日本語版

正誤表
この製品の日本語版データシートに間違いがありましたので、お詫びして訂正いたします。
この正誤表は、
2015 年
5月
12 日現在、アナログ・デバイセズ株式会社で確認した
誤りを記したものです。
正誤表作成年月日：
2015 年
5月
12 日
製品名：AD822
対象となるデータシートのリビジョン(Rev)：Rev.A
訂正箇所：
【電源電圧範囲】
日本語版データシート（Rev.A） P.1 の入力電圧範囲が、英語版データシート(Rev.I)では、変更がご
ざいます。
・日本語版データシート（Rev.A）
・英語版データシート（Rev.I）
上記の変更に伴い、下記についても変更がございます。
・日本語版データシート（Rev.A） P.5 の Vs=3V の仕様データの削除
・日本語版データシート（Rev.A） P.16 図 46「3V 単電源動作のステレオ・ヘッドフォン・ドライバ」
の記述の削除
・その他、単電源 3V～36V、両電源+/-1.5V～+/-18V に関わる記述の変更
【S grade(軍用製品)の廃止】
AD822S(軍用 S grade)品が廃止されております。
本
社／〒105-6891 東京都港区海岸 1-16-1 ニューピア竹
芝サウスタワービル
電話 03（5402）8200
大阪営業所／〒532-0003 大阪府大阪市淀川区宮原 3-5-36 新大
阪 MT ビル 2 号
電話 06（6350）6868
単電源、電源電位振幅出力型
ローパワーFET入力デュアル・オペアンプ
AD822
特長
接続図
8ピン・プラスチックDIP、サーディップ、SOIC
単電源動作
電源電位振幅出力
GND以下までの広い入力電圧範囲
単電源動作：＋3∼＋36 V
デュアル電源動作：±1.5∼±18 V
高い負荷駆動能力
350 pFの容量性負荷を駆動（G=1）
最小出力電流：15 mA
ローパワーで優れたAC性能
可能です。入力電圧範囲が負電源レール以下まで拡張可能な真の単
無負荷時電源電流：800μA max（アンプ１個当り）
電源動作能力によってAD822は単電源モードでグラウンド以下の入
ユニティ・ゲイン帯域幅：1.8 MHz
力信号に対応できます。出力電圧振幅は各電源レールの10 mV以内
スルーレート：3.0 V/μs
までが可能で、最大限の出力ダイナミック・レンジが得られます。
優れたDC性能
1 GΩまでの信号源インピーダンスで、800μV maxのオフセット
入力オフセット電圧：800μV max
電圧、2μV/℃のオフセット電圧ドリフト、25 pA以下の入力バイア
オフセット電圧ドリフト：2μV/℃ typ
ス電流、低い入力電圧ノイズなどの優れたDC特性が保証されてい
入力バイアス電流：25 pA max
ます。また1.8 MHzのユニティ・ゲイン帯域幅、−93 dBのTHD（10
低ノイズ：13 nV/√Hz（10 kHz）
kHz）、3 V/μsのスルーレートなど優れたAC特性を800μA（アンプ
位相の反転なし
1個当り）
の低い電源電流で実現しています。AD822はフォロアとし
て350 pFまでの容量性負荷を直接駆動し、最小の出力電流が15 mA
アプリケーション
です。これにより幅広い負荷条件に対応できます。このように優れ
バッテリ動作の高精度計測機器
たAC/DC特性に加えて優れた負荷駆動能力を備えていることで、
単
フォトダイオード・プリアンプ
電源応用で幅広く使用することができます。
アクティブ・フィルタ
12∼14ビットのデータ収集システム
AD822には性能別に４つのグレードがあります。Ａ、Ｂグレード
は−40∼＋85℃の産業用温度範囲で仕様が規定されています。3 V
医療用計装
動作グレードAD822A-3 V（−40∼＋85℃の温度範囲）も用意してい
ローパワー・リファレンス／レギュレータ
ます。軍用グレードは−55∼＋125℃の軍用温度範囲で仕様が規定
され、軍用規格に基づく処理が施されます。
概要
パッケージは8ピン・パッケージを3種類（プラスチックDIP、ハー
AD822はデュアル高精度、ローパワーFET入力オペアンプで、＋
3.0∼＋36 Vの単電源動作または±1.5∼±18 Vのデュアル電源動作が
メチック・サーディップ、SOIC）用意しており、チップでの供給も
可能です。
ゲイン2のアンプ構成（VS＝＋5、0、VIN＝2.5 V正弦波、1.25 V
入力電圧ノイズの周波数特性
センター、RL＝100 kΩ）
アナログ・デバイセズ社が提供する情報は正確で信頼できるものを期していますが、
当社はその情報の利用、また利用したことにより引き起こされる第3者の特許または権
利の侵害に関して一切の責任を負いません。さらにアナログ・デバイセズ社の特許また
は特許の権利の使用を許諾するものでもありません。
REV.A
アナログ・デバイセズ株式会社
本 社／東京都港区海岸１ - １ ６ - １ 電話03（5402）8200 〒105−6891
ニューピア竹芝サウスタワービル
