日本語版

高出力電流トリプル・ビデオ・アンプ
AD8023
特長
ピン構成
出力電圧振幅13 Vでドライブ
無制限の容量性負荷をドライブ
高電流出力駆動:70 mA
優れたビデオ信号処理特性(RL=150Ω)
ゲイン平坦度:∼10 MHz(0.1 dB)
微分ゲイン・エラー:0.06%
微分位相エラー:0.02°
電源
電源電圧動作レンジ:±2.5 V∼±7.5 V
最大電源電流:10.0 mA/Amplifier
高速
ユニティ・ゲイン帯域幅:250 MHz(3dB)
スルーレート:1200 V/μs
速いセトリング・タイム:35 ns(0.1%)
高速ディセーブル機能
ターンオフ時間:30 ns
使いやすさ
短絡電流:200 mA
出力スイング:1 V(∼レール)
アプリケーション
LCDディスプレー
ビデオ・ライン・ドライバ
放送局用ビデオ・プロ用ビデオ
コンピュータ用ビデオ・プラグインボード
家庭用ビデオ
コンポーネント・システムのRGBアンプ
概要
AD8023は高電流出力で、かつ高電圧出力のトリプル・ビデオ・
アンプです。それぞれのアンプは70 mAの電流出力で、大きな容量
負荷も最適にドライブします。電流帰還型のアンプで、微分ゲイ
図1. 大きな容量負荷(キャパシタ)をドライブし
14ピンSOIC
ン・エラー0.06%、微分位相エラー0.02°の精度内で、0.1 dBのゲイ
ン平坦度は10 MHzに達しています。
AD8023は最大電源電流が10.0mA/Amplifierで、±2.5 V∼±7.5 V
の範囲の電源が使用できます。
各アンプの出力はそれぞれのレール
の1V以内までスイングでき、ビデオ信号にとって最適なアンプで
す。
多くの電流帰還型OPアンプの中で、AD8023のユニークかつ大き
な特長は、小さい直列抵抗を接続するだけで、速いセトリング・タ
イムを保ちながら大きな容量負荷がドライブできることです。
例え
ば300pFの容量負荷をドライブしても、35 nsで0.1%にセトルしま
す。
AD8023は1200 V/μsのスルーレートで250 MHzのバンド幅があ
り、+5 Vの単電源または±7.5 Vまでのデュアル電源の高速アプリ
ケーションに適しています。さらにAD8023の各アンプには、アン
プのパワーダウンやハイ・インピーダンス出力のための高速のディ
セーブル機能が備わっており、ビデオ・マルチプレックス・アプリ
ケーションにおける使用が可能です。AD8023の作動周囲温度は−
40℃から+85℃の範囲で、産業用の仕様値を充たしています。
図2.出力スイング電圧、RL=150Ω、VS=±7.5V、G=+10
ているパルス応答、CL=300 pF、G=+3、
RF=750Ω、RS=16.9Ω、RL=10kΩ
REV.0
アナログ・デバイセズ株式会社
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AD8023―仕様
(特に指定のない限りTA=+25℃、VS=±7.5 V、CLOAD=10 pF、RLOAD=150Ω)
モデル
AD8023
条 件
VS
Min
Typ
Max
単位
ダイナミック特性
バンド幅(3 dB)
RFB=750Ωピーキングなし, G=+3
125
MHz
バンド幅(0.1 dB)
ピーキングなし, G=+3
7
MHz
スルーレート
5 Vステップ
1200
V/μs
セトリング・タイム(∼0.1%)
0 V ∼ ±6 V(6 Vステップ)
TA=+25℃ ∼ +70℃, RS=16.9Ω
30
ns
全高調波歪み
fC=5 MHz, RL=150Ω, VO=2 Vp-p
−72
dBc
入力電圧ノイズ
f=10 kHz
2.0
nV/√Hz
入力電流ノイズ
f=10 kHz
(−IIN)
14
pA/√Hz
微分ゲイン(RL=150Ω)
f=3.58 MHz , G=+2 , RFB=750Ω
0.06
%
微分位相(RL=150Ω)
f=3.58 MHz , G=+2 , RFB=750Ω
0.02
Degrees
CLOAD=300 pF
RLOAD>1 kΩ, RFB=750Ω
ノイズ/高調波特性
DC特性
入力オフセット電圧
TMIN ∼ TMAX
−5
入力バイアス電流(−)
TMIN ∼ TMAX
−45
15
45
入力バイアス電流(+)
TMIN ∼ TMAX
−25
5
25
67
111
kΩ
50
111
kΩ
オフセット・ドリフト
2
5
2
開ループ・トランスレジスタンス
TMIN ∼ TMAX
mV
μV/℃
μA
μA
入力特性
入力抵抗
+入力
TMIN ∼ TMAX
100
kΩ
−入力
TMIN ∼ TMAX
75
Ω
入力容量
