Order this document by MRF171A/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA The RF MOSFET Line RF Power Field-Effect Transistor MRF171A N–Channel Enhancement–Mode MOSFET Designed primarily for wideband large–signal output and driver stages from 30–200 MHz. 45 W, 150 MHz MOSFET BROADBAND RF POWER FET • Guaranteed Performance at 150 MHz, 28 Vdc Output Power = 45 Watts Power Gain = 17 dB (Min) Efficiency = 60% (Min) • Excellent Thermal Stability, Ideally Suited for Class A Operation • Facilitates Manual Gain Control, ALC and Modulation Techniques • 100% Tested for Load Mismatch At All Phase Angles with 30:1 VSWR • Low Crss – 8 pF @ VDS = 28 V D • Gold Top Metal Typical Data For Power Amplifier Applications in Industrial, Commercial and Amateur Radio Equipment • Typical Performance at 30 MHz, 28 Vdc Output Power = 30 Watts (PEP) Power Gain = 20 dB (Typ) Efficiency = 50% (Typ) IMD(d3) (30 Watts PEP) –32 dB (Typ) CASE 211–07, STYLE 2 G S MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit VDSS VDGR 65 Vdc 65 Vdc VGS ID ± 20 Adc 4.5 Adc Total Device Dissipation @ TC = 25°C Derate above 25°C PD 115 0.66 Watts W/°C Storage Temperature Range Tstg TJ – 65 to +150 °C 200 °C Symbol Max Unit RθJC 1.52 °C/W Drain–Gate Voltage Drain–Gate Voltage (RGS = 1.0 MΩ) Gate–Source Voltage Drain Current — Continuous Operating Junction Temperature THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Thermal Resistance, Junction to Case ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit V(BR)DSS 65 80 — Vdc Zero Gate Voltage Drain Current (VGS = 0, VDS = 28 V) IDSS — — 1.0 mAdc Gate–Source Leakage Current (VGS = 20 V, VDS = 0) IGSS — — 1.0 µAdc OFF CHARACTERISTICS Drain–Source Breakdown Voltage (ID = 50 mA, VGS = 0) NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and packaging MOS devices should be observed. REV 2 1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS – continued (TC = 25°C unless otherwise noted) Symbol Min Typ Max Unit Gate Threshold Voltage (VDS = 10 V, ID = 50 mA) VGS(th) 1.5 2.5 4.5 Vdc Drain–Source On–Voltage (VGS = 10 V, ID = 3 A) VDS(on) — 1.0 — V Forward Transconductance (VDS = 10 V, ID = 2 A) gfs 1.4 1.8 — mhos Input Capacitance (VDS = 28 V, VGS = 0, f = 1.0 MHz) Ciss — 60 — pF Output Capacitance (VDS = 28 V, VGS = 0, f = 1.0 MHz) Coss — 70 — pF Reverse Transfer Capacitance (VDS = 28 V, VGS = 0, f = 1.0 MHz) Crss — 8 — pF Common Source Power Gain (VDD = 28 V, Pout = 45 W, f = 150 MHz, IDQ = 25 mA) Gps 17 19.5 — dB Drain Efficiency (VDD = 28 V, Pout = 45 W, f = 150 MHz, IDQ = 25 mA) η 60 70 — % Characteristic ON CHARACTERISTICS DYNAMIC