大阪営業所／大阪市淀川区宮原３ - ５ - ３ ６ 電話06（6350）6868㈹ 〒532−0003
新大阪第２森ビル
AD822―仕様
（VS＝0、5 V。特に指定のない限り、TA＝＋25℃、VCM＝0 V、VOUT＝0.2 V）
パラメータ
DC特性
初期オフセット
最大オフセット（対温度）
オフセット・ドリフト
入力バイアス電流
TMAX時
入力オフセット電流
TMAX時
オープン・ループ・ゲイン
条件
VO＝0.2 V ∼ 4 V
RL＝100 k
RL＝10 k
TMIN ∼ TMAX
RL＝1 k
TMIN ∼ TMAX
ダイナミック特性
ユニティ・ゲイン周波数
フルパワー応答
スルーレート
セトリング時間
0.1％
0.01％
マッチング特性
初期オフセット
最大オフセット（対温度）
オフセット・ドリフト
入力バイアス電流
クロストーク@ f＝1 kHz
f＝100 kHz
入力特性
同相電圧範囲2
TMIN ∼ TMAX
CMRR
TMIN ∼ TMAX
入力インピーダンス
差動
同相
出力特性
出力飽和電圧3
VOL−VEE
TMIN ∼ TMAX
VCC−VOH
TMIN ∼ TMAX
VOL−VEE
TMIN ∼ TMAX
VCC−VOH
TMIN ∼ TMAX
VOL−VEE
TMIN ∼ TMAX
VCC−VOH
TMIN ∼ TMAX
動作出力電流
TMIN ∼ TMAX
容量性負荷駆動
電源
無負荷時電源電流、
TMIN ∼ TMAX
電源変動除去比
TMIN ∼ TMAX
0.1
0.5
2
2
0.5
2
0.5
VCM＝0 V ∼ 4 V
TMIN ∼ TMAX
ノイズ/高調波特性
入力電圧ノイズ
0.1 ∼ 10 Hz
f＝10 Hz
f＝100 Hz
f＝1 kHz
f＝10 kHz
入力電流ノイズ
0.1 ∼ 10 Hz
f＝1 kHz
高調波歪み
f＝10 kHz
AD822A
Min
Typ
Max
500
400
80
80
15
10
RL＝10 k
（2.5 V）
VO＝0.25 V ∼ 4.75 V
VOP−P＝4.5 V
VO＝0.2 V ∼ 4.5 V
AD822B
Min
Typ
Max
0.8
1.2
0.1
0.5
2
2
0.5
2
0.5
25
5
20
1000
500
400
80
80
15
10
150
30
10
2.5
10
500
1000
150
80
150
30
15
30
0.8
25
20
mV
mV
μV/℃
pA
nA
pA
nA
V/mV
V/mV
V/mV
V/mV
V/mV
V/mV
2
25
21
16
13
2
25
21
16
13
μVP−P
nV/√Hz
nV/√Hz
nV/√Hz
nV/√Hz
18
0.8
18
0.8
18
0.8
fAP−P
fA/√Hz
−93
−93
−93
dB
1.8
210
3
1.8
210
3
1.8
210
3
MHz
kHz
V/μs
1.4
1.8
1.4
1.8
1.4
1.8
μs
μs
0.5
1.3
1.6
3
20
VCM＝0V∼＋2 V
0.1
0.5
2
2
0.5
2
1.5
単位
2
25
21
16
13
3
10
−130
−93
−0.2
−0.2
66
66
0.4
0.9
1000
1.0
1.6
RL＝5 kΩ
AD822S1
Min
Typ
Max
20
−130
−93
4
4
80
−0.2
−0.2
69
66
−130
−93
4
4
80
−0.2
66
4
80
mV
mV
μV/℃
pA
dB
dB
V
V
dB
dB
1013‖0.5
1013‖2.8
1013‖0.5
1013‖2.8
1013‖0.5
1013‖2.8
Ω‖pF
Ω‖pF
ISINK＝20μA
5
5
5
7
ISOURCE＝20μA
10
10
14
ISINK＝2 mA
40
40
55
ISOURCE＝2 mA
80
80
110
ISINK＝15 mA
300
300
500
ISOURCE＝15 mA
800
800
1500
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mA
mA
pF
7
10
14
20
55
80
110
160
500
1000
1500
1900
15
12
10
40
80
300
800
15
12
350
VS＋＝5 V ∼ 15 V
70
70
7
10
14
20
55
80
110
160
500
1000
1500
1900
1.24
80
−2−
15
350
1.6
66
66
1.24
80
350
1.6
70
1.24
80
mA
dB
dB
REV.A
AD822
（VS＝±5 V。特に指定のない限り、TA＝＋25℃、VCM＝0 V、VOUT＝0V ）
パラメータ
DC特性
初期オフセット
最大オフセット（対温度）
オフセット・ドリフト
入力バイアス電流
TMAX時
入力オフセット電流
TMAX時
オープン・ループ・ゲイン
条件
VO＝−4 V ∼ 4 V
RL＝100k
RL＝10k
