NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 13003 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸:4 英寸(100mm) 芯片代码:D180BG-00 芯片厚度:240±20µm 管芯尺寸:1800×1800µm 2 焊位尺寸:B 极 320×320µm 2,E 极 200×300µm 2 电极金属:铝 背面金属:银 典型封装:KSE13003,HE13003 █ 极限值(Ta=25℃)(封装形式:TO-126/220) Tstg——贮存温度………………………………………… -65~150℃ Tj——结温……………………………………………………… 150℃ PC——集电极功率耗散(Tc=25℃)……………………………… 40W VCBO——集电极—基极电压…………………………………… 700V VCEO——集电极—发射极电压………………………………… 400V VEBO——发射极—基极电压………………………………………9V IC——集电极电流(DC)……………………………………… 1.5A IB——基极电流………………………………………… 0.75A █ 电参数(Ta=25℃)(封装形式:TO-126/220) 参数符号 BVCEO IEBO hFE 符 号 说 明 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极截止电流 直流电流增益 VCE(sat) 集电极—发射极饱和压降 VBE(sat) 基极—发射极饱和压降 fT 特征频率 tON tSTG tF 导通时间 贮存时间 下降时间 最小值 典型值 最大值 单 位 400 V 10 µA 10 40 5 0.5 V 1 V 3 V 1 V 1.2 V 5 MHz 1.1 4.0 0.7 µS µS µS 测 试 条 件 IC=5mA,IB=0 VEB=9V,IC=0 VCE=5V,IC=0.5A VCE=2V,IC=1A IC=0.5A,IB=0.1A IC=1A,IB=0.25A IC=1.5A,IB=0.5A IC=0.5A,IB=0.1A IC=1A,IB=0.25A VCE=10V,IC=0.1A, f=1MHz Vcc=125V,Ic=1A IB1=-IB2=0.2A RL=125Ω