コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM16604EA-S ■概要 ■特長 ELM16604EA-S は低入力容量、 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=20V Vds=-20V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=3.4A(Vgs=4.5V) ・ Rds(on) < 60mΩ(Vgs=4.5V) Id=-2.5A(Vgs=-4.5V) Rds(on) < 110mΩ(Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) < 75mΩ(Vgs=2.5V) Rds(on) < 140mΩ(Vgs=-2.5V) ・ Rds(on) < 100mΩ(Vgs=1.8V) Rds(on) < 200mΩ(Vgs=-1.8V) ■絶対最大定格値 項目 ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 連続ドレイン電流 Ta=25℃ Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 最大許容損失 記号 Vds N-ch (Max.) 20 Vgs ±8 ±8 V Id 3.4 2.7 -2.5 -2.0 A 1 15 1.15 0.73 -15 1.15 0.73 A 2 -55 ～ 150 -55 ～ 150 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 特に指定なき場合、 Ta=25℃ P-ch (Max.) 単位 備考 -20 V Pd Tj,Tstg W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 記号 t ≦ 10s 定常状態 最大接合部 - リード 最大接合部 - 周囲温度 定常状態 t ≦ 10s 最大接合部 - 周囲温度 定常状態 最大接合部 - リード 定常状態 チャンネル Rθja Rθjl Rθja Rθjl ■端子配列図 SOT-26(TOP VIEW) N-ch P-ch Typ. 78 106 Max. 110 150 単位 ℃/W ℃/W 備考 64 78 80 110 ℃/W ℃/W 3 106 150 ℃/W 64 80 ℃/W 1 1 3 ■回路 端子番号 端子記号 1 2 3 GATE1 SOURCE2 GATE2 4 5 6 DRAIN2 SOURCE1 DRAIN1 ・ N－ch ・ P－ch D1 G1 G2 S1 7- 1 D2 S2 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM16604EA-S ■電気特性 (N-ch) 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=16V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±8V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 Rds(on) Gfs Vsd Ciss 出力容量 帰還容量 Coss Crss ゲート抵抗 Rg スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 V 1 Ta=55℃ 5 nA 0.6 1.0 V A Vgs=2.5V, Id=3A 46 63 57 60 80 75 Vgs=1.8V, Id=2A Vds=5V, Id=3.4A Is=1A, Vgs=0V 72 10 0.76 100 Vgs=4.5V Id=3.4A Ta=125℃ 0.4 15 Is 436 Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Qgs Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=3.4A Qgd td(on) tr Vgs=5V, Vds=10V td(off) RL=3Ω, Rgen=3Ω tf trr Qrr μA 100 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 ゲート - ドレント電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 20 If=3.4A, dlf/dt=100A/μs If=3.4A, dlf/dt=100A/μs mΩ 1.00 S V 2 A 570 pF 66 44 pF pF 3 4 Ω 6.2 8.1 nC 1.6 0.5 5.5 nC nC ns 6.3 40.0 12.7 ns ns ns 12.3 3.5 16.0 ns nC 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 7- 2 コンプリメンタリーパワー MOSFET AO6604 ELM16604EA-S ■標準特性曲線 N-CHANNEL TYPICAL (N-ch) ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 16 10 8V Vds=5V 4.5V 8 2V 3V 2.5V 8 6 Id (A) Id (A) 12 4 Vgs=1.5V 4 125°C 2 25°C 0 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 1.5 2 2.5 1.8 Normalized On-Resistance Rds(on) (m� ) 100 Vgs=1.8V 80 Vgs=2.5V 60 40 Vgs=4.5V 20 0 4 8 Vgs=2.5V 1.6 Vgs=1.8V Id=3.4A 1.4 Vgs=4.5V 1.2 1 0.8 12 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 100 1E+01 90 1E+00 Id=3.4A 80 125°C 1E-01 70 Is (A) Rds(on) (m� ) 1 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 125°C 60 50 25°C 1E-03 25°C 40 1E-02 1E-04 30 1E-05 20 0 2 4 6 0.0 8 0.2 0.4 0.6 0.8 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7- 3 1.0 AO6604 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM16604EA-S N-CHANNEL TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 800 5 Vgs (Volts) Capacitance (pF) Vds=10V Id=3.4A 4 3 2 1 600 Ciss 400 Coss 200 0 0 0 2 4 6 0 8 10.0 15 Rds(on) limited 1.0 10�s 1ms 10ms 10s DC 10 0 0.001 0.1 1 Vds (Volts) 10 100 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=110°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 20 5 1s 0.1 15 Tj(max.)