TMIN ∼ TMAX
RL＝1k
TMIN ∼ TMAX
ダイナミック特性
ユニティ・ゲイン周波数
フルパワー応答
スルーレート
セトリング時間
0.1％
0.01％
マッチング特性
初期オフセット
最大オフセット（対温度）
オフセット・ドリフト
入力バイアス電流
クロストーク@ f＝1 kHz
f＝100 kHz
入力特性
同相電圧範囲2
TMIN ∼ TMAX
CMRR
TMIN ∼ TMAX
入力インピーダンス
差動
同相
出力特性
出力飽和電圧3
VOL−VEE
TMIN ∼ TMAX
VCC−VOH
TMIN ∼ TMAX
VOL−VEE
TMIN ∼ TMAX
VCC−VOH
TMIN ∼ TMAX
VOL−VEE
TMIN ∼ TMAX
VCC−VOH
TMIN ∼ TMAX
動作出力電流
TMIN ∼ TMAX
容量性負荷駆動
電源
無負荷時電源電流、TMIN ∼ TMAX
電源変動除去比
TMIN ∼ TMAX
REV.A
0.1
0.5
2
2
0.5
2
0.5
VCM＝−5 V ∼ 4 V
TMIN ∼ TMAX
ノイズ/高調波特性
入力電圧ノイズ
0.1 ∼ 10 Hz
f＝10 Hz
f＝100 Hz
f＝1 kHz
f＝10 kHz
入力電流ノイズ
0.1 ∼ 10 Hz
f＝1 kHz
高調波歪み
f＝10 kHz
AD822A
Min
Typ
Max
400
400
80
80
20
10
RL＝10 k
VO＝±4.5 V
VOP−P＝9 V
VO＝0 V ∼ ±4.5 V
AD822B
Min
Typ
Max
0.8
1.5
0.1
0.5
2
2
0.5
2
0.5
25
5
20
1000
400
400
80
80
20
10
150
30
10
2.5
10
400
1000
150
80
150
30
20
30
25
mV
mV
μV/℃
pA
nA
pA
nA
V/mV
V/mV
V/mV
V/mV
V/mV
V/mV
2
25
21
16
13
2
25
21
16
13
μVP−P
nV/√Hz
nV/√Hz
nV/√Hz
nV/√Hz
18
0.8
18
0.8
18
0.8
fAP−P
fA/√Hz
−93
−93
−93
dB
1.9
105
3
1.9
105
3
1.9
105
3
MHz
kHz
V/μs
1.4
1.8
1.4
1.8
1.4
1.8
μs
μs
0.5
2
1.6
2
3
25
VCM＝−5 V ∼ ＋2 V
0.1
0.5
2
2
0.5
2
1.5
単位
2
25
21
16
13
3
10
−130
−93
−5.2
−5.2
66
66
0.4
1
1000
1.0
3
RL＝5 kΩ
AD822S1
Min
Typ
Max
25
−130
−93
4
4
80
−5.2
−5.2
69
66
−130
−93
4
4
80
−5.2
66
4
80
mV
mV
μV/℃
pA
dB
dB
V
V
dB
dB
1013‖0.5
1013‖2.8
1013‖0.5
1013‖2.8
1013‖0.5
1013‖2.8
Ω‖pF
Ω‖pF
ISINK＝20μA
5
5
5
7
ISOURCE＝20μA
10
10
14
ISINK＝2 mA
40
40
55
ISOURCE＝2 mA
80
80
110
ISINK＝15 mA
300
300
500
ISOURCE＝15 mA
800
800
1500
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mA
mA
pF
7
10
14
20
55
80
110
160
500
1000
1500
1900
15
12
10
40
80
300
800
15
12
350
VS＋＝5 V ∼ 15 V
70
70
7
10
14
20
55
80
110
160
500
1000
1500
1900
1.3
80
−3−
15
350
1.6
66
66
1.3
80
350
1.6
70
1.3
80
mA
dB
dB
AD822―仕様
（VS＝±15 V。特に指定のない限り、TA＝＋25℃、VCM＝0 V、VOUT＝0 V）
パラメータ
DC特性
初期オフセット
最大オフセット（対温度）
オフセット・ドリフト
入力バイアス電流
TMAX時
入力オフセット電流
TMAX時
オープン・ループ・ゲイン
条件
VO＝＋10 V ∼ −10 V
RL＝100 k
RL＝10 k
TMIN ∼ TMAX
RL＝1 k
TMIN ∼ TMAX
ダイナミック特性
ユニティ・ゲイン周波数
フルパワー応答
スルーレート
セトリング時間
0.1％
0.01％
マッチング特性
初期オフセット
最大オフセット（対温度）
オフセット・ドリフト
入力バイアス電流
クロストーク@ f＝1 kHz
f＝100 kHz
入力特性
同相電圧範囲2
TMIN ∼ TMAX
CMRR
TMIN ∼ TMAX
入力インピーダンス
差動
同相
出力特性
出力飽和電圧3
VOL−VEE
TMIN ∼ TMAX
