Application Applikation Bipolar Transistors Bipolartransistoren Nomenclature: Benennung: B – Silicon Transistor C – LF Low Power Transistor nnn – Serial Number X or -nn – hFE Group B – Siliziumtransistor C – NF Kleinleistungstransistor nnn – Serien-Nummer X oder -nn – hFE Gruppe Available from Diotec: Von Diotec erhältlich: Designation Bezeichnung BC807 -16 / -25 / -40 BC808 -16 / -25 / -40 BC817 -16 / -25 / -40 BC818 -16 / -25 / -40 BC846 A / B BC847 A / B / C BC848 A / B / C BC849 A / B / C BC850 A / B / C BC856 A / B BC857 A / B / C BC858 A / B / C BC859 A / B / C BC860 A / B / C BC327 -16 / -25 / -40 BC328 -16 / -25 / -40 BC337 -16 / -25 / -40 BC338 -16 / -25 / -40 BC546 A / B BC547 A / B / C BC548 A / B / C BC549 B / C BC556 A / B BC557 A / B / C BC558 A / B / C BC559 B / C www.diotec.com Parameter Case Type IC [mA] VCEO [V] Gehäuse Typ -800 -45 SOT-23 PNP -800 -25 SOT-23 PNP 800 45 SOT-23 NPN 800 25 SOT-23 NPN 100 65 SOT-23 NPN 100 45 SOT-23 NPN 100 30 SOT-23 NPN 100 30 SOT-23 NPN 100 45 SOT-23 NPN -100 -65 SOT-23 PNP -100 -45 SOT-23 PNP -100 -30 SOT-23 PNP -100 -30 SOT-23 PNP -100 -45 SOT-23 PNP -800 -45 TO-92 PNP -800 -25 TO-92 PNP 800 45 TO-92 NPN 800 25 TO-92 NPN 100 65 TO-92 NPN 100 45 TO-92 NPN 100 30 TO-92 NPN 100 30 TO-92 NPN -100 65 TO-92 PNP -100 45 TO-92 PNP -100 30 TO-92 PNP -100 30 TO-92 PNP 1/4 complementary komplementär BC817 -16 / -25 / -40 BC818 -16 / -25 / -40 BC807 -16 / -25 / -40 BC808 -16 / -25 / -40 BC856 A / B BC857 A / B / C BC858 A / B / C BC859 A / B / C BC860 A / B / C BC846 A / B BC847 A / B / C BC848 A / B / C BC849 A / B / C BC850 A / B / C BC337 -16 / -25 / -40 BC338 -16 / -25 / -40 BC327 -16 / -25 / -40 BC328 -16 / -25 / -40 BC556 A / B BC557 A / B / C BC558 A / B / C BC559 B / C BC546 A / B BC547 A / B / C BC548 A / B / C BC549 B / C 03/2002 Application Applikation Basic Circuits a) Common Emitter b) Common Base c) Common Collector Grundschaltungen a) Emitterschaltung b) Basisschaltung c) Kollektorschaltung i2 i1 i2 i2 i1 i1 u2 u1 u2 u1 a) b) c) Eigenschaften Characteristics input impedance output impedance current gain h21 h21 frequency limit u2 u1 a) b) c) medium small high medium high small high <1 high low high low Eingangsimpedanz Ausgangsimpedanz Stromverstärkung h21 h21 Grenzfrequenz a) mittel b) c) klein groß mittel groß klein groß <1 groß niedrig hoch niedrig LF Four Pole Equivalent Circuit NF Vierpol-Ersatzschaltbild Low frequency transistors can be described by an active four pole network. Following equations are valid for small signal (AC) parameters: Niederfrequenz-Tranistoren können durch ein aktives Vierpol-Netzwerk beschrieben werden. Die folgenden Gleichungen gelten für Wechselstrom- (=Kleinsignal-) Größen: u1 = h11 × i1 + h12 × u2 i2 = h 21 × i1 + h22 × u2 Parameter: Parameter: Input impedance, output shorted (u2=0) h11 = u1 i1 Eingangsimpedanz, Ausgang kurzgeschlossen (u2=0) Reverse voltage transfer ratio open input (i1=0) h12 = u1 u2 Spannungsrückwirkung bei offenem Eingang (i1=0) Small signal current gain, output shorted (u2=0) h 21 = i2 i1 Kleinsignalstromverstärkung, Ausgang kurzgeschl. (u2=0) Output