CHARACTERISTICS FUNCTIONAL CHARACTERISTICS Electrical Ruggedness (VDD = 28 V, Pout = 45 W, f = 150 MHz, IDQ = 25 mA, VSWR 30:1 at All Phase Angles) No Degradation in Output Power TYPICAL FUNCTIONAL TESTS (SSB) Common Source Power Gain (VDD = 28 V, Pout = 30 W (PEP), IDQ = 100 mA, f = 30; 30.001 MHz) Gps — 20 — dB Drain Efficiency (VDD = 28 V, Pout = 30 W (PEP), IDQ = 100 mA, f = 30; 30.001 MHz) η — 50 — % Intermodulation Distortion (VDD = 28 V, Pout = 30 W (PEP), IDQ = 100 mA, f = 30; 30.001 MHz) IMD(d3) — –32 — dB REV 2 2 BIAS + RFC1 R2 R3 C6 C14 R1 RF INPUT Z2 L1 Z3 L2 C1, C10 C2, C5, C8 C3 C4 C6, C14 C7 C9 C11, C12 C13 L1 L2 L3 L4 R1 C2 C1 C4 L3 Z6 C7 3 Z7 C8 C9 RF OUTPUT C10 C5 1000 pF, Chip Capacitor 2–20 pF, Trimmer Capacitors, Johanson 43 pF, 100 mil Chip Capacitor, ATC 120 pF, 100 mil Chip Capacitor, ATC 0.1 µF, Capacitors 50 pF, 100 mil Chip Capacitor, ATC 12 pF, 100 mil Chip Capacitor, ATC 680 pF, Feedthru Capacitors 50 µF, 50 V, Electrolytic Capacitor 2 Turns, 0.297″ ID, 18 AWG 1–1/2 Turns, 0.265″ ID, 18 AWG 1–1/4 Turns, 0.234″ ID, 18 AWG 1–1/2 Turns, 0.250″ ID, 18 AWG 68 Ω, 1/2 W Chip Resistor R2 R3 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z7 RFC1 RFC2 Board Figure 1. MRF171A 150 MHz Test Circuit REV 2 L4 Z4 DUT C3 C12 RFC2 Z5 Z1 C11 VDD 28 Vdc + + C13 VDC – 1 kΩ, 1/2 W Chip Resistor 10 kΩ, 1/2 W Chip Resistor 0.160″ x 0.400″ Microstrip 0.160″ x 0.600″ Microstrip 0.160″ x 0.600″ Microstrip 0.160″ x 0.900″ Microstrip 0.160″ x 0.800″ Microstrip 0.160″ x 0.800″ Microstrip 0.160″ x 0.400″ Microstrip Ferroxcube VK200–19/4B 10 Turns, 0.250″ ID, 20 AWG, Enamel 0.062″, G10 1 oz. Copper Clad Both Sides, εr = 2.56 28 V + L2 C8 C9 C10 + C11 L1 VGG + C1 C2 C4 C5 RF OUTPUT R1 C7 R3 RF INPUT T2 C3 DUT T1 R2 C6 R4 C1, C3, C5, C6 C2, C4 C7 C8 C9, C10 C11 0.1 µF, Chip Capacitors 1000 pF, Chip Capacitors 68 pF, Dipped Mica 0.1 µF, Ceramic Cap or Equivalent 680 pF, Feedthru Capacitors 250 µF, 50 V, Electrolytic Capacitor L1, L2 R1, R2 R3 R4 T1 T2 Figure 2. MRF171A 30 MHz Test Circuit REV 2 4 VK200 20/4B Ferrite Choke 200 Ω, 1/2 W Carbon 3 Ω, 1/2 W Carbon 270 Ω, 2 W Carbon 4:1 Impedance Broadband Transformer 1:4 Impedance Broadband Transformer 60 70 50 60 Pout , OUTPUT POWER (WATTS) Pout , OUTPUT POWER (WATTS) PEP TYPICAL CHARACTERISTICS 40 30 20 VDD = 28 V IDQ = 100 mA f = 30 MHz TONE SEPARATION = 1 kHz 10 f = 100 MHz 150 MHz 50 200 MHz 40 30 20 VDD = 28 V IDQ = 25 mA 10 0 0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 Pin, INPUT POWER (WATTS) PEP 0.8 0.9 1.0 0 Figure 3. Output Power versus Input Power 16 Pout , OUTPUT POWER (WATTS) Pout , OUTPUT