VCC−VOH
TMIN ∼ TMAX
VOL−VEE
TMIN ∼ TMAX
VCC−VOH
TMIN ∼ TMAX
VOL−VEE
TMIN ∼ TMAX
VCC−VOH
TMIN ∼ TMAX
動作出力電流
TMIN ∼ TMAX
容量性負荷駆動
電源
無負荷時電源電流、TMIN ∼ TMAX
電源変動除去比
TMIN ∼ TMAX
0.4
0.5
2
2
40
0.5
2
0.5
VCM＝0 V
VCM＝−10 V
VCM＝0 V
TMIN ∼ TMAX
ノイズ/高調波特性
入力電圧ノイズ
0.1 ∼ 10 Hz
f＝10 Hz
f＝100 Hz
f＝1 kHz
f＝10 kHz
入力電流ノイズ
0.1 ∼ 10 Hz
f＝1 kHz
高調波歪み
f＝10 kHz
AD822A
Min
Typ
Max
500
500
100
100
30
20
RL＝10 k
VO＝±10 V
VOP−P＝20 V
VO＝0V ∼ ±10 V
AD822B
Min
Typ
Max
2
3
0.3
0.5
2
2
40
0.5
2
0.5
25
5
20
2000
500
500
100
100
30
20
500
45
0.4
0.5
2
2
40
0.5
2
1.5
12
2.5
12
500
2000
500
150
400
45
30
45
2.0
25
20
単位
mV
mV
μV/℃
pA
pA
nA
pA
nA
V/mV
V/mV
V/mV
V/mV
V/mV
V/mV
2
25
21
16
13
2
25
21
16
13
2
25
21
16
13
μVP−P
nV/√Hz
nV/√Hz
nV/√Hz
nV/√Hz
18
0.8
18
0.8
18
0.8
fAP−P
fA/√Hz
−85
−85
−85
dB
1.9
45
3
1.9
45
3
1.9
45
3
MHz
kHz
V/μs
4.1
4.5
4.1
4.5
4.1
4.5
μs
μs
2
2.5
3
12
−130
−93
−15.2
−15.2
70
80
70
0.8
1.0
3
25
VCM＝−15 V ∼ 12 V
1.5
2.5
2000
3
4
RL＝5 kΩ
AD822S1
Min
Typ
Max
25
−130
−93
14
14
−15.2
−15.2
74
90
74
−130
−93
14
14
−15.2
70
14
90
mV
mV
μV/℃
pA
dB
dB
V
V
dB
dB
1013‖0.5
1013‖2.8
1013‖0.5
1013‖2.8
1013‖0.5
1013‖2.8
Ω‖pF
Ω‖pF
ISINK＝20μA
5
5
5
7
ISOURCE＝20μA
10
10
14
ISINK＝2 mA
40
40
55
ISOURCE＝2 mA
80
80
110
ISINK＝15 mA
300
300
500
ISOURCE＝15 mA
800
800
1500
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mA
mA
pF
7
10
14
20
55
80
110
160
500
1000
1500
1900
20
15
10
40
80
300
800
20
15
350
VS＋＝5 V ∼ 15 V
70
70
7
10
14
20
55
80
110
160
500
1000
1500
1900
1.4
80
−4−
20
350
1.8
70
70
1.4
80
350
1.8
70
1.4
80
mA
dB
dB
REV.A
AD822
（VS＝0、3 V。特に指定のない限り、TA＝＋25℃、VCM＝0 V、VOUT＝0.2 V）
パラメータ
DC特性
初期オフセット
最大オフセット（対温度）
オフセット・ドリフト
入力バイアス電流
TMAX時
入力オフセット電流
TMAX時
オープン・ループ・ゲイン
条件
Min
0.2
0.5
1
2
0.5
2
0.5
VCM＝0 V ∼ ＋2 V
VO＝0.2 V ∼ 2 V
RL＝100 k
300
300
60
60
10
8
TMIN ∼ TMAX
RL＝10 k
TMIN ∼ TMAX
RL＝1 k
TMIN ∼ TMAX
ノイズ/高調波特性
入力電圧ノイズ
0.1 ∼ 10 Hz
f＝10 Hz
f＝100 Hz
f＝1 kHz
f＝10 kHz
入力電流ノイズ
0.1 ∼ 10 Hz
f＝1 kHz
高調波歪み
f＝10 kHz
ダイナミック特性
ユニティ・ゲイン周波数
フルパワー応答
スルーレート
セトリング時間
0.1％
0.01％
マッチング特性
初期オフセット
最大オフセット（対温度）
オフセット・ドリフト
入力バイアス電流
クロストーク@ f＝1 kHz
f＝100 kHz
入力特性
同相電圧範囲2
TMIN ∼ TMAX
CMRR
TMIN ∼ TMAX
入力インピーダンス
差動
同相
出力特性
出力飽和電圧3
VOL−VEE
TMIN ∼ TMAX
VCC−VOH
TMIN ∼ TMAX
VOL−VEE
