PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 5401 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：A043BJ-01 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：430×430µm2 焊位尺寸：B 极 107×107µm2，E 极 101×101µm2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：2N5401，H5401 █ 极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92） Tstg——贮存温度……………………………………… -55~150℃ Tj——结温……………………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率……………………………………625mW VCBO——集电极—基极电压…………………………………-160V VCEO——集电极—发射极电压………………………………-150V VEBO——发射极—基极电压……………………………………-5V IC——集电极电流…………………………………………-600mA █ 电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-92） 参数符号 ICBO IEBO hFE 符 号 说 明 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 VCE(sat) 集电极—发射极饱和电压 VBE(sat) 基极—发射极饱和电压 BVCBO BVCEO BVEBO fT 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 特征频率 最小值 典型值 最大值 -0.05 -0.05 30 60 50 µA µA 280 -0.2 -0.5 -1 -1 -160 -150 -5 100 单位 400 V V V V V V V MHz 测 试 条 件 VCB=-120V，IE=0 VEB=-3V，IC=0 VCE=-5V，IC=-1mA VCE=-5V，IC=-10mA VCE=-5V，IC=-50mA IC=-10mA，IB=-1mA IC=-50mA，IB=-5mA IC=-10mA，IB=-1mA IC=-50mA，IB=-5mA IC=-100µA，IE=0 IC=-1mA，IB=0 IE=-10µA，IC=0 VCE=-10V，IC=-10mA f=100MHz