POWER (WATTS) 1.6 1.8 2.0 70 150 MHz 14 200 MHz 12 10 8 6 4 VDD = 13.5 V IDQ = 25 mA 0.1 0 0.2 0.3 0.5 0.6 0.4 Pin, INPUT POWER (WATTS) 0.7 0.8 Pin = 1.0 W 60 50 0.5 W 40 30 0.1 W 20 IDQ = 25 mA f = 100 MHz 10 0 0 12 0.9 Figure 5. Output Power versus Input Power 14 18 16 20 22 24 VDD, DRAIN SUPPLY VOLTAGE (VOLTS) 26 28 Figure 6. Output Power versus Supply Voltage 70 80 60 Pout , OUTPUT POWER (WATTS) Pout , OUTPUT POWER (WATTS) 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 Pin, INPUT POWER (WATTS) f = 100 MHz 2 Pin = 2.0 W 50 40 1.0 W 30 0.3 W 20 IDQ = 25 mA f = 150 MHz 10 12 14 16 18 20 22 24 26 70 Pin = 4.0 W 60 3.0 W 50 2.0 W 40 30 20 IDQ = 25 mA f = 200 MHz 10 28 0 12 14 16 18 20 22 24 26 VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS) VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS) Figure 7. Output Power versus Supply Voltage Figure 8. Output Power versus Supply Voltage REV 2 5 0.4 Figure 4. Output Power versus Input Power 18 0 0.2 28 TYPICAL CHARACTERISTICS 3.0 45 VDS = 10 V TYPICAL DEVICE SHOWN, VGS(th) = 2.5 V Pout , OUTPUT POWER (WATTS) 40 35 2.0 30 25 1.5 Pin = CONSTANT VDD = 28 V IDQ = 25 mA f = 150 MHz TYPICAL DEVICE SHOWN, VGS(th) = 2.5 V 20 1.0 15 10 0.5 5 0 –1.0 0.0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 VGS, GATE–SOURCE VOLTAGE (VOLTS) 4.5 5.0 Figure 9. Drain Current versus Gate Voltage (Transfer Characteristics) –0.5 0.5 1.0 1.5 0 VGS, GATE–SOURCE VOLTAGE (VOLTS) Coss 100 Ciss Crss 10 VGS = 0 V f = 1 MHz 1 0 5 10 15 25 20 VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS) 30 Figure 11. Capacitance versus Drain–Source Voltage REV 2 6 2.0 Figure 10. Output Power versus Gate Voltage 1000 C, CAPACITANCE (pF) ID , DRAIN CURRENT (AMPS) 2.5 2.5 Zo = 10 Ω f = 30 MHz f = 30 MHz ZOL* 200 150 100 Zin 200 150 100 VDD = 28 V, IDQ = 25 mA, Pout = 45 W f MHz Zin(1) Ω ZOL(2) Ω 30 12.8 – j3.6 11.5 – j0.99 100 3.1 – j11.6 4.9 – j4.9 150 2.0 – j6.5 4.2 – j4.9 200 2.2 – j6.0 3.0 – j2.9 (1) 68 Ω shunt resistor gate–to–ground. (2) ZOL = Conjugate of the optimum load impedance into which the device operates at a given output power, voltage and frequency. Figure 12. Large–Signal Series Equivalent Input/Output Impedance REV 2 7 (Scale 1:1) Figure 13. MRF171A Circuit Board Photo Master REV 2 8 ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Table 1. Common Source S–Parameters (VDS = 12.5 V, ID = 0.5 A) REV 2 9 S11 S21 S12 S22 f MHz |S11| |S21| φ |S12| φ |S22| 30 0.801 –162 11.90 96 0.026 13 0.811 –166 40 0.809 –166 9.12 91 0.028 11 0.812 –171 50 0.810 –169 7.29 88 0.027 11 0.831 –172 60 0.808 –170 6.22 85 0.028 9 0.824 –174 