TMIN ∼ TMAX
VCC−VOH
TMIN ∼ TMAX
VOL−VEE
TMIN ∼ TMAX
VCC ∼ VOH
TMIN ∼ TMAX
動作出力電流
TMIN ∼ TMAX
容量性負荷駆動
電源
無負荷時電源電流、TMIN ∼ TMAX
電源変動除去比
TMIN ∼ TMAX
REV.A
AD822A-3 V
Typ
RL＝10 k
（1.5 V）
VO＝±1.25 V
VOP−P＝2.5 V
VOUT＝0.2 V ∼ 2.5 V
Max
単位
1
1.5
mV
mV
μV/℃
pA
nA
pA
nA
25
5
20
1000
V/mV
V/mV
V/mV
V/mV
V/mV
V/mV
150
30
2
25
21
16
13
μVP−P
nV/√Hz
nV/√Hz
nV/√Hz
nV/√Hz
18
0.8
fAP−P
fA/√Hz
−92
dB
1.5
240
3
MHz
kHz
V/μs
1
1.4
μs
μs
1
2
2
10
RL＝5 kΩ
−130
−93
−0.2
−0.2
60
60
VCM＝0 V ∼ ＋1 V
2
2
74
1013‖0.5
1013‖2.8
ISINK＝20μA
5
ISOURCE＝20μA
10
ISINK＝2 mA
40
ISOURCE＝2 mA
80
ISINK＝10 mA
200
ISOURCE＝10 mA
500
7
10
14
20
55
80
110
160
400
400
1000
1000
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mA
mA
pF
1.6
mA
dB
dB
350
70
70
−5−
1.24
80
V
V
dB
dB
Ω‖pF
Ω‖pF
15
12
VS＋＝3 V ∼ 15 V
mV
mV
μV/℃
pA
dB
dB
AD822―仕様
注
1
2
3
883B仕様については標準の軍用規格を参照してください。
これは関数的な仕様で、入力同相電圧を（＋VS−1 V）から＋VSの範囲で駆動するとアンプの帯域幅は減少します。同相電圧を正電源から1 V下にした状態での同相誤差電圧の代表値は5 mV以下
です。
VOL−VEEは可能な限り最小の出力電圧（VOL）と負の電圧電源レール（VEE）との差です。VCC−VOHは可能な限り最高の出力電圧（VOH）と正の電源電圧（VCC）との差です。
仕様は予告なしに変更することがあります。
注意
ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイスです。4000 Vもの高圧の静電気が人体やテスト装置に容易に帯電し、検知さ
れることなく放電されることもあります。このAD822には当社独自のESD保護回路を備えていますが、高エネルギーの静
電放電にさらされたデバイスには回復不能な損傷が残ることもあります。したがって、性能低下や機能喪失を避けるため
に、適切なESD予防措置をとるようお奨めします。
絶対最大定格1
WARNING!
ESD SENSITIVE DEVICE
最大消費電力
電源電圧 ……………………………………………………… ±18 V
内部消費電力
AD822の安全電力消費の最大値はジャンクション温度の上昇に
よって制限されます。プラスチック・パッケージの最大安全ジャン
プラスチックDIP（N）……………
ディレーティング図を参照
クション温度は145℃で、
サーディップ・パッケージでは175℃です。
サーディップ（Q） ………………
ディレーティング図を参照
瞬間的にこの最大値を超えた場合、
チップ温度が下ると直ちに回路
SOIC（R） …………………………
ディレーティング図を参照
の動作は正常に戻ります。
長い間デバイスを過熱状態に放置してお
入力電圧 ………………………… （＋VS＋0.2 V）∼ −（20 V＋VS）
くとバーンアウトを起こす可能性があります。
正常動作を維持する
出力短絡期間
………………………………………………
ためには図24に示す特性図に準拠することが重要です。
差動入力電圧
無制限
………………………………………………… ±30 V
AD822では短絡保護回路が内蔵されていますが、
あらゆる条件下
保管温度範囲（N） ………………………………… −65 ∼ ＋125℃
で最大ジャンクション温度を超えないことを保証する上では十分と
（Q） ………………………………… −65 ∼ ＋150℃
はいえません。＋25℃またはそれ以下の周囲温度で±12 V（または
（R） ………………………………… −65 ∼ ＋150℃
それ以下）
の電源を使用するときに出力ノードが電源レールに短絡
動作温度範囲
する場合、この状態が長い間続いたとしてもアンプは破壊しませ
AD822A/B ………………………………………… −40 ∼ ＋85℃
ん。
AD822S …………………………………………… −55 ∼ ＋125℃
オーダー・ガイド
リード温度
（ハンダ付け、60秒）……………………………………… ＋260℃