2
pF
入力同相電圧レンジ
±6.0
V
56
dB
−入力電流
0.2
μA/V
+入力電流
5
μA/V
同相分除去比
入力オフセット電圧
50
出力特性
出力電圧スイング
RL=1kΩ
RL=150Ω
VOL−VEE
0.8
1.0
V
VCC−VOH
0.8
1.0
V
VOL−VEE
1.0
1.3
V
VCC−VOH
1.0
1.3
V
出力電流
50
70
mA
ショート回路電流
300
mA
容量負荷ドライブ
1000
pF
70
dB
マッチング特性
ダイナミック・クロストーク
G=+2 , f=5 MHz
DC
入力オフセット電圧
−5
0.3
5
mV
−入力バイアス電流
−10
3
10
μA
V
電源電圧
動作レンジ
1電源
+4.2
+15
2電源
±2.1
±7.5
ゼロ入力電流/アンプ
6.2
V
mA
TMIN ∼ TMAX
7.0
10.0
mA
パワーダウン
1.3
4.0
mA
−2−
REV.0
AD8023
モデル
AD8023
条 件
VS
Min
Typ
54
76
Max
単位
電源電圧(続き)
電源電圧除去比
VS=±2.5 V ∼ ±7.5 V
dB
入力オフセット電圧
dB
−入力電流
0.03
μA/V
+入力電流
0.07
μA/V
dB
ディセーブル特性
OFFアイソレーション
f=6 MHz
−70
OFF出力容量
G=+1
12
pF
50
ns
30
ns
1.6
V
ターンオン時間
RL=150Ω
ターンオフ時間
スイッチング・スレッショルド
VTH−VEE
注
仕様は、予告なしに変更することがあります。
絶対最大定格*
最大許容損失
電源電圧 …………………………………………………… 計15.5 V
内部許容損失
小型パッケージ(R)………………
1 W(負担軽減カーブ参照)
入力電圧(同相電圧) …………………………………………
差動入力電圧
AD8023で安全が確保できる最大許容損失は、同時に上昇する接
合部温度で決まります。
プラスチックでパッケージされたデバイス
±VS
……………………………… ±3 V(クランプ電圧)
出力電圧の制限値
の安全な最大接合部温度は、
プラスチックのガラス転移温度で決ま
り約150℃です。一時的にでもこの限界を超えると、パッケージと
ダイの間のストレスが変化し、
デバイスのパラメータに影響が及び
ます。接合部温度が+175℃を超えると、デバイスは故障します。
最大値 ………………………………………………………
+VS
AD8023にはショート時の保護回路を内蔵していますが、すべて
最小値 ………………………………………………………
−VS
の場合において、
この回路機能により最大接合部温度以上にはなら
負担軽減カーブ参照
ないと保証しているわけではありません。
最適にデバイスを使用す
出力回路ショート時間 ……………………
ストレージ温度範囲(Rパッケージ)…………
−65℃ ∼ +125℃
るために、負担軽減カーブを是非ご参照ください。
動作温度範囲(AD8023A) ……………………… −40℃ ∼ +85℃
特にゲイン抵抗値を低くしたノン・インバーティング・ゲイン
ピン(リード)最高温度(10秒間のハンダ付け)………… +300℃
設定の場合、
過大入力信号によるドライブで入力エラー電流が増加
* これらの絶対最大定格を超えるストレスは、デバイスに恒久的なダメージを与えることが
あります。このリストはストレス定格を示すことだけを目的とし、この仕様を超えるこの
デバイスの正常動作を意味するものではありません。長時間にわたってこれらの最大定
格条件にさらすことにより、デバイスの信頼性に影響が現れることがあります。
し、
結果として入力段での電力損失が増大しますのでご注意くださ
い。全内部損失による接合部の温度上昇を計算する際には、この損
失も考慮に入れる必要があります。
オーダーガイド
AD8023AR-14
レンジ
パッケージ・
パッケージ
オプション
−40℃ ∼
14ピンプラスチック
R-14
+85℃
SOIC型
最大許容損失−Watts
動作温度
型名
周囲温度−℃
図3.最大許容損失対周囲温度
注意
このデバイスは、静電放電(ESD)に対して脆弱です。人体やテスト装置には4000 V程度の静電気が容易に蓄積され、気付
かないうちにそれが放電されることもあります。AD8023には当社独自のESD保護回路が備わっていますが、エネルギの高
い静電放電によってデバイスに恒久的なダメージが及ぶ可能性は否定できません。したがって、適切な予防措置により
ESD保護を行って、性能の劣化や機能の損傷を回避することを推奨します。
REV.0
−3−
WARNING!
