20SQ040 20SQ040 Bypass Diodes for Solar Modules – Schottky Barrier Rectifiers Bypass-Dioden für Solarmodule – Schottky-Barrier-Gleichrichter Version 2012-07-23 Ø 8±0.1 Nominal current – Nennstrom 20 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 40 V Type Ø 8 x 7.5 [mm] Weight approx. – Gewicht ca. 7,5±0.1 62.5±0.5 Plastic case – Kunststoffgehäuse 1.0 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack On request taped on 13” reel Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Auf Anfrage gegurtet auf 13” Rolle Ø 1.2±0.05 Dimensions - Maße [mm] Features Vorteile Best trade-off between VF and IR 1) 1000 pcs/13” reel for longer reel change intervals Optimaler Kompromiss zwischen VF und IR 1) 1000 Stk. / 13” Rolle für längere Bestückungszyklen Maximum ratings and characteristics Type Typ Grenz- und Kennwerte Repetitive / Surge peak reverse voltage Periodische- / Spitzen-Sperrspannung VRRM [V] / VRSM [V] Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] Tj = 125°C Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] Tj = 25°C IF = 5 A IF = 5 A IF = 20 A typ. 0.25 < 0.43 < 0.55 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 20 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 310/350 A Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 480 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+150°C ≤ 200°C 1) 3) Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -55...+150°C 20SQ040 1 2 3 40 For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes” Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes” Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Meets the Requirements of IEC 61215 bypass diode thermal test Erfüllt die Anforderungen der IEC 61215 Bypass-Diodentest © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 20SQ040 Characteristics Kennwerte Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM IR < 500 µA typ. 25 mA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 12 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdrähte RthL < 2.5 K/W 2) 120 102 [%] [A] 100 20SQ040 10 80 60 1 40 10-1 20 IF IFAV 0 0 TA 100 50 150 10-2 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) Tj = 25°C Tj = 125°C 0 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 103 [mA] Tj = 150°C 102 Tj = 125°C 10 Tj = 75°C 1 IR 10-1 0 Tj = 25°C VRRM 40 60 80 100 [%] Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung 1 2 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Measured in 3 mm distance from case – use for bypass diodes test Gemessen in 3 mm Abstand vom Gehäuse – für Bypass-Diodentest http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG