ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ −Ｓｉｘ−Ｐａｃｋ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ □ ＰＴＭＢ５０Ａ６Ｃ ５０Ａ，６００Ｖ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｒａｔｅｄ Ｓｙｍｂｏｌ コ レ ク タ・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent ＤＣ １ｍｓ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange 絶 縁 耐 圧 (Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage 締 め 付 け ト ル ク Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink Ｍounting Ｔorque Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＶＣＥＳ ６００ Ｖ ＶＧＥＳ ±２０ Ｖ ＩＣ ＩＣＰ ５０ １００ Ａ ＰＣ １９０ Ｗ Ｔｊ −４０∼＋１５０ ℃ Ｔｓｔｇ −４０∼＋１２５ ℃ ＶＩＳＯ ２５００ Ｆｔｏｒ ２(２0.４) Ｖ（ＲＭＳ） Ｎ・ｍ (kgf･cm) 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） □ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance 上 昇 時 間 Ｒise Ｔime スイッチング時間 ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime Ｓwitching Ｔime 下 降 時 間 Ｆall Ｔime ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime □ 重量：190ｇ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＣＥＳ ＶＣＥ= 600V,ＶＧＥ= 0V − − １.０ ｍＡ ＩＧＥＳ ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V − − １.０ μＡ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 50A,ＶＧＥ= 15V − ２.０ ２.５ Ｖ ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 50mA ４.０ − ８.０ Ｖ − 5000 − ｐＦ ０.１５ ０.２５ ０.２ ０.４５ ０.３ ０.４ ０.３５ ０.７ μｓ ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V, ｆ=1MHＺ ＶＣＣ= 300V ＲＬ= ６Ω ＲＧ= 15Ω ＶＧＥ= ±15V − − − − フリーホイーリングダイオードの特 性：ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime □ Ｒａｔｅｄ Ｓｙｍｂｏｌ ＤＣ １ｍｓ Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ５０ １００ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ａ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＶＦ ＩＦ= 50A,ＶＧＥ= 0V − １.９ ２.４ Ｖ ｔｒｒ ＩＦ= 50A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 50A/μs − ０.１５ ０.２５ μｓ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 Ｔhermal Ｉmpedance ＩＧＢＴ Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ − − − − ０.６５ １.４８ ℃／Ｗ ＰＴＭＢ５０Ａ６Ｃ Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) Fig.1- Output Characteristics (Typical) TC=25℃ 100 VGE =20V IC=20A 80 10V 60 9V 40 20 8V Collector to Emitter Voltage V CE (V) 15V Collector Current I C (A) TC=25℃ 16 12V 100A 14 50A 12 10 8 6 4 2 7V 0 0 2 4 6 8 0 10 0 4 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 Collector to Emitter Voltage V CE (V) 12 10 8 6 4 2 4 8 12 16 300 12 250 10 8 200 VCE =300V 6 150 200V 100 2 0 50 Gate to Emitter Voltage V GE (V) 150 0 200 Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 1 VGE =0V f=1MH Z TC=25℃ Cies Coes Cres 10000 VCC=300V RG=15Ω VGE =±15V TC=25℃ 0.9 0.8 Switching Time t (μs) 5000 Capacitance C (pF) 100 Total Gate Charge Qg (nC) 20000 2000 1000 500 200 100 0.7 0.6 0.5 toff 0.4 0.3 ton tf 0.2 50 20 4 100V 50 0 20 14 tr 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 Collector to Emitter Voltage V CE (V) 100 200 0 0 20 40 60 Collector Current IC (A) 80 100 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 50A 0 20 RL=5Ω TC=25℃ 350 14 0 16 400 100A I C=20A 12 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) TC=125℃ 16 8 Gate to Emitter Voltage V GE (V) ＰＴＭＢ５０Ａ６Ｃ Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) VCC=300V IC=50A VG=±15V TC=25℃ TC=25℃ 90 TC=125℃ 80 toff ton Forward Current I F (A) 2 Switching Time t (μs) (Typical) 100 5 1 tr 0.5 tf 0.2 70 60 50 40 30 20 0.1 10 0.05 2 5 10 20 50 100 200 0 500 0 1 Series Gate Impedance R G (Ω) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 4 Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area (Typical) IF=50A TC=25℃ RG=15Ω VGE =±15V TC≦125℃ 200 200 100 trr 100 50 20 10 5 3 500 Collector Current I C (A) Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) 500 2 Forward Voltage V F (V) 50 20 10 5 2 1 0.5 0.2 I RrM 0.1 2 0 100 200 -di/dt (A/μs) 300 400 0.05 0 200 400 600 Collector to Emitter Voltage V CE (V) 800