ESD SENSITIVE DEVICE
AD8023
メタライゼーション写真
最新の寸法はアナログ・デバイセズにお問い合わせください
単位はインチと(mm)
出力電圧スイング−Vp-p
入力同相電圧レンジ−±Volts
代表的な性能特性
負荷抵抗−Ω
電源電圧−±Volts
図4.入力同相電圧レンジ対電源電圧
図5.出力電圧スイング対負荷抵抗
−4−
REV.0
全電源電流−mA
入力バイアス−µA
AD8023
電源電圧−±Volts
温度−℃
図9.入力バイアス電流対温度
入力オフセット−mV
出力電圧スイング−Vp-p
図6.全電源電流対電源電圧
電源電圧−±Volts
温度−℃
図10.入力オフセット電圧対温度
全電源電流−mA
クローズ・ループ出力抵抗−V
図7.出力電圧スイング対電源電圧
温度−℃
周波数−MHz
図8.全電源電流対温度
REV.0
図11.クローズ・ループ出力抵抗対周波数
−5−
同相除去−dB
電圧ノイズ−nV, √Hz
AD8023
周波数−MHz
周波数−kHz
図15.同相除去対周波数
短絡電流−mA
電源電圧除去−dB
図12.入力電流&電圧ノイズ対周波数
温度−℃
周波数−MHz
図16.電源電圧除去比対周波数
出力抵抗−Ω
高周波歪み−dBc
図13.短絡電流対温度
周波数−Hz
周波数−MHz
図14.出力抵抗対周波数、ディセーブル状態
図17.高調波歪み対周波数、RL=150Ω
−6−
REV.0
トランスインピーダンス−Ω
AD8023
周波数−Hz
図18.オープン・ループトランスインピーダンス対周波数
図21. 小信号パルス応答、ゲイン=+1、
スルーレートV/µs
スルーレート−V/µs
(RF=2kΩ、RL=150Ω、VS=±7.5 V)
電源電圧−V
出力ステップ−Vp-p
図19.スルーレート対出力ステップ・サイズ
図22.最大スルーレート対電源電圧
図20. 大信号パルス応答、ゲイン=+1、
図23. 大信号パルス応答、ゲイン=+10、
(RF=2kΩ、RL=150Ω、VS=±7.5 V)
REV.0
(RF=274Ω、RL=150Ω、VS=±7.5 V)
−7−
クローズ・ループ・ゲイン(NORMALIZED)−dB
クローズ・ループ・ゲイン(NORMALIZED)−dB
AD8023
周波数−MHz
周波数−MHz
図24. クローズ・ループ・ゲイン&位相対周波数、
図27. クローズ・ループ・ゲイン&位相対周波数、
G=−1、RL=150Ω
クローズ・ループ・ゲイン(NORMALIZED)−dB
G=+10、RL=150Ω
周波数−MHz
図25. クローズ・ループ・ゲイン&位相対周波数、
図28. 小信号パルス応答、ゲイン=+10、
G=+1、RL=150Ω
(RF=274Ω、RL=150Ω、VS=±7.5 V)
図26. 大信号パルス応答、ゲイン=−1
図29. 小信号パルス応答、ゲイン=−1、
(RF=750Ω、RL=150Ω、VS=±7.5 V)
(RF=750Ω、RL=150Ω、VS=±7.5 V)
−8−
REV.0
AD8023
クローズ・ループ・ゲイン(NORMALIZED)−dB
G
ACL=――――――――――
1+SCT(RF+Gn・rin)
ここで、 CT=トランスキャパシタンス ≅ 1 pF
RF=フィードバック抵抗
G=理想的クローズ・ループ・ゲイン
RF
Gn=(1+――)=ノイズ・ゲイン
RG
rin=インバーティング入力抵抗 ≅ 150Ω
ACL=クローズ・ループ・ゲイン
この式から−3 dBバンド幅は次のようになります。
1
f3 ≅――――――――――
2πCT(RF+Gn・rin)
この式は150Ω負荷、VS=±7.5 Vの場合の−3 dBバンド幅を、10
周波数−MHz
%から15%の誤差で表します。電源電圧が低い場合は、バンド幅は
図30. クローズ・ループ・ゲイン&位相対周波数、
もう少し狭くなります。AD8023の位相特性や周波数応答でのピー
キングに対しては、あまり正確な式ではありません。