70 0.814 –172 5.30 82 0.028 9 0.831 –176 80 0.811 –173 4.56 81 0.027 10 0.837 –175 90 0.811 –174 4.04 80 0.027 13 0.829 –174 100 0.814 –174 3.66 77 0.027 12 0.846 –176 110 0.812 –175 3.37 75 0.027 11 0.842 –177 120 0.816 –175 3.00 74 0.027 13 0.850 –176 130 0.816 –176 2.75 73 0.027 14 0.849 –175 140 0.817 –176 2.57 72 0.027 17 0.851 –176 150 0.821 –176 2.37 69 0.027 17 0.863 –177 160 0.820 –176 2.27 67 0.027 17 0.853 –177 170 0.821 –177 2.08 66 0.026 19 0.838 –177 180 0.824 –177 1.93 65 0.027 19 0.861 –177 190 0.825 –177 1.89 64 0.027 21 0.873 –177 200 0.830 –177 1.74 62 0.027 23 0.873 –178 210 0.831 –177 1.67 60 0.027 25 0.874 –177 220 0.831 –178 1.62 59 0.026 28 0.870 –178 230 0.836 –178 1.48 57 0.027 27 0.909 –179 240 0.836 –178 1.43 56 0.027 26 0.865 –180 250 0.839 –178 1.37 57 0.028 30 0.873 –178 260 0.844 –178 1.30 54 0.028 34 0.882 –179 270 0.842 –178 1.28 52 0.028 36 0.887 –180 280 0.845 –179 1.21 52 0.027 37 0.881 –180 290 0.849 –179 1.14 50 0.027 36 0.869 179 300 0.849 –179 1.12 50 0.029 39 0.852 –180 310 0.855 –179 1.06 49 0.029 42 0.891 –179 320 0.856 –179 1.03 46 0.030 43 0.889 180 330 0.856 –180 0.96 45 0.031 47 0.868 180 340 0.858 –180 0.96 46 0.030 47 0.888 179 350 0.860 180 0.93 44 0.031 49 0.875 –180 360 0.862 180 0.91 44 0.033 48 0.901 179 370 0.866 180 0.86 43 0.034 50 0.913 178 380 0.867 179 0.84 41 0.036 52 0.897 178 390 0.869 179 0.82 42 0.035 54 0.893 178 400 0.870 179 0.78 40 0.035 57 0.880 180 410 0.872 179 0.77 39 0.037 55 0.923 178 420 0.876 178 0.73 37 0.039 54 0.915 176 430 0.877 178 0.69 38 0.040 56 0.903 177 440 0.879 178 0.68 39 0.041 58 0.921 178 φ φ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ Table 1. Common Source S–Parameters (VDS = 12.5 V, ID = 0.5 A) (continued) S11 S21 S12 S22 f MHz |S11| φ |S21| φ |S12| φ |S22| φ 450 0.882 177 0.68 36 0.040 61 0.926 178 460 0.884 177 0.65 36 0.041 59 0.937 175 470 0.886 177 0.62 35 0.041 60 0.896 176 480 0.885 176 0.62 33 0.044 61 0.907 176 490 0.886 176 0.61 32 0.046 63 0.907 176 500 0.887 176 0.59 31 0.047 65 0.916 175 φ Table 2. Common Source S–Parameters (VDS = 28 V, ID = 0.5 A) |S21| φ |S12| φ |S22| –152 17.10 100 0.025 17 0.730 –158 0.793 –158 13.20 94 0.027 13 0.730 –164 50 0.793 –162 10.50 90 0.027 12 0.754 –167 60 0.791 –165 9.00 87 0.027 11 0.746 –169 70 0.798 –167 7.68 83 0.026 10 0.760 –171 80 0.795 –169 6.63 82 0.026 10 0.770 –170 90 0.795 –170 5.85 80 0.026 12 0.760 –170 100 0.799 –170 5.30 77 0.026 10 0.779 –172 110 0.798 –171 4.86 75 0.026 11 0.775 –174 120 0.802 –172 4.35 74 0.025 13 0.785 –172 130 0.801 –172 3.97 72 0.025 14 0.788 –171 140 0.803 –173 3.70 71 0.025 