QS043-401M0059 (2/4) ＰＤＭＢ１００Ｂ１２Ｃ ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ １００ Ａ，１２００Ｖ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 94.0 80 ±0.25 12.0 11.0 12.0 11.0 12.0 5 4 23.0 30 +1.0 - 0 .5 14 9 23.0 9 14 23 23 7 16 16 7 35 12 3-M5 4-fasten tab #110 t=0.5 17 16 LABEL 4-fasten tab #110 t= 0.5 6 7 LABEL 3 5 4 17.0 14 2-Ø 5.5 12 8 3-M5 2 1 .0 30 +1 - 0 .5 5(E1) 4(G1) 94 80 ± 0 .2 5 12 11 4 3 4 2 1 11 4 18.0 (C1) 3 21.2 7.5 (E2) 2 2-Ø6.5 7 6 48.0 16.0 14.0 (C2E1) 1 7(G2) 6(E2) 12 23 □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ ＰＤＭＢ１００Ｂ１２Ｃ２ PDMB100B12C PDMB100B12C2 Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｒａｔｅｄ Ｓｙｍｂｏｌ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＶＣＥＳ １，２００ Ｖ ＶＧＥＳ ±２０ Ｖ ＩＣ ＩＣＰ １００ ２００ Ａ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ ５００ Ｗ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ ＤＣ １ｍｓ コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締 め 付 け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ 電 気 的 特 性 ＶＩＳＯ Ｆｔｏｒ ２,５００ PDMB100B12C Ｖ（ＲＭＳ） ３（３０.６） PDMB100B12C2 ２（２０.４） Ｎ・ｍ (kgf･cm) ２（２０.４） ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＣＥＳ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V － － ２.０ ｍＡ ＩＧＥＳ ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 100A,ＶＧＥ= 15V － １.９ ２.４ Ｖ ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 100mA ４.０ － ８.０ Ｖ 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance Ｃｉｅｓ 上 昇 時 間 ターンオン時間 下 降 時 間 ターンオフ時間 スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ＤＣ １ｍｓ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime □ 熱 的 特 性 ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 8,300 － ｐＦ ＶＣＣ= 600V ＲL= 6Ω ＲG= 10Ω ＶＧＥ= ±15V － － － － ０.２５ ０.４０ ０.２５ ０.８０ ０.４５ ０.７０ ０.３５ １.１０ μｓ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｒａｔｅｄ Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｖａｌｕｅ １００ ２００ Ｕｎｉｔ Ａ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＶＦ ＩＦ= 100A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ ｔｒｒ ＩＦ= 100A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 200A/μs － ０.２ ０.３ μｓ Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. － － Ｍａｘ. ０.２４ ０.４２ Ｕｎｉｔ ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case 日本インター株式会社 ℃／Ｗ QS043-401M0059 (3/4) ＰＤＭＢ１００Ｂ１２ ＰＤＭＢ１００Ｂ１２Ｃ Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) Fig.1- Output Characteristics (Typical) TC=25℃ 200 VGE=20V IC=50A Collector to Emitter Voltage V CE (V) 15V Collector Current I C (A) 150 9V 100 8V 50 7V 0 0 2 TC=25℃ 16 10V 12V 4 6 8 14 100A 12 10 8 6 4 2 0 10 0 4 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 12 10 8 6 4 2 8 12 16 R L=6Ω TC=25℃ 16 700 14 600 12 500 10 8 400 V CE=600V 6 300 400V 200 4 200V 2 100 0 0 20 0 150 300 Gate to Emitter Voltage VGE (V) 450 600 750 Total Gate Charge Qg (nC) Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 1.6 20000 VGE=0V f=1MHZ TC=25℃ 10000 Cies 5000 2000 Coes 1000 500 VCC=600V RG=10Ω VGE=±15V TC=25℃ 1.4 1.2 Switching Time t (μs) 50000 Capacitance C (pF) 20 tOFF 1 0.8 tf 0.6 0.4 200 Cres 100 50 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 tON tr 0.2 0 0 Collector to Emitter Voltage VCE (V) 25 50 Collector Current IC (A) 日本インター株式会社 75 100 Gate to Emitter Voltage VGE (V) 100A 4 16 800 200A 14 0 12 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) TC=125℃ 16 0 8 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) IC=50A 200A QS043-401M0059 (4/4) ＰＤＭＢ１００Ｂ１２ ＰＤＭＢ１００Ｂ１２Ｃ Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) (Typical) 10 VCC=600V IC=100A VGE=±15V TC=25℃ TC=25℃ TC=125℃ toff ton 2 Forward Current I F (A) 5 Switching Time t (μs) 200 tr 1 tf 0.5 0.2 150 100 50 0.1 0.05 5 10 20 50 100 0 200 0 1 2 Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area I F=100A TC=25℃ 200 trr 100 200 Collector Current I C (A) 100 50 20 10 5 4 500 I RrM R G=10Ω V GE=±15V TC≦125℃ 50 20 10 5 2 1 0.5 2 0.2 100 200 300 400 500 0.1 600 0 400 800 Fig.11- Transient Thermal Impedance 1 5x10 -1 2x10 -1 FRD IGBT 1x10 -1 5x10 -2 2x10 -2 1x10 -2 TC=25℃ 5x10 -3 1 Shot Pulse 2x10 -3 10 -5 1200 Collector to Emitter Voltage V CE (V) -di/dt (A/μs) (℃/W) 0 (J-C) 1 Transient Thermal Impedance Rth Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) 500 3 Forward Voltage V F (V) Series Gate Impedance RG (Ω) 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 Time t (s) 日本インター株式会社 1 10 1 1600