G=−10、RL=150Ω
バンド幅は入力抵抗の影響で狭まることに注意してください。
また、150Ω以下の負荷をドライブする場合、約6Ωのオープン・
概論
AD8023は広帯域のトリプル・ビデオ・アンプで、優れた特性を
備え、ゼロ入力電源電流も9.0 mA/Amplifier以下です。AD8023は
ループ出力抵抗の影響で、バンド幅はやや狭くなります。また逆
に、200Ω以上の負荷の場合は、バンド幅は約10%広がります。
200 MHzを超えるバンド幅をもち、
高出力電流にもかかわらず微分
ゲインおよび微分位相エラーは低く、最高のビデオ・アンプになっ
表I.−3 dBバンド幅対クローズ・ループ・ゲイン&
フィードバック抵抗、RL=150Ω(SOIC型パッケージ)
ています。
AD8023の広い位相マージン、かつ高い出力短絡電流という特長
は、
種類を問わずに300 pFまでの容量負荷をドライブするアンプと
V(V)
S
ゲイン
R(Ω)
F
バンド幅(MHz)
±7.5
+1
2000
460
しては最適といえます。
またこのアンプは、クローズ・ループで“1”以上のインバーティ
ングまたはノン・インバーティング・ゲインで、最高の機能と特性
が得られるように設計しています。
±2.5
フィードバック抵抗とゲインの選択
AD8023は電流帰還型アンプのため、フィードバック抵抗の値で
クローズ・ループのバンド幅を自由に選ぶことことができます。表
Ⅰは、よく使われるクローズ・ループ・ゲインで、150Ω負荷をドラ
イブしているときのバンド幅を示します。バンド幅は電源電圧に
+2
750
240
+10
300
50
−1
750
150
−10
250
60
+1
2000
250
+2
1000
90
+10
300
30
−1
750
95
−10
250
50
よっても変わります。
周波数応答の幅と平坦度を最高にする必要がない限り、
フィード
容量負荷のドライブ
AD8023を適切なフィードバック抵抗を選んで使用すると、どん
バック抵抗の値はそれほど微妙な要素ではありません。表Ⅰでは、
ピーキングがない条件で0.1 dBバンド幅が最も広くとれる抵抗値を
な容量性負荷でも発振することなくドライブできます。
一般的に電
示しました。抵抗はチップ抵抗です。バンド幅を正確にコントロー
流帰還型アンプでは、より大きな容量負荷に対しては、より大きな
ルする必要があるアプリケーションでは1%抵抗をお使いください。
フィードバック抵抗を使うことが原則で、回路が安定します。
表には最も広いバンド幅がとれる抵抗値を載せていますが、
より広
AD8023の大きいオープン・ループのトランスレジスタンスと低い
いバンド幅が必要なときは、
フィードバック抵抗を表の値より小さ
インバーティング入力電流により、
大きいフィードバック抵抗によ
くしてください。ただしピーキングは大きくなります。フィード
るクローズ・ループのゲイン・エラーの心配はありません。なお、
バック抵抗を大きくすると、ピーキングは小さくなります。
出力ショート回路電流が大きいため、
大きい容量負荷において速い
大きな容量負荷をドライブする場合は、クローズ・ループ回路の
電圧スルーが可能になります。
出力に小さい直列抵抗を接続すると、広いバンド幅で、かつきれ
位相マージンが増加するため、
フィードバック抵抗を大きくすると
効果的です。なお“容量負荷のドライブ”の項もご参照ください。
いなパルス応答が得られます。表Ⅱにパルス応答が最も良くなる
クローズ・ループ・ゲイン2以上におけるAD8023の−3dBバンド
フィードバック抵抗と直列抵抗の値を示します。AD8023が300 pF
幅を求める場合、
表にはフィードバック抵抗の値を示していないの
キャパシタ(コンデンサ)を、大きな電圧ステップでオーバー
で、次式のシングルポールモデルで計算します。
シュートすることなく、ドライブしている様子を図32に示します。
この例では、
大きい信号と小さい信号のパルス応答がたいへんよく
似ていることがわかります。
REV.0
