ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ − Ｓｉｘ−Ｐａｃｋ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ □ ＰＴＭＢ７５Ａ６Ｃ ７５Ａ，６００Ｖ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ コ レ ク タ・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent ＤＣ １ｍｓ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange 絶 縁 耐 圧 (Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage 締 め 付 け ト ル ク Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink Ｍounting Ｔorque Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＶＣＥＳ ６００ Ｖ ＶＧＥＳ ±２０ Ｖ ＩＣ ＩＣＰ ７５ １５０ Ａ ＰＣ ２５０ Ｗ Ｔｊ −４０∼＋１５０ ℃ Ｔｓｔｇ −４０∼＋１２５ ℃ ＶＩＳＯ ２５００ Ｆｔｏｒ ２(２0.４) Ｖ（ＲＭＳ） Ｎ・ｍ (kgf･cm) 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） □ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance 上 昇 時 間 Ｒise Ｔime スイッチング時間 ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime Ｓwitching Ｔime 下 降 時 間 Ｆall Ｔime ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime □ 重量：330ｇ Ｓｙｍｂｏｌ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＣＥＳ ＶＣＥ= 600V,ＶＧＥ= 0V − − １.０ ｍＡ ＩＧＥＳ ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V − − １.０ μＡ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 75A,ＶＧＥ= 15V − ２.１ ２.６ Ｖ ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 75mA ４.０ − ８.０ Ｖ − 7500 − ｐＦ ０.１５ ０.２５ ０.２ ０.４５ ０.３ ０.４ ０.３５ ０.７ μｓ ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V, ｆ=1MHＺ ＶＣＣ= 300V ＲＬ= ４Ω ＲＧ= 10Ω ＶＧＥ= ±15V − − − − フリーホイーリングダイオードの特 性：ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime □ Ｒａｔｅｄ Ｓｙｍｂｏｌ ＤＣ １ｍｓ ＩＦ ＩＦＭ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ７５ １５０ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ａ Ｔｙｐ. Ｍａｘ. ＶＦ ＩＦ= 75A,ＶＧＥ= 0V − １.９ ２.４ ｔｒｒ ＩＦ= 75A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 75A/μs − ０.１５ ０.２５ Ｕｎｉｔ Ｖ μｓ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 Ｔhermal Ｉmpedance ＩＧＢＴ Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. − − − − Ｍａｘ. ０.５ １.０ Ｕｎｉｔ ℃／Ｗ ＰＴＭＢ７５Ａ６Ｃ Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) Fig.1- Output Characteristics (Typical) TC=25℃ 150 VGE =20V 150A I C=30A 10V 100 75 9V 50 25 8V Collector to Emitter Voltage V CE (V) 15V 125 Collector Current I C (A) TC=25℃ 16 12V 14 75A 12 10 8 6 4 2 7V 0 0 2 4 6 8 0 10 0 4 Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 75A 12 10 8 6 4 2 0 4 8 12 16 RL=4Ω TC=25℃ 16 350 14 300 12 250 10 8 200 VCE =300V 150 6 200V 100 2 50 0 20 0 0 75 50000 Cies Coes Cres Switching Time t (μs) Capacitance C (pF) 1000 500 200 100 0.5 1 2 5 10 20 300 V CC=300V R G=10Ω V GE =±15V TC=25℃ 0.9 0.8 2000 0.2 225 Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1 VGE =0V f=1MH Z TC=25℃ 5000 50 150 Total Gate Charge Qg (nC) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 10000 4 100V Gate to Emitter Voltage V GE (V) 20000 20 50 Collector to Emitter Voltage V CE (V) 100 200 0.7 0.6 0.5 toff 0.4 0.3 ton 0.2 tf 0.1 tr 0 0 20 40 Collector Current IC (A) 60 80 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 14 0 16 400 150A IC=30A 12 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) TC=125℃ 16 8 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) ＰＴＭＢ７５Ａ６Ｃ Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 5 VCC=300V IC=75A VG=±15V TC=25℃ TC=25℃ toff 125 tr 1 0.5 tf 0.2 100 75 50 25 0.1 0.05 1 10 0 100 0 1 2 Series Gate Impedance R G (Ω) 3 4 Forward Voltage V F (V) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area (Typical) 500 500 IF=75A TC=25℃ RG=10Ω VGE =±15V TC≦125℃ 200 100 200 Collector Current I C (A) trr 100 50 20 I RrM 10 50 20 10 5 2 1 0.5 0.2 100 200 300 400 500 0.1 600 0 200 -di/dt (A/μs) 400 FRD 1 IGBT 5x10 -1 2x10 -1 1x10 -1 5x10 -2 2x10 -2 1x10 -2 2 5x10 -3 TC=25℃ 2x10 -3 1x10 -3 -5 10 600 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.11- Transient Thermal Impedance (℃/W) 0 (J-C) 5 Transient Thermal Impedance Rth Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) TC=125℃ ton Forward Current I F (A) Switching Time t (μs) 2 (Typical) 150 1 Shot Pulse 10 -4 10 -3 10 -2 Time t (s) 10 -1 1 10 1 800