コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM16601EA-S ■概要 ■特長 ELM16601EA-S は低入力容量、 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=30V Vds=-30V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=3.4A(Vgs=10V) ・ Rds(on) < 60mΩ(Vgs=10V) Id=-2.3A(Vgs=-10V) Rds(on) < 135mΩ(Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 75mΩ(Vgs=4.5V) Rds(on) < 185mΩ(Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) < 115mΩ(Vgs=2.5V) Rds(on) < 265mΩ(Vgs=-2.5V) ■絶対最大定格値 項目 ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 連続ドレイン電流 Ta=25℃ Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 最大許容損失 記号 Vds N-ch (Max.) 30 Vgs ±12 ±12 V Id 3.4 2.7 -2.3 -1.8 A 1 30 1.15 0.73 -30 1.15 0.73 A 2 -55 ～ 150 -55 ～ 150 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 特に指定なき場合、 Ta=25℃ P-ch (Max.) 単位 備考 -30 V Pd Tj,Tstg W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 記号 t ≦ 10s 定常状態 最大接合部 - リード 最大接合部 - 周囲温度 定常状態 t ≦ 10s 最大接合部 - 周囲温度 定常状態 最大接合部 - リード 定常状態 チャンネル Rθja Rθjl Rθja Rθjl ■端子配列図 SOT-26(TOP VIEW) N-ch P-ch Typ. 78 106 Max. 110 150 単位 ℃/W ℃/W 備考 64 78 80 110 ℃/W ℃/W 3 106 150 ℃/W 64 80 ℃/W 1 1 3 ■回路 端子番号 端子記号 1 2 3 GATE1 SOURCE2 GATE2 4 5 6 DRAIN2 SOURCE1 DRAIN1 ・ N－ch ・ P－ch D1 G1 G2 S1 7- 1 D2 S2 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM16601EA-S ■電気特性 (N-ch) 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V Idss Vds=24V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V オン状態ドレイン電流 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 Rds(on) Gfs Vsd Ciss 出力容量 帰還容量 Coss Crss ゲート抵抗 Rg スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 5 1.0 1.4 V A 60 Vgs=4.5V, Id=3A 50 75 60 Vgs=2.5V, Id=2A Vds=5V, Id=3A Is=1A, Vgs=0V 88 7.8 0.8 115 Ta=125℃ 0.6 10 Is Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Qgs Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=3A Qgd td(on) tr Vgs=10V, Vds=15V td(off) RL=5Ω, Rgen=6Ω tf trr Qrr μA nA Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 ゲート - ドレント電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 Ta=55℃ 100 Vgs=10V, Id=3A ドレイン - ソースオン状態抵抗 V 1 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 ゲート ・ スレッシュホールド電圧 30 If=3A, dlf/dt=100A/μs If=3A, dlf/dt=100A/μs 75 mΩ 1.0 S V 1.5 A 390.0 pF 54.5 41.0 pF pF 3 Ω 4.34 nC 1.38 0.60 4 nC nC ns 2 22 3 ns ns ns 11.0 5.5 ns nC 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 7- 2 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM16601EA-S AO6601 n-channel typical characteristics ■標準特性曲線 TYPICAL ELECTRICAL (N-ch) AND THERMAL CHARACTERISTICS 15 10 10V 3V Vds=5V 8 4.5V 25°C 9 Id (A) Id (A) 12 2.5V 6 3 125°C 6 4 2 Vgs=2V 0 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 150 1.5 2 2.5 3 3.5 Normalized On-Resistance 1.8 125 Rds(on) (m� ) 1 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics Vgs=2.5V 100 Vgs=4.5V 75 50 Vgs=10V 25 1.6 Vgs=4.5V Vgs=10V 1.4 1.2 Vgs=2.5V 1 0 0 2 4 6 8 0.8 10 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 200 1.0E+00 Id=2A 1.0E-01 100 Is (A) Rds(on) (m� ) 150 125°C 125°C 1.0E-02 1.0E-03 50 25°C 25°C 1.0E-04 1.0E-05 0 0 2 4 6 8 10 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage Alpha and Omega Semiconductor, Ltd. 7- 3 1.2 コンプリメンタリーパワー MOSFET AO6601 n-channel typical characteristics ELM16601EA-S TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 5 500 Capacitance (pF) 4 Vgs (Volts) 600 Vds=15V Id=3.4A 3 2 1 Ciss 400 300 200 0 0 1 2 3 4 5 0 6 0 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Rds(on) limited 100�s 1ms 10s DC 1 Vds (Volts) 10 100 30 10 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=110°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z �ja Normalized Transient Thermal Resistance 25 Tj(max.)