注
1
“絶対最大定格”を超えるストレスはデバイスに永久破壊をもたらすことがあります。こ
の定格はデバイスの単なるストレスの度合であり、基本的な動作あるいは動作の項に示す
他の条件においてこの定格は考慮されていません。デバイスをある項目についての絶対
最大定格の状態に長時間さらすとデバイスの信頼性について影響を与えます。
2
8ピン・プラスチックDIP：θJA＝90℃/W
8ピン・サーディップ：θJA＝110℃/W
8ピンSOIC：θJA＝160℃/W
モデル★
温度範囲
パッケージ
AD822AN
AD822BN
AD822AR
AD822BR
AD822AR-3 V
AD822AN-3 V
AD822Aチップ
標準の軍用規格★★
AD822
−40 ∼ ＋85℃
−40 ∼ ＋85℃
−40 ∼ ＋85℃
−40 ∼ ＋85℃
−40 ∼ ＋85℃
−40 ∼ ＋85℃
−40 ∼ ＋85℃
8ピン・プラスチック・ミニDIP
8ピン・プラスチック・ミニDIP
8ピンSOIC
8ピンSOIC
8ピンSOIC
8ピン・プラスチック・ミニDIP
ダイ
★
★★
−55 ∼ ＋125 ℃ 8ピン・サーディップ
パッケージ・
オプション
N-8
N-8
R-8
R-8
R-8
N-8
Q-8
Spiceモデルを用意しています。
お問合わせください。
メタライゼーション写真
最新のサイズについてはお問合わせください。単位はインチ（mm）。
−6−
REV.A
AD822
代表特性―AD822
図1．オフセット電圧の代表分布（390個）
図4． 入力バイアス電流と同相電圧
（VS＝＋5 V、0 VおよびVS＝±5 V）
REV.A
図2．オフセット電圧ドリフトの代表分布（100個）
図5．入力バイアス電流と同相電圧（VS＝±15 V）
図3．入力バイアス電流の代表分布（213個）
図6．入力バイアス電流の温度特性（VS＝＋5 V、VCM＝0）
−7−
AD822―代表特性
図7．オープン・ループ・ゲインと負荷抵抗
図10． 各種抵抗性負荷値での入力誤差電圧と各電源レール
の300 mV以内の出力電圧の関係（VS＝±5 V）
図8．オープン・ループ・ゲインの温度特性
図11．入力電圧ノイズの周波数特性
図9．抵抗性負荷に対する入力誤差電圧と出力電圧の関係
図12．全高調波歪みの周波数特性
−8−
REV.A
AD822
図13．オープン・ループ・ゲインと位相マージンの周波数特性
図16．同相除去比の周波数特性
図14．出力インピーダンスの周波数特性
図17．絶対同相誤差と電源レールからの同相電圧（VS−VCM）
図15．出力振幅および誤差とセトリング時間
図18．出力飽和電圧と負荷電流
REV.A
−9−
AD822―代表特性
図19．出力飽和電圧の温度特性
図22．電源変動除去比の周波数特性
図20．短絡電流制限値の温度特性
図23．大信号周波数応答
図21．無負荷時電源電流、電源電圧、温度の関係
図24． 最大消費電力の温度特性
（プラスチック/ハーメチック・パッケージ）
− 10 −
REV.A
AD822
図25．クロストークの周波数特性
図28．クロストーク試験回路
図26．ユニティ・ゲイン・フォロア
図29． ユニティ・ゲイン・フォロアの大信号応答
（VS＝±15 V、RL＝10 kΩ）
図27． 20 VP−P、25 kHz正弦波入力、ユニティ・ゲイン・フォロア
（RL＝600Ω、VS＝±15 V）
REV.A
図30． ユニティ・ゲイン・フォロアの小信号応答
（VS＝±15 V、RL＝10 kΩ）
− 11 −
AD822
図31． ユニティ・ゲイン・フォロアの応答
図34． ユニティ・ゲイン・フォロアの応答
（0∼4 Vステップ）
、VS＝＋5 V、0 V
（0∼5 Vステップ）
、VS＝＋5 V、0 V
図32．ユニティ・ゲイン・フォロア
図35． ユニティ・ゲイン・フォロアの応答
（40 mVステップ、グラウンド＋40 mVセンター、
RL＝10 kΩ）、VS＝＋5 V、0 V
図33．ゲイン2の反転回路
図36． ゲイン2の反転応答
（20 mVステップ、グラウンド−20 mVセンター、
RL＝10 kΩ）、VS＝＋5 V、0 V
− 12 −
REV.A
AD822
図37． ゲイン2の反転応答
（2.5 Vステップ、グラウンド−1.25 Vセンター、
RL＝10 kΩ）、VS＝＋5 V、0 V
図39．（a）RP＝0、VIN＝0∼＋VSでの応答
（b）VIN＝0∼＋VS＋200 mV
図38． ゲイン2の反転応答、VS＝＋3 V、0 V、VIN＝1.25 V、
VOUT＝0∼＋VS
25 kHz正弦波、−0.75 Vセンター、RL＝600Ω
RP＝49.9 kΩ
AD822の使用について
入力電圧が正電源を300 mV以上超える可能性があるとき、
あるい
入力特性
は±VS＝0時に入力電圧をAD822に印加するときには、
AD822の入力
AD822ではnチャネルJFETを使用して低オフセット、
低ノイズ、高
に直列に電流制限抵抗を接続する必要があります。