admittance, open input (i1=0) h 22 = i2 u2 Ausgangsleitwert bei offenem Eingang (i1=0) www.diotec.com 2/4 03/2002 Application Applikation Equivalent Circuit: Ersatzschaltbild: i1 RG i2 h11 h21@ i1 h22 u1 u2 h12@ u2 Calculation of a real transistor stage Input impedance Output impedance Berechnung der realen Transistorstufe ri = u1 h11 + R L × Dh = i1 1 + h 22 × R L Eingangsimpedanz ro = h11 + R G u2 = i2 Dh + h 22 × R G Ausgangsimpedanz gc = Current gain gv = Voltage gain RL i2 h 21 = i1 1 + h 22 × R L Stromverstärkung - h 21 × R L u2 = u1 h11 + R L × Dh Spannungsverstärkung 2 Power gain gp = p2 h 21 × R L = p1 (1 + h 22 × R L ) × (h11 + R L × Dh) Dh = h11 × h 22 - h12 × h 21 Definition ∆h Optimum power gain, input and output matched with RGopt and RLopt gp _ opt R Gopt = www.diotec.com æ h 21 =ç ç Dh + h × h 11 22 è h11 × Dh h 22 R Lopt = 3/4 Leistungsverstärkung Definition ∆h ö ÷ ÷ ø 2 h11 h 22 × Dh Optimale Leistungsverstärkung, Eingang und Ausgang angepasst mit RGopt and RLopt 03/2002 Application Applikation Datasheet Parameters Datenblattparameter In the datasheet the parameters are specified for the common emitter configuration at a given operating point (bias). The conversion for other configurations is shown below. Im Datenblatt werden die Parameter für die Emitterschaltung in einem bestimmten Arbeitspunkt angegeben. Die Umrechnung für andere Schaltungen ist unten angegeben. Common Emitter Base Emitter- Basis- hie 1 + h fe hic = hie Eingangsimpedanz hie × h oe - hre 1 + h fe hrc = 1 - hre Spannungsrückwirkung h fe 1 + h fe - h fc = 1 + h fe Kleinsignalstromverstärkung h oe 1 + h fe h oc = hoe Ausgangsleitwert Input impedance h11 hie Reverse voltage transfer ratio h12 hre Small signal current gain h21 hfe h fb = - Output admittance h22 hoe h ob = hib = hrb = hFE DC current gain in common emitter configuration Meaning of Subscripts: voltage between X and Y current from X to Y VXYZ IXYZ X, Y = B, C, E Z=O Z=S Z = sat at third connector -open -short at specified saturation conditions Collector Kollektor- Schaltung Kollektor-Basis-Gleichstromverhältnis in Emitterschaltung (Großsignalwert) Bedeutung der Indizes: Spannung zwischen X und Y Strom von X nach Y bei drittem Anschluss -offen -kurzgeschlossen bei gegebenen Bedingungen im Übersteuerungsbereich Gain bandwith product Product of hfe and frequency where hfe has been measured fT Transitfrequenz Produkt aus hfe und der Frequenz, bei der hfe bestimmt wurde Collector-Base capacitance (between C and B, E open) CCBO Kollektor-Basis Kapazität (zwischen C und B, E offen) Noise figure Given for a specified operating point, specified source resistance, specified frequency and frequency range, where: p2 F = 10 × lg dB gp × p1 Rauschzahl Angegeben für einen bestimmten Arbeitspunkt, einen bestimmten Generatorwiderstand, eine bestimmte Frequenz sowie einen Frequenzbereich. Mit: Total noise power at the output termination p2 Rauschleistung am Lastwiderstand Noise power at the signal source p1 Eingangsrauschleistung des Signalgenerators Equivalent Noise voltage uF Äquivalente Rauschspannung www.diotec.com 4/4 03/2002