HUASHAN C089BJ-01

NPN
汕头华汕电子器件有限公司
SILICON
TRANSISTOR
2328S 晶体管芯片说明书
█ 芯片简介
█ 管芯示意图
芯片尺寸:4 英寸(100mm)
芯片代码:C089BJ-01
芯片厚度:240±20µm
管芯尺寸:890×890µm 2
焊位尺寸:B 极 150×150µm 2;E 极 153×153µm 2
电极金属:铝
背面金属:金
典型封装:KSC2328A,H2328S
█ 极限值(Ta=25℃)(封装形式:TO-92)
Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃
Tj——结温………………………………………………150℃
PC——集电极耗散功率…………………………………0.75W
VCBO——集电极—基极电压…………………………… 30V
VCEO——集电极—发射极电压………………………… 30V
VEBO——发射极—基极电压………………………………5V
IC——集电极电流………………………………………… 2A
█ 电参数(Ta=25℃)(封装形式:TO-92)
参数符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
VBE(on)
fT
Cob
符
号
说
明
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极导通电压
特征频率
共基极输出电容
最小值 典型值 最大值
30
30
5
100
100
320
2
1
100
120
30
单位
V
V
V
nA
nA
测
试
条
件
IC=100µA,IE=0
IC=10mA,IB=0
IE=1mA,IC=0
VCB=30V,IE=0
VEB=5V,IC=0
VCE=2V,IC=500mA
V
IC=1.5A,IB=30mA
V
VCE=2V,IC=500mA
MHz VCE=2V,IC=500mA
pF VCB=10V, IE=0,f=1MHz