QS043-401M0056 (2/4) ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｓｉｎｇｌｅ ＰＨＭＢ８００Ｂ１２ ８００ Ａ，１２００Ｖ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 110 93 ± 0 .2 5 4 - Ø6.5 2 -M8 4 (C) 1 20 20 62 ± 0 .2 5 1 2 80 (E) 2 (G) 3 3 13 21 - 0.5 36 +1.0 - 0.5 25.5 +1.0 2 -M4 29 LABEL 7 23 (E) 4 Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage Ｒａｔｅｄ Ｓｙｍｂｏｌ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＶＣＥＳ １，２００ Ｖ ＶＧＥＳ ±２０ Ｖ ＩＣ ＩＣＰ ８００ １，６００ Ａ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ ３，４００ Ｗ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ（ＲＭＳ） ＤＣ １ｍｓ コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締 め 付 け ト ル ク Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal Ｍounting Ｔorque □ 電 気 的 特 性 Ｆｔｏｒ ３（３０.６） １.４（１４.３） １０.５（１０７） Ｍ４ Ｍ８ Ｎ・ｍ (kgf･cm) ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＣＥＳ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V － － １６ ｍＡ ＩＧＥＳ ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 800A,ＶＧＥ= 15V － １.９ ２.４ Ｖ ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 800mA ４ － ８ Ｖ Ｃｉｅｓ ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 66,000 － ｐＦ ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ ＶＣＣ= 600V ＲL= 0.75Ω ＲG= 0.5Ω ＶＧＥ= ±15V － － － － ０.２５ ０.４０ ０.２５ ０.８０ ０.４５ ０.７０ ０.３５ １.１０ μｓ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent Ｓｙｍｂｏｌ 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance 上 昇 時 間 ターンオン時間 下 降 時 間 ターンオフ時間 スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent ＤＣ １ｍｓ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime □ 熱 的 特 性 Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ８００ １，６００ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｕｎｉｔ Ａ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＶＦ ＩＦ= 800A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ ｔｒｒ ＩＦ= 800A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 1600A/μs － ０.２５ ０.３５ μｓ Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. － － ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case 日本インター株式会社 Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ０.０３６ ℃／Ｗ ０.０６５ QS043-401-M0056 (3/4) ＰＨＭＢ８００Ｂ１２ Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) Fig.1- Output Characteristics (Typical) TC=25℃ VGE=20V Collector Current I C (A) 1400 12V 15V 1200 1000 9V 800 600 8V 400 200 0 7V 0 2 TC=25℃ 16 10V 4 6 8 I C=400A Collector to Emitter Voltage V CE (V) 1600 14 800A 12 10 8 6 4 2 0 10 0 4 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 10 8 6 4 2 8 12 16 RL=0.75Ω TC=25℃ 16 700 12 500 10 8 400 VCE =600V 6 300 400V 4 200 200V 2 100 0 20 0 1000 200000 1.2 20000 10000 Coes 5000 2000 1000 500 Cres Switching Time t (μs) Capacitance C (pF) 50000 5 10 20 0 6000 tOFF 1 0.8 tf 0.6 0.4 0.2 tON tr 200 2 5000 VCC=600V RG=0.5Ω VGE=±15V TC=25℃ Cies 100000 1 4000 1.4 V GE =0V f=1MHZ TC=25℃ 500000 0.5 3000 Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 0.2 2000 Total Gate Charge Qg (nC) 1000000 0.1 14 600 Gate to Emitter Voltage V GE (V) 100 20 50 100 200 0 0 Collector to Emitter Voltage V CE (V) 200 400 Collector Current IC (A) 日本インター株式会社 600 800 Gate to Emitter Voltage V GE (V) 800A 12 4 16 800 1600A 14 0 12 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) TC=125℃ 16 0 8 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) IC=400A 1600A QS043-401-M0056 (4/4) ＰＨＭＢ８００Ｂ１２ Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) Switching Time t (μs) 1600 VCC=600V IC=800A VGE=±15V TC=25℃ 5 (Typical) TC=25℃ toff 2 ton 1 tr 0.5 tf 0.2 1200 1000 800 600 400 0.1 200 0.05 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 0 20 0 1 2 3 4 Forward Voltage VF (V) Series Gate Impedance RG (Ω) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area 5000 1000 IF=800A TC=25℃ R G=0.5Ω V GE=±15V TC≦125℃ 2000 1000 500 Collector Current I C (A) 500 trr 200 100 I RrM 200 100 50 20 10 5 2 1 0.5 50 0 800 1600 2400 3200 4000 0.2 4800 0 400 800 1200 Collector to Emitter Voltage V CE (V) -di/dt (A/μs) fig11-Tansient Thermal Impedance -1 2x10 -1 Tansient Thermal Impedance Rth (J-C) (ﾟC/W) Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) TC=125℃ 1400 Forward Current I F (A) 10 1x10 FRD -2 5x10 IGBT -2 2x10 -2 1x10 -3 5x10 -3 2x10 -3 1x10 -4 Tc=25℃ -4 1 Shot 5x10 2x10 -4 1x10 10 -5 -4 10 -3 10 -2 10 Time t （s） 日本インター株式会社 10 -1 1 10 1 1600