注文コード No. N ※ 6 8 1 0 LC86E6132 No.N ※ 6 8 1 0 N1000 LC86E6132 CMOS LSI UVEPROM 内蔵型 8 ビット 1 チップマイクロコンピュータ 概要 LC86E6132 は、CMOS 8ビット1チップマイクロコンピュータ LC866100シリーズのUVEPROM内蔵型マイクロ コンピュータです。 マスクROM版のLC866100シリーズと同等の機能, ピン配置を持ち、EPROMサイズは32Kバイトです。 繰り返しプログラムの書き換えが可能であり、プログラムの開発用として最適です。 特長 ■ EPROMデータによるオプション切り換えが可能 LC866100シリーズのオプション機能をEPROMデータによって指定できます。 これにより、量産セット基板を使用した試作評価ができます。 ■ 内蔵するEPROMの容量 : 32768バイト ■ 内蔵するRAMの容量 : 640バイト * 32768バイトEPROM, 640バイトRAMのうち、使用できるEPROM容量, RAM容量は、LC86E6132を適用する マスクROM版のマスクROM容量やRAM容量と同じになります。 LC86E6132を適用する LC86E6132で使用できる LC86E6132で使用できる マスクROM版 PROM容量 RAM容量 LC866132 32512バイト 640バイト LC866128 28672バイト 640バイト LC866124 24576バイト 640バイト LC866120 20480バイト 512バイト LC866116 16384バイト 512バイト LC866112 12288バイト 384バイト LC866108 8192バイト 384バイト ■ 動作電源電圧 : ■ 命令サイクルタイム : 4.5∼6.0V 0.98µs∼400µs ■ 動作周囲温度 : +10℃∼+40℃ ■ マスクROM版と同一ピン配列(ピンコンパチブル) ■ 適用するマスクROM版 : LC866132 / LC866128 / LC866124 / LC866120 / LC866116 /LC866112 / LC866108 ■ 出荷形態 QIC-80E(窓付き) 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途(生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 Ver. 1.01A N1000 HK IM ◎斎藤 No.6810-1/18 LC86E6132 使用上の注意点 LC86E6132を使用する際には、次の点に注意して下さい。 (1) LC86E6132とLC866100シリーズとの相違点 項目 リセット時の LC86E6132 LC866132/28/24/20/16/12/08 次ページ「リセット時のポート形式」を参照してください。 ポート形式 リセット解除後の動作 リセット端子に「H」レベルを印 リセット端子に「H」レベルを 加してから3ms程度の期間はLSI内 印加すると、すぐにプロラムカウ 部でオプションの設定を行います。ンタの0番地からプログラムを実 この期間に徐々にオプションが切 行します。 り換わります。その後、プログラム カウンタの0番地からプログラム を実行します。 高耐圧端子の プルダウン抵抗 プルダウン抵抗 有/無 プルダウン抵抗 ・S0 / T0∼S6 / T6 無し オプションで指定可 ・S7 / T7∼S15 / T15 有り(固定) 有り(固定) ・S16∼S23 有り(固定) オプションで指定可 無し 4.5∼6.0V オプションで指定可 2.5∼6.0V +10∼+40℃ −30∼+70℃ ・S24∼S31 動作電源電圧 (VDD) 動作周囲温度 (Topg) 通常動作時消費電流 半導体ニューズ「電気的特性」を参照してください。 LC86E6132 は、プログラムメモリと同一空間上の7F00H∼7FFFH番地の256バイトを使用してオプションを指 定します。このオプション指定では、LC866100シリーズの持つ全てのオプションを実現できません。 LC866100シリーズのオプションのうち、LC86P6132で対応できるオプションと対応できないオプションを示し ます。 ・LC86E6132 で対応できるオプションの種類 オプションの種類 適用端子,回路 入出力ポートの ポート0 入出力仕様 (指定はビット単位) オプション内容 1.入力:プルアップMOS Tr.なし 出力:Nチャネルオープンドレイン 2.入力:プルアップMOS Tr.あり ポート1 (指定はビット単位) 出力:CMOS 1.入力:プログラマブル プルアップMOS Tr.あり 出力:Nチャネルオープンドレイン 2.入力:プログラマブル プルアップMOS Tr.あり 出力:CMOS ポート3 (指定はビット単位) 1.入力:プログラマブル プルアップMOS Tr.なし 出力:Nチャネルオープンドレイン 2.入力:プログラマブル プルアップMOS Tr.あり 出力:CMOS 入力ポートの ポート7 プルアップMOS Tr. (指定はビット単位) 1.プルアップMOS Tr. なし 2.プルアップMOS Tr. あり ・LC86E6132 で対応できないオプションの種類 オプションの種類 高耐圧出力端子の プルダウン抵抗 適用端子,回路 LC86E6132 LC866132/28/24/20/16/12/08 ・S0 / T0∼S6 / T6 ・S16∼S23 無し オプションで指定可能 有り(固定) オプションで指定可能 ・S24∼S31 無し オプションで指