EUPEC FF800R12KF4

European PowerSemiconductor and
Electronics Company
Marketing Information
FF 800 R 12 KF4
55,2
11,85
M8
130
114
31,5
C2
E1
C1
E2
E2
E1
C1
G1
M4
28
7
2,5 deep
40
53
E1
C2
16
18
G2
44
2,5 deep
57
C2
E1
C2
G1
G2
C1
E2
C1
E2
20.03.1998
FF 800 R 12 KF 4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Kollektor-Dauergleichstrom
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
Gesamt-Verlustleistung
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Dauergleichstrom
Periodischer Spitzenstrom
Isolations-Prüfspannung
collector-emitter voltage
DC-collector current
repetitive peak collctor current
total power dissipation
gate-emitter peak voltage
DC forward current
repetitive peak forw. current
insulation test voltage
tp=1 ms
tC=25°C, Transistor /transistor
tp=1ms
RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
Eingangskapazität
Kollektor-Emitter Reststrom
gate threshold voltage
input capacity
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
Emitter-Gate Reststrom
Einschaltzeit (ohmsche Last)
gate leakage current
gate leakage current
turn-on time (restistive load)
Speicherzeit (induktive Last)
storage time (inductive load)
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
VCES
IC
ICRM
Ptot
VGE
IF
IFRM
VISOL
iC=800A, vGE=15V, Tvj=25°C
iC=800A, vGE=15V, Tvj=125°C
iC=32mA, vCE=vGE, Tvj=25°C
fO=1MHz,Tvj=25°C,vCE=25V, vGE=0V
vCE=1200V, vGE=0V, Tvj=25°C
vCE=1200V, vGE=0V, Tvj=125°C
vCE=0V, vGE=20V, Tvj=25°C
vCE=0V, vEG=20V, Tvj=25°C
iC=800A,vCE=600V,vLF=±15V,RG=1,2Ω
vLF=15V, Tvj= 25°C
vLF=15V, Tvj= 125°C
iC=800A,vCE=600V,vLF=±15V,RG=1,2Ω
vLF=15V, Tvj= 25°C
vLF=15V, Tvj= 125°C
iC=800A,vCE=600V,vLF=±15V,RG=1,2Ω
vLF=15V, Tvj= 25°C
vLF=15V, Tvj= 125°C
iC = 800 A, vCE = 600 V, LS = 70 nH
VL = ±15 V, RG = 1,2 Ω, Tvj = 125°C
iC = 400 A, vCE = 600 V, LS = 70 nH
VL = ±15 V, RG = 1,2 Ω, Tvj = 125°C
vCE sat
iF=800A, vGE=0V, tvj=25°C
iF=800A, vGE=0V, tvj=125°C
iF=800A, -diF/dt=4kA/µs
vRM=600V, vEG = 10V, Tvj = 25°C
vRM=600V, vEG = 10V, Tvj = 125°C
iF=800A, -diF/dt=4kA/µs
vRM=600V, vEG = 10V, Tvj = 25°C
vRM=600V, vEG = 10V, Tvj = 125°C
vF
Transistor / transistor, DC
Transistor,DC,pro Zweig/per arm
Diode, DC, pro Modul/per module
Diode, DC, pro Zweig/per arm
pro Modul / per Module
pro Zweit / per arm
RthJC
vGE(th)
Cies
iCES
iGES
iEGS
ton
ts
tf
Eon
Eoff
1200
800
1600
5000
± 20
800
1600
2,5
V
A
A
W
V
A
A
kV
max.
3,2
4
6,5
400
400
V
V
V
nF
mA
mA
nA
nA
min.
4,5
-
typ.
2,7
3,4
5,5
55
16
80
-
-
0,7
0,8
- µs
- µs
-
0,9
1
- µs
- µs
-
0,10
0,15
- µs
- µs
-
130
- mWs
-
120
- mWs
-
2,2
2,0
2,7 V
2,5 V
-
250
400
- A
- A
-
26
90
Charakteristische Werte / Characteristic values
Inversdiode / Inverse diode
Durchlaßspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
IRM
Qr
RthCK
T vj max
T c op
T stg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque
Gewicht
terminals M6 / tolerance ±15%
terminals M4 / tolerance +5% / -10%
terminals M8
weight
M1
M2
G
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
tfg = 10 µs
VCC = 750 V
vL = ±15 V
vCEM = 900 V
RGF = RGR = 1,2 Ω
iCMK1 ≈ 5000 A
tvj = 125°C
iCMK2 ≈ 4000 A
Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions vCEM = VCES - 20nH x |dic/dt|
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
- µAs
- µAs
0,0125
0,025
0,021
0,042
typ. 0,008
typ. 0,016
150
-40...+125
-40...+125
AI2O3
3
2
8...10
ca. 1500
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
°C
°C
Nm
Nm
Nm
g
FF 800 R 12 KF4
1600
1600
1400
1400
i C1200
[A]
1000
i C1200
[A]
800
800
600
600
400
400
200
200
VGE = 20 V
15 V
12 V
10 V
1000
0
1
2
3
4
5
0
9V
8V
1
v CE [V]
FF 800 R 12 KF4 / 1
2
3
4
Bild / Fig. 1
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) /
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
VG E = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
5
vCE [V]
FF 800 R 12 KF4 / 2
Bild / Fig. 2
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) /
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
Tvj = 125°C
2000
1600
t vj =
1400
25°C
125°C
i C1200
[A]
1000
i C 1500
[A]
800
1000
600
500
400
200
0
5
6
7
8
9
10
FF 800 R 12 KF4 / 3
11
vGE [V]
12
0
0
Bild / Fig. 3
Übertragungscharakteristik (typisch) /
Transfer characteristic (typical)
VCE = 20 V
400
600
800
1000
1200
vCE [V]
1400
Bild / Fig. 4
Rückwärts-Arbeitsbereich /
Reverse biased safe operating area
Tvj = 125°C
vLF = vLR = 15 V
RG = 1,2 Ω
10 -1
1600
7
5
Diode
ZthJC 3
[°C/W ]
IGBT
1400
i F 1200
[A]
2
1000
10 -2
800
7
600
5
400
3
2
-3
200
FF 800 R 12 KF4 / 4
200
10 -3
10
2
3 4
6
10-2
2
3 4
6
10-1
FF 800 R 12 KF4 / 5
Bild / Fig. 5
Transienter Wärmewiderstand (DC) /
Transient thermal impedance (DC)
2
3 4
6
100
2
t [s]
3 4
6
101
0
0,5
1
1,5
2
FF 800 R 12 KF4 / 6
Bild / Fig. 6
Durchlaßkennlinien der Inversdiode (typisch)
Forward characteristics of the inverse diode (typical)
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
2,5
vF [V]
3
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