15 0.791 –172 150 0.809 –173 3.42 68 0.025 14 0.808 –173 160 0.808 –173 3.27 66 0.025 15 0.796 –172 170 0.809 –174 2.99 65 0.024 18 0.783 –174 180 0.814 –174 2.77 63 0.025 19 0.809 –173 190 0.815 –175 2.71 62 0.024 21 0.820 –174 200 0.822 –175 2.49 60 0.024 22 0.826 –175 210 0.824 –175 2.37 57 0.024 24 0.836 –175 220 0.825 –175 2.23 57 0.024 26 0.807 –175 230 0.831 –176 2.08 56 0.024 29 0.839 –175 240 0.830 –176 2.00 54 0.024 29 0.818 –176 250 0.832 –176 1.92 55 0.024 33 0.828 –174 260 0.838 –176 1.81 53 0.024 35 0.829 –175 270 0.837 –176 1.79 50 0.025 37 0.834 –175 280 0.840 –177 1.69 50 0.025 39 0.832 –176 290 0.844 –177 1.60 48 0.025 39 0.836 –177 300 0.844 –177 1.55 48 0.025 44 0.814 –175 310 0.849 –178 1.48 47 0.026 46 0.848 –175 320 0.852 –178 1.43 44 0.027 45 0.855 –177 330 0.852 –178 1.35 43 0.028 48 0.833 –177 340 0.855 –178 1.32 44 0.028 49 0.861 –177 350 0.856 –178 1.29 41 0.029 53 0.842 –176 f MHz |S11| 30 0.783 40 REV 2 10 φ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Table 2. Common Source S–Parameters (VDS = 28 V, ID = 0.5 A) (continued) REV 2 11 |S21| φ |S12| φ |S22| –179 1.25 42 0.030 54 0.872 –178 0.863 –179 1.18 39 0.030 55 0.886 –178 380 0.864 –179 1.15 38 0.031 55 0.864 –178 390 0.867 –179 1.12 39 0.032 57 0.862 –179 400 0.869 –180 1.07 37 0.032 60 0.853 –177 410 0.872 –180 1.05 35 0.035 60 0.898 –179 420 0.876 180 1.00 34 0.036 60 0.889 180 430 0.877 179 0.95 35 0.037 62 0.884 –179 440 0.879 179 0.93 34 0.038 64 0.902 –179 450 0.882 179 0.91 32 0.039 65 0.901 –180 460 0.884 178 0.88 32 0.041 64 0.922 179 470 0.885 178 0.84 32 0.040 66 0.877 179 480 0.885 178 0.83 30 0.042 66 0.892 179 490 0.886 177 0.81 29 0.044 68 0.891 179 500 0.887 177 0.80 28 0.045 68 0.900 178 f MHz |S11| 360 0.859 370 φ φ PACKAGE DIMENSIONS A U NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH. M Q M 1 DIM A B C D E H J K M Q R S U 4 R 2 S B 3 D K STYLE 2: PIN 1. 2. 3. 4. J H C E SEATING PLANE CASE 211–07 ISSUE N Specifications subject to change without notice. n North America: Tel. (800) 366-2266, Fax (800) 618-8883 n Asia/Pacific: Tel.+81-44-844-8296, Fax +81-44-844-8298 n Europe: Tel. +44 (1344) 869 595, Fax+44 (1344) 300 020 Visit www.macom.com for additional data sheets and product information. REV 2 12 INCHES MIN MAX 0.960 0.990 0.370 0.390 0.229 0.281 0.215 0.235 0.085 0.105 0.150 0.108 0.004 0.006 0.395 0.405 40 _ 50 _ 0.113 0.130 0.245 0.255 0.790 0.810 0.720 0.730 SOURCE GATE SOURCE DRAIN MILLIMETERS MIN MAX 24.39 25.14 9.40 9.90 5.82 7.13 5.47 5.96 2.16 2.66 3.81 4.57 0.11 0.15 10.04 10.28 40 _ 50 _ 2.88 3.30 6.23 6.47 20.07 20.57 18.29 18.54