344) 300 020
Visit www.macom.com for additional data sheets and product information.
REV 3
10
M
B
M
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
DIM
A
B
C
D
E
G
H
J
K
N
Q
U
INCHES
MIN
MAX
0.965
0.985
0.245
0.265
0.165
0.185
0.050
0.070
0.070
0.080
0.254 BSC
0.095
0.105
0.003
0.006
0.625
0.675
0.495
0.520
0.120
0.140
0.725 BSC
STYLE 1:
PIN 1.
2.
3.
4.
5.
DRAIN
DRAIN
GATE
GATE
SOURCE
MILLIMETERS
MIN
MAX
24.52
25.01
6.23
6.73
4.20
4.69
1.27
1.77
1.78
2.03
6.45 BSC
2.42
2.66
0.08
0.15
15.88
17.14
12.58
13.20
3.05
3.55
18.42 BSC