=150°C Ta=25°C 0 0.001 0.1 10 20 5 1s 0.1 15 15 10�s 0.1s 10ms 1.0 10 20 Tj(max.)=150°C Ta=25°C 10.0 5 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) Id (Amps) 100.0 Crss Coss 100 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton T Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7- 4 100 1000 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM16601EA-S ■電気特性 (P-ch) 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V Idss Vds=-24V Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V オン状態ドレイン電流 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 Rds(on) Gfs Vsd 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 Ciss 出力容量 帰還容量 Coss Crss ゲート抵抗 Rg スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg ゲート - ドレント電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 Ta=55℃ Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V Vgs=-10V Id=-2.3A V -1 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 ゲート ・ スレッシュホールド電圧 -30 -5 -0.6 -10 ±100 nA -1.0 -1.4 V A 107 135 135 185 Ta=125℃ Vgs=-4.5V, Id=-2A Vgs=-2.5V, Id=-1A Vds=-5V, Id=-2.3A Is=-1A, Vgs=0V mΩ 195 265 8 -0.85 -1.00 S V -1.35 A Is 409 pF Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz 55 42 pF pF Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 12 Ω 4.80 nC 1.34 0.72 13 nC nC ns 10 28 13 ns ns ns 26.0 15.6 ns nC Vgs=-4.5V, Vds=-15V Qgs Id=-2.5A Qgd td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V td(off) RL=6Ω, Rgen=6Ω tf trr Qrr μA If=-2.5A, dlf/dt=100A/μs If=-2.5A, dlf/dt=100A/μs 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 7- 5 コンプリメンタリーパワー MOSFET AO6601, AO6601L ELM16601EA-S ■標準特性曲線 P-CHANNEL: TYPICAL(P-ch) ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 10 20 -5V -10V 8 25°C -4V Vgs=-3.5V -Id (A) -Id (A) 15 Vds=-5V -4.5V 10 -3V 6 125°C 4 -2.5V 5 2 -2V 0 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 250 1.5 2 2.5 3 3.5 4 1.6 225 Normalized On-Resistance Vgs=-2.5V 200 Rds(on) (m� ) 1 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 175 150 Vgs=-4.5V 125 100 Vgs=-10V 75 Vgs=-4.5V, Vgs=-10V 1.4 Vgs=-2.5V 1.2 Id=-2A 1 50 0 1 2 3 4 5 0.8 6 0 350 1.0E+01 300 1.0E+00 Id=-2A 250 200 1.0E-01 125°C 150 100 0 1.0E-06 6 8 100 125 150 175 125°C 1.0E-03 1.0E-05 4 75 1.0E-02 50 2 50 25°C 1.0E-04 25°C 0 25 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature -Is (A) Rds(on) (m� ) -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 10 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage Alpha and Omega Semiconductor, Ltd. 7- 6 1.2 コンプリメンタリーパワー MOSFET AO6601 p-channel typical characteristics ELM16601EA-S TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 5 500 Capacitance (pF) 4 -Vgs (Volts) 600 Vds=-15V Id=-2.0A 3 2 1 400 Ciss 300 200 0 0 1 2 3 4 5 0 6 0 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 1ms 0.1s 10ms 1.0 10s 1 DC Z �ja Normalized Transient Thermal Resistance 25 30 Tj(max.)=150°C Ta=25°C 10 0 0.001 -Vds (Volts) 10 100 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=110°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 20 5 0.1 0.1 15 15 Power (W) -Id (Amps) 10�s 100�s 1s 10 20 Tj(max.)=150°C Ta=25°C Rds(on) limited 5 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 100.0 10.0 Crss Coss 100 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton T Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7- 7 100 1000