上述の状態に10
インピーダンスの入力段を構成しています。
最小の入力同相電圧は
秒以上の間、放電していると、AD822は故障してしまいます。1 kΩ
負電源の0.2V以下から正電源の1 V以下までとなっています。入力
抵抗の使用によって10 Vまでの連続過電圧にも耐えることができま
電圧を正の電源レールの近くに駆動すると、
アンプの帯域幅に悪影
す。この場合、入力電圧ノイズが増加しますが、この影響は無視で
響を与え
（図31と34の大信号応答の比較で明らかなように）、
図17に
きるレベルです。
示すように同相電圧誤差が増加する原因になります。
−VS以下の入力電圧の場合はまったく異なります。
正電源から入
AD822では＋VSまで、または＋VSを含む入力電圧に対して位相の
力端子までのトータル電圧が36 V以下である限り、AD822はマイナ
反転がありません。0∼＋5 V（＋VS）の正弦波入力でのAD822の電圧
ス電源電圧から20 V以下の入力電圧に安全に対応することができま
フォロアとしての応答を図39aに示します。入力と出力は重畳され
す。さらに、入力段はその入力電圧範囲でpAレベルの入力電流を維
ています。
出力は位相の反転なしに＋VSまでの入力にトラッキング
持します。
します。
4 Vを超える入力で帯域幅を落とすと、
出力波形がラウンド
AD822は13 nV/√Hzの広帯域入力電圧ノイズを特長とし、
低い周波
する原因となります。入力電圧が＋VSを超えるときには、AD822の
数に対して低いノイズ性能を維持します（図11を参照）。このノイ
非反転入力に抵抗を直列に接続することで位相の反転を防ぎます
ズ性能、および低い入力電流と電流ノイズという特長により、10 k
が、入力電圧ノイズが増加してしまいます。この状態を図39bに示
Ω以上の信号源抵抗および1 kHz以上の信号帯域幅の応用でもAD822
します。
のノイズは無視できる程度です。これを図40に示します。
入力段にnチャネルJFETを使用しているので、通常動作での入力
電流は負で、この電流は入力端子から流れ出します。入力電圧を
＋VS−0.4 Vよりもより正方向に駆動すると、
内部のデバイスのジャ
ンクションがフォワード・バイアスされ、入力電流は逆方向にな
ります。この様子を図4に示します。
REV.A
− 13 −
AD822
図41． 350 pFの容量性負荷駆動時のユニティ・ゲイン・
フォロアとしてのAD822の小信号応答
図40．トータル・ノイズと信号源インピーダンス
出力特性
AD822は外部の抵抗性負荷なしで負電源の5 mVおよび正電源の10
mV以内の電源電位幅の出力振幅が可能です。AD822の出力飽和抵
抗値は、40Ω（ソース）および20Ω（シンク）です。より大きな電流
負荷の駆動時の出力飽和電圧の評価にこれを使用できます。
たとえ
ば、5 mAソース時、正電源レールへの飽和電圧は200 mV、5 mAシン
ク時では負電源レールへの飽和電圧は100 mVです。
図7から図10に示すように、アンプのオープン・ループ・ゲイン
特性は抵抗性負荷の関数として変化します。負荷抵抗が20 kΩを超
える場合には、
出力電圧が各電源の180 mVに駆動されるまでAD822
の入力誤差電圧は変化しません。
AD822の出力が各出力デバイスを飽和するようにオーバドライブ
されると、
入力の2μs以内で回復し、リニア動作領域に復帰します。
直接容量性負荷はアンプの実効出力インピーダンスと相互作用
し、アンプのフィードバック・ループに極が付加される結果とな
り、
パルス応答での過度のピーキングまたは安定性を損なう原因と
なります。アンプをユニティ・ゲイン・フォロアとして使用すると
図42．容量性負荷とノイズ・ゲインの関係
きが最悪の状態となります。
350 pF駆動時のユニティ・ゲイン・フォ
ロアとしてのAD822のパルス応答を図41に示します。このオーバ
シュート量は約20°の位相マージンを示しており、
システムは安定
ユニティ・ゲイン・フォロアの容量性負荷駆動能力を向上させ
性を保っていますが、エッジに近づいています。ループ・ゲインを
る回路構成を図43に示します。図に示す値の部品を用いると、10％
少なくする構成にすると、その結果としてループ帯域幅が減少し、
のオーバシュートで5,000 pFの駆動が可能です。
容量性負荷の影響に対する感度が大幅に緩和されます。
20°の位相
マージンとなる容量性負荷とノイズ・ゲインの関係を図42に示しま
す。ノイズ・ゲインは、使用するフィードバック回路で得られる
フィードバック減衰ファクタの逆数です。
図43． ユニティ・ゲイン・フォロアの容量性負荷駆動能力
を350 pF以上に向上させる回路構成
− 14 −
REV.A
AD822
応用
表Ⅰ．AD822による計装アンプの性能
単電源動作の電圧/周波数コンバータ
パラメータ
図44に示す回路ではAD822を使用してローパワーのタイマを駆動
し、安定なパルス幅t1を得ています。正方向の出力パルスをR1-C1で
