PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 8550L 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：A065BJ-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：650×650µm 2 焊位尺寸：B 极 105×105µm 2；E 极 105×105µm 2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：S8550，H8550L █ 极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92） Tstg——贮存温度…………………………………… -55~150℃ Tj——结温…………………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率………………………………………1W VCBO——集电极—基极电压………………………………-40V VCEO——集电极—发射极电压……………………………-25V VEBO——发射极—基极电压…………………………………-6V IC——集电极电流…………………………………………-1.2A █ 电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-92） 参数符号 ICBO IEBO hFE VBE(on) VCE(sat） VBE(sat) BVCBO BVCEO BVEBO fT 符 号 说 明 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 基极—发射极导通电压 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极饱和电压 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 特征频率 最小值 典型值 最大值 -0.1 -0.1 500 85 40 0.2 40 25 6 100 -1.0 -0.5 -1.2 单位 µA µA 测 试 条 件 VCB=-35V，IE=0 VEB=-6V，IC=0 VCE=-1V，IC=-100mA VCE=-1V，IC=-800mA V VCE=-1V，IC=-10mA V IC=-800mA，IB=-80mA V IC=-800mA，IB=-80mA V IC=-100µA，IE=0 V IC=-2mA，IB=0 V IE=-100µA，IC=0 MHz VCE=-10V，IC=-50mA