−9−
AD8023
図31.容量負荷ドライブ回路
表Ⅱ.フィードバック抵抗&直列抵抗対容量負荷とゲイン
C(pF)
L
R(Ω)
F
R(Ω)
、G=2
S
R(Ω)
、
G≧3
S
20
2k
0
0
50
2k
10
10
100
2k
15
15
最大電力損失における注意に書かれてあったように、高いノン・
図33. 50%オーバーロード回復、ゲイン=+10、
(RF=300Ω、RL=1kΩ、VS=±7.5 V)
200
3k
10
10
インバーティング・ゲイン回路での大きな入力オーバードライブ
300
3k
10
10
は、
入力段に大きな電流を流します。
この電流は内部的に約30mAに
≧500
3k
10
10
制限されますが、
それの全電力損に及ぼす影響は小さくありません。
ディセーブルモード動作
どのディセーブルピンでも負の電源電圧より1.6 V以上になると、
そのピンに対応するアンプはディセーブルになり、
パワーダウンし
ます。この状態ではアンプのゼロ入力電流は約1.3 mAに下がり、出
力は高インピーダンスになります。
これは入力から出力へのアイソ
レーションが非常に高い状態です。例えばゲイン2のライン・ドラ
イバでは、出力ノードでのインピーダンスが、
1.5kΩ抵抗
(フィード
バック抵抗+ゲイン抵抗)
とそれに平列接続した12 pFキャパシタの
値とほぼ同じになる状態です。
ディセーブルピンを接続しない(フロート)状態のままにしてお
くと、
そのピンに対応するアンプは作動状態のままになりイネーブ
ル状態を続けます。ディセーブルピンの入力インピーダンスは、
図32. 大容量負荷(キャパシタ)をドライブ中のパルス応答、
25kΩ抵抗とそれに平列接続した数pFの値とほぼ同じです。
負の電
CL=300pF、G=+3、RF=750Ω、RS=16.9Ω、RL=10kΩ
源電圧−7.5 Vで0 Vまで駆動すると、ディセーブルピンに約100μA
の電流が流れます。
オーバーロード回復
ディセーブルピンをCMOSロジック
(5 V単電源)
のコンプリメン
3つの重要なオーバーロード状態とは、入力同相電圧のオーバー
タリ出力でドライブすると、
ディセーブルとイネーブル時間は50 ns
ドライブと出力電圧のオーバードライブおよび入力電流のオーバー
になります。2電源の場合は、通常のロジック出力からディセーブ
ドライブです。低いクローズ・ループ・ゲインでは、このアンプは
ルピンにレベル・シフトする必要があります。図34に示した回路は
入力同相電圧のオーバードライブに対して、
通常25 ns以下の速い回
その方法のひとつで、
スイッチング時間はほんのわずか遅くなるだ
復を示します。
同様により高いゲインで出力電圧のオーバーロード
けです。
に対して速く回復します。
例えばゲイン+10での50%のオーバード
ライブの場合、AD8023の回復時間は約20 ns(図33)です。オーバー
ドライブがもう少し大きくなると、応答はもう少し遅くなります。
ゲイン+10で100%のオーバードライブになると、回復時間は約80
nsになります。
V1 HIGH = アンプ Enabled
V1 LOW = アンプ Disabled
図34. デュアル電源時にディセーブルピンをドライブするため
のレベルシフティング
− 10 −
REV.0
AD8023
AD8023の入力段はディセーブル時に加えられるかもしれない大
きな差動入力電圧に対する保護回路を持っています。
内部クランプ
がこの電圧を約±3Vに制限します。このリミット以下の電圧に対
しては高い入力・出力間アイソレーションが維持されます。
外形寸法
単位はインチと(mm)
14ピンプラスチックSOIC型パッケージ(R-14)
ピン1
実装面
REV.0
− 11 −
うにやさ
ゅ
い
し
ちき
PRINTED IN JAPAN
D759-2.7-7/98,1A
AD8023
み
る
「この取扱説明書はエコマーク認定の再生紙を使用しています。」
ど
りをまも
− 12 −
REV.0