QS043-402-（2/5） ＰＴＭＢ５０Ｅ６ ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－ Ｓｉｘ Ｐａｃｋ ５０ Ａ，６００Ｖ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ ＰＴＭＢ５０Ｅ６Ｃ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 94 93.00 4× 15.24= 60.96 16.02 15.24 12.62 83 5-fasten tab #250 CL 17 G6 E6 V 12-fasten tab #110 G2 E2 G4 E4 PＴMB50E6 W 11.00 32.00 U G6 E6 12 1 15.5 2.50 18 18 15.75 5 13 5 13 5 3.81 8.00 11.43 5× 11.43= 57.15 70.40 107.00 13 PＴMB50E6C 15.00 15.00 LABEL 2.00 11 12 21.00 13.00 8 LABEL 21 14 7 8 6 15 4-Ø 2.10 1.15× 1.00 9 10 7.00 17 3 4 5 6 32 16 1 2 2-Ø 5.50 13 G5 E5 CL G3E3 44 W G4 E4 G1 E1 45.00 41.91 28.4 V G2 E2 2-Ø 5.5 G5 E5 18 U G3 E3 33 24 G1 E1 4-Ø 6.00 104.20 PＴMB50E6 PＴMB50E6C Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage Ｒａｔｅｄ Ｓｙｍｂｏｌ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＶＣＥＳ ６００ Ｖ ＶＧＥＳ ±２０ Ｖ ＩＣ ＩＣＰ ５０ １００ Ａ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ ２５０ Ｗ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ ＤＣ １ｍｓ コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage 締 め 付 け ト ル ク Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink Ｍounting Ｔorque □ 電 気 的 特 性 ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ（ＲＭＳ） Ｆｔｏｒ ２（２０.４） Ｎ・ｍ (kgf･cm) ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＣＥＳ ＶＣＥ= 600V, ＶＧＥ= 0V － － １.０ ｍＡ ＩＧＥＳ ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 50A,ＶＧＥ= 15V － ２.１ ２.６ Ｖ ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 50mA ４.０ － ８.０ Ｖ 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime 上 昇 時 間 ターンオン時間 下 降 時 間 ターンオフ時間 Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 2,500 － ｐＦ ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ ＶＣＣ= ＲＬ= ＲＧ= ＶＧＥ= － － － － ０.１５ ０.２５ ０.１０ ０.３５ ０.３０ ０.４０ ０.３５ ０.７０ μｓ 300V 6.0Ω 20Ω ±15V ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent Ｃｉｅｓ ＤＣ １ｍｓ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime Ｒａｔｅｄ Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｖａｌｕｅ ５０ 1００ Ｕｎｉｔ Ａ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＶＦ ＩＦ= 50A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ ｔｒｒ ＩＦ= 50A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 100A/μs － ０.１５ ０.２５ μｓ Ｍｉｎ. － － Ｔｙｐ. － － Ｍａｘ. ０.５０ 1.１０ Ｕｎｉｔ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case （Tc測定点チップ直下） ℃／Ｗ 00 日本インター株式会社 QS043-402-（3/5） ＰＴＭＢ５０Ｅ６ ＰＴＭＢ５０Ｅ６Ｃ Fig.1- Output Characteristics (Typical) VGE=20V VGE=20V Collector Current I C (A) 60 50 10V 40 30 15V 80 11V 70 9V 11V 70 60 10V 50 40 9V 30 20 20 8V 10 0 0 1 2 3 4 8V 10 0 5 0 1 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 50A 10 8 6 4 2 4 8 12 16 5 T C=125°C IC=25A 14 50A 12 10 8 6 4 2 0 20 100A 0 4 8 12 16 20 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Gate to Emitter Voltage VGE (V) Fig.5- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) Fig.6- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 400 16 RL =6.0( TC=25°C 350 VGE=0V f=1MHZ T C=25°C 14 300 12 250 10 VCE =300V 200 8 200V 150 6 100V 100 4 Cies 3000 1000 Coes Cres 300 100 2 50 0 10000 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 100A 12 0 4 16 Capacitance C (pF) Collector to Emitter Voltage V CE (V) IC=25A 14 3 Fig.4- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) T C=25°C 16 2 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 0 12V 90 15V 80 T C=125°C 100 12V 90 Collector Current I C (A) Fig.2- Output Characteristics (Typical) T C=25°C 100 0 50 100 150 0 200 30 0.1 Total Gate Charge Qg (nC) 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 Collector to Emitter Voltage VCE (V) 00 日本インター株式会社 QS043-402-（4/5） ＰＴＭＢ５０Ｅ６ ＰＴＭＢ５０Ｅ６Ｃ Fig.7- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1 10 VCC=300V RG=20( VGE=±15V T C=25°C Resistive Load tOFF 5 2 Switching Time t (µs) Switching Time t (µs) 0.8 Fig.8- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 0.6 tf 0.4 tON 0.2 1 0.5 toff 0.2 ton tr(V CE) tf 0.1 0.05 tr(VCE) 0 VCC=300V IC=50A VGE=±15V T C=25°C Resistive Load 0 20 40 60 0.02 80 10 30 Collector Current IC (A) 10 tOFF 5 2 Switching Time t (µs) Switching Time t (µs) VCC=300V RG=20( VGE=±15V T C=125°C Inductive Load tON tf 0.1 tr(Ic) 0.01 0.001 0 20 40 60 1 0.5 toff 0.2 ton 0.1 tf 0.05 tr(IC ) 0.02 80 VCC=300V IC=50A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 10 30 Fig.11- Collector Current vs. Switching Loss 300 Fig.12- Series Gate Impedance vs. Switching Loss 4 100 VCC=300V RG=20( VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 3 EOFF EON 2 ERR 1 0 10 20 30 40 50 60 70 80 Switching Loss ESW (mJ/Pulse) Switching Loss ESW (mJ/Pulse) 100 Series Gate Impedance RG (( ) Collector Current IC (A) 0 300 Fig.10- Series Gate Impedance vs. Switching Time Fig.9- Collector Current vs. Switching Time 10 1 100 Series Gate Impedance RG (( ) VCC=300V IC=50A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 30 EON 10 EOFF 3 ERR 1 0.3 10 Collector Current IC (A) 30 100 300 Series Gate Impedance RG (( ) 00 日本インター株式会社 QS043-402-（5/5） ＰＴＭＢ５０Ｅ６ ＰＴＭＢ５０Ｅ６Ｃ Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) T C=25°C Fig.14- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 1000 60 40 20 1 2 3 500 trr 200 100 50 20 10 5 2 4 IRrM 0 50 100 Forward Voltage VF (V) 150 200 250 300 -di/dt (A/µs) Fig.15- Reverse Bias Safe Operating Area 200 RG=20 (, VGE=±15V, T C<125°C 100 50 Collector Current I C (A) 0 20 10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0 200 400 600 800 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.16- Transient Thermal Impedance 1x10 1 Transient Thermal Impedance Rth (J-C) (°C/W) Forward Current I F (A) 80 0 IF=50A T C=25°C T C=125°C T C=125°C Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) 100 3 FRD 1 IGBT 3x10 -1 1x10 -1 3x10 -2 T C=25°C 1x10 -2 1 Shot Pulse 3x10 -3 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1 10 1 Time t (s) 00 日本インター株式会社