QS043-402-20396（2/5） ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－D ｕａｌ ＰＤＭＢ８００Ｅ６ ８００Ａ，６００Ｖ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 140 130 110 10 13.8 11.5 43.8 4 - Ø6.5 (E2) 2 (C1) 3 7(G2) 6(E2) 7 3-M8 6 1 40 110 130 (C2E1) 1 14.5 20.5 10 36 3 2 65 4 14.5 5 5(E1) 4(G1) 24 35 4-M4 4 LABEL Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage Ｒａｔｅｄ Ｓｙｍｂｏｌ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＶＣＥＳ ６００ Ｖ ＶＧＥＳ ±２０ Ｖ ＩＣ ＩＣＰ ８００ １,６００ Ａ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ ２,７００ Ｗ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ ＤＣ １ｍｓ コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締 め 付 け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｔerminals □ 電 気 的 特 性 ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ（ＲＭＳ） ３（３０.６） Ｆｔｏｒ Ｍ４ Ｍ８ Ｎ・ｍ (kgf･cm) １.４（１４.３） １０.５（ １ ０ ７ ） ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＣＥＳ ＶＣＥ= 800V,ＶＧＥ= 0V － － １.０ ｍＡ ＩＧＥＳ ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 800A,ＶＧＥ= 15V － ２.１ ２.６ Ｖ ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 800mA ４.０ － ８.０ Ｖ 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime 上 昇 時 間 ターンオン時間 下 降 時 間 ターンオフ時間 Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 40,000 － ｐＦ ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ ＶＣＣ= ＲＬ= ＲＧ= ＶＧＥ= － － － － ０.１５ ０.３０ ０.１０ ０.４０ ０.３５ ０.８５ ０.２５ ０.８０ μｓ 300V 0.375Ω 1.5Ω ±15V ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent Ｃｉｅｓ ＤＣ １ｍｓ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ８００ １,６００ Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｕｎｉｔ Ａ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＶＦ ＩＦ= 800A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ ｔｒｒ ＩＦ= 800A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 1600A/μs － ０.１５ ０.２５ μｓ Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. － － □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case （Tc測定点チップ直下） Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ０.０４５ ℃／Ｗ ０.１１０ 00 日本インター株式会社 QS043-402-20396（3/5） ＰＤＭＢ８００Ｅ６ Fig.1- Output Characteristics (Typical) VGE=20V 1400 VGE=20V 12V 1400 15V 11V 1200 1000 800 10V 600 9V 400 15V 1200 11V 1000 10V 800 600 9V 400 200 8V 0 1 2 3 4 0 5 0 1 Collector to Emitter Voltage VCE (V) 1600A 800A 12 10 8 6 4 2 0 4 8 12 16 IC=400A 14 800A 10 8 6 4 2 0 4 8 16 RL =0.375( TC=25°C 100000 VGE=0V f=1MHZ T C=25°C 14 12 250 10 VCE =300V 8 200V 6 100V 100 4 30000 Capacitance C (pF) 300 150 20 Fig.6- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 16 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 12 Gate to Emitter Voltage VGE (V) 400 Cies 10000 Coes 3000 Cres 1000 2 50 0 1600A 12 0 20 Fig.5- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 200 5 T C=125°C Gate to Emitter Voltage VGE (V) 350 4 16 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) IC=400A 14 3 Fig.4- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) T C=25°C 16 2 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 0 12V 8V 200 0 T C=125°C 1600 Collector Current I C (A) Collector Current I C (A) Fig.2- Output Characteristics (Typical) T C=25°C 1600 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 0 3500 300 0.1 Total Gate Charge Qg (nC) 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 Collector to Emitter Voltage VCE (V) 00 日本インター株式会社 QS043-402-20396（4/5） ＰＤＭＢ8００Ｅ６ Fig.7- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1 0.6 tf 0.4 2 tON 0.2 0.5 toff 0.2 ton 0 200 400 600 800 1000 0.02 1200 1 1.5 3 10 30 Collector Current IC (A) Series Gate Impedance RG (( ) Fig.9- Collector Current vs. Switching Time Fig.10- Series Gate Impedance vs. Switching Time 10 VCC=300V RG=1.5( VGE=±15V T C=125°C Inductive Load tON tf 0.1 tr(Ic) VCC=300V IC=800A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 5 2 Switching Time t (µs) tOFF 1 tr(V CE) 0.1 tf 10 Switching Time t (µs) 1 0.05 tr(V CE) 0 VCC=300V IC=800A VGE=±15V T C=25°C Resistive Load 5 Switching Time t (µs) Switching Time t (µs) VCC=300V RG=1.5 ( VGE=±15V T C=25°C Resistive Load tOFF 0.8 Fig.8- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 10 0.01 1 toff 0.5 tr (IC ) ton 0.2 tf 0.1 0.05 0.001 0 200 400 600 800 1000 0.02 1200 1 1.5 Collector Current IC (A) 10 30 Series Gate Impedance RG (( ) Fig.11- Collector Current vs. Switching Loss Fig.12- Series Gate Impedance vs. Switching Loss 3000 80 VCC=300V RG=1.5 ( VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 60 EOFF EON 40 ERR 20 VCC=300V IC=800A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 1000 Switching Loss ESW (mJ/Pulse) Switching Loss ESW (mJ/Pulse) 3 300 EON EOFF 100 30 ERR 10 3 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1 1 Collector Current IC (A) 1.5 3 10 30 Series Gate Impedance RG (( ) 00 日本インター株式会社 QS043-402-20396（5/5） ＰＤＭＢ8００Ｅ６ Fig.14- Reverse Recovery Characteristics (Typical) Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) T C=25°C 1000 1200 1000 800 600 400 200 1 2 3 500 trr 200 IRrM 100 50 4 0 800 1600 Forward Voltage VF (V) 2400 3200 4000 4800 -di/dt (A/µs) Fig.15- Reverse Bias Safe Operating Area 5000 RG=1.5(, VGE=±15V, T C<125°C 2000 1000 500 Collector Current I C (A) 0 200 100 50 20 10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0 200 400 600 800 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.16- Transient Thermal Impedance 1 Transient Thermal Impedance Rth (J-C) (°C/W) Forward Current I F (A) 1400 0 IF=800A T C=25°C T C=125°C T C=125°C Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) 1600 3x10 -1 FRD 1x10 -1 IGBT 3x10 -2 1x10 -2 3x10 -3 T C=25°C 1x10 -3 1 Shot Pulse 3x10 -4 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1 10 1 Time t (s) 00 日本インター株式会社