インテグレートし、AD822への1入力として使用します。
これは差動
VS＝3 V、0 V
VS＝±5 V
CMRR
74 dB
80 dB
同相電圧範囲
−0.2 V ∼ ＋2 V −5.2 V ∼ ＋4 V
3 dB帯域幅、G＝10
積分器として接続されます。もう1方の入力（無負荷）は未知の電圧
G＝100
VINです。AD822の出力でタイマのトリガ入力を駆動し、フィード
180 kHz
180 kHz
18 kHz
18 kHz
tSETTLING
バック・ループ全体を閉じます。
2 Vステップ（VS＝0 V、3 V） 2μs
5 V
（VS＝±5 V）
5μs
ノイズ@ f＝1 kHz、G＝10
G＝100
ISUPPLY
（トータル）
270 nV/√Hz
270 nV/√Hz
2.2μV/√Hz
2.2μV/√Hz
1.10 mA
1.15 mA
図45a． 500 mVP−P入力信号に対する計装用アンプのパルス応答
（VS＝＋5 V、ゲイン＝10）
図44．単電源動作の電圧/周波数コンバータ
AD822のもつ2 pA typのバイアス電流特性によって無視できる程
の低いDC誤差でMΩレンジの信号源インピーダンスが可能です。
0.01％フルスケール・オーダの直線性誤差をこの回路で達成可能で
す。この性能は1 mA以下の消費電流の＋5 V単電源で得られます。
単電源のプログラマブル・ゲイン計装用アンプ
AD822は、
＋3 Vの単電源または±15 Vまでのデュアル電源動作が
可能な単電源計装用アンプとして構成できます。3個のオペアンプ
ではなく、
わずか1個のAD822を使うことで、この回路はコストとパ
ワーの点で非常に有効です。AD822のFET入力の2 pAのバイアス電
流によって、
高い不平衡の信号源インピーダンスによって生じるオ
フセット誤差を最小限に抑えます。
高精度の薄膜抵抗アレイで計装用アンプのゲインを10または100
のどちらかに設定します。この抵抗アレイは0.01％の比にマッチン
グをとるようにレーザ・トリミングが施されており、差動TCの最大
値は5 ppm/℃です。
REV.A
− 15 −
図45b．単電源動作のプログラマブル計装用アンプ
AD822
図46．3 V単電源動作のステレオ・ヘッドフォン・ドライバ
3 V単電源動作のステレオ・ヘッドフォン・ドライバ
3 V単電源動作時でもAD822は優れた電流駆動能力とTHD＋N特性
を維持します。1 kHz時で全高調波歪み＋ノイズ（THD＋N）性能は
300 mVP−Pの出力信号で−62 dB（0.079％）です。これは消費電力が
高く、
3 V電源で動作できない他の単電源オペアンプより優れていま
す。
図46では各チャネルの入力信号を1μFのマイラ・コンデンサでカ
プリングしています。出力電圧が電源（＋1.5 V）の中間電位となる
ように抵抗分圧器で非反転入力のDC電圧を設定します。ゲインは
1.5です。AD822の各アンプをヘッドフォン・チャネルの駆動に使用
できます。5 Hzのハイパス・フィルタがグラウンドに対して32Ωの
負荷抵抗としてモデル化できる500μFのコンデンサとヘッドフォン
によって実現されます。
これによってオーディオ周波数範囲（20 Hz
∼20 kHz）の信号すべてがヘッドフォンに送られることが保証でき
ます。
低ドロップアウトのバイポーラ・ブリッジ・ドライバ
350ΩのWheatstoneブリッジの駆動にAD822を使用できます。
AD822のうち1個のアンプを1.235 Vローパワー電圧リファレンス
AD589のバッファに使用する回路を図47に示します。＋4.5 Vの出力
図47．低ドロップアウトのバイポーラ・ブリッジ・ドライバ
をA/Dコンバータのフロント・エンドの駆動に使用できます。
AD822のもう1個のアンプをユニティ・ゲイン反転構成として−4.5
Vのブリッジ入力を生成します。
抵抗R1とR2でブリッジ励起用に定
電流を供給します。
ローパワー計装用アンプAD620を使ってブリッ
ジの差動出力電圧を調整します。
AD620のゲインは外部抵抗RGでプ
ログラム設定でき、次式で決めます。
49.4 kΩ
G＝ ―――― ＋1
RG
− 16 −
REV.A
REV.A
− 17 −
AD820
AD822（デュアル）
FET入力
OP-90
OP-290（デュアル）
OP-490（クワッド）
高精度
OP-22
低ノイズ
プログラマブル
電源電流
単電源オペアンプ
単電源オペアンプ
OP-21
OP-221（デュアル）
OP-421（クワッド）
汎用
AD822
AD822
外形寸法
サイズはインチと（mm）で示します。
ミニDIP（N）パッケージ
サーディップ（Q）パッケージ
SOIC（R）パッケージ
− 18 −
REV.A
うにやさ
ゅ
い
し
ちき
PRINTED IN JAPAN
AD822
み
る
「この取扱説明書はエコマーク認定の再生紙を使用しています。
」
ど
りをまも
− 20 −
REV.A