HUASHAN D180BG-00

NPN
汕头华汕电子器件有限公司
SILICON
TRANSISTOR
13003 晶体管芯片说明书
█ 芯片简介
█ 管芯示意图
芯片尺寸:4 英寸(100mm)
芯片代码:D180BG-00
芯片厚度:240±20µm
管芯尺寸:1800×1800µm 2
焊位尺寸:B 极 320×320µm 2,E 极 200×300µm 2
电极金属:铝
背面金属:银
典型封装:KSE13003,HE13003
█ 极限值(Ta=25℃)(封装形式:TO-126/220)
Tstg——贮存温度………………………………………… -65~150℃
Tj——结温……………………………………………………… 150℃
PC——集电极功率耗散(Tc=25℃)……………………………… 40W
VCBO——集电极—基极电压…………………………………… 700V
VCEO——集电极—发射极电压………………………………… 400V
VEBO——发射极—基极电压………………………………………9V
IC——集电极电流(DC)……………………………………… 1.5A
IB——基极电流………………………………………… 0.75A
█ 电参数(Ta=25℃)(封装形式:TO-126/220)
参数符号
BVCEO
IEBO
hFE
符 号 说 明
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极截止电流
直流电流增益
VCE(sat)
集电极—发射极饱和压降
VBE(sat)
基极—发射极饱和压降
fT
特征频率
tON
tSTG
tF
导通时间
贮存时间
下降时间
最小值 典型值 最大值 单 位
400
V
10
µA
10
40
5
0.5
V
1
V
3
V
1
V
1.2
V
5
MHz
1.1
4.0
0.7
µS
µS
µS
测 试 条 件
IC=5mA,IB=0
VEB=9V,IC=0
VCE=5V,IC=0.5A
VCE=2V,IC=1A
IC=0.5A,IB=0.1A
IC=1A,IB=0.25A
IC=1.5A,IB=0.5A
IC=0.5A,IB=0.1A
IC=1A,IB=0.25A
VCE=10V,IC=0.1A,
f=1MHz
Vcc=125V,Ic=1A
IB1=-IB2=0.2A
RL=125Ω