=150°C Ta=25°C 100�s 0.1s Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance 10 20 Tj(max.)=150°C Ta=25°C Power (W) 100.0 5 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Id (Amps) Crss In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7- 4 100 1000 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM16604EA-S ■電気特性 (P-ch) 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=-16V Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±8V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 ドレイン - ソースオン状態抵抗 200 Vsd Is=-1A, Vgs=0V 出力容量 帰還容量 Coss Crss ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 -0.30 -0.55 -1.00 -15 151 6 ダイオード順方向電圧 ゲート - ドレント電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ±100 Vgs=-2.5V, Id=-2A Gfs Ciss -5 110 145 140 順方向相互コンダクタンス ゲート抵抗 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Ta=55℃ 86 116 113 Vgs=-4.5V Id=-2.5A Vgs=-1.8V, Id=-1A Vds=-5V, Id=-3A 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 V -1 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V Rds(on) -20 Ta=125℃ 4 Rg Qg 540 Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=-4.5V, Vds=-10V Qgs Id=-2.5A Qgd td(on) tr Vgs=-4.5V, Vds=-10V td(off) RL=3.9Ω, Rgen=3Ω nA V A mΩ S -0.78 -1.00 Is μA V -2 A 700 pF 72 49 pF pF 12.0 15.6 Ω 6.1 8.0 nC 0.6 1.6 10 nC nC ns 12 ns 44 ns ns ns 寄生ダイオード逆回復時間 tf trr If=-2.5A, dlf/dt=100A/μs 22 21.0 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qrr If=-2.5A, dlf/dt=100A/μs 7.5 28.0 nC 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 7- 5 コンプリメンタリーパワー MOSFET AO6604 ELM16604EA-S ■標準特性曲線 (P-ch) P-CHANNEL TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 6 15 -4.5V -3.0V Vds=-5V -2.5V -8V 4 10 5 -Id (A) -Id (A) -2.0V 2 Vgs=-1.5V 125°C 25°C 0 0 0 1 2 3 4 -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 5 0 200 1 1.5 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 2 Normalized On-Resistance 1.8 Vgs=-1.8V Rds(on) (m� ) 0.5 150 Vgs=-2.5V 100 Vgs=-4.5V 50 Vgs=-2.5V Id=-2.5A 1.6 Vgs=-1.8V 1.4 Vgs=-4.5V 1.2 1 0.8 0 2 4 6 0 25 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1E+01 200 1E+00 1E-01 -Is (A) Rds(on) (m� ) Id=-2.5A 150 125°C 100 25°C 125°C 1E-02 25°C 1E-03 1E-04 1E-05 50 0 2 4 6 8 -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 1E-06 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7- 6 1.2 AO6604 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM16604EA-S P-CHANNEL TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 800 5 Vds=-10V Id=-2.5A Capacitance (pF) -Vgs (Volts) 4 3 2 1 0 0 2 4 6 Ciss 600 400 Crss 200 Coss 0 8 0 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 20 100�s 10.0 10�s 1ms Rds(on) limited 0.1s 10ms 10s DC 1 -Vds (Volts) 10 100 10 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 10 0 0.001 0.1 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=110°C/W Pd 0.1 0.01 0.00001 20 5 1s 1 15 Tj(max.)=150°C Ta=25°C 15 Power (W) -Id (Amps) Tj(max.)=150°C Ta=25°C 0.1 10 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 100.0 1.0 5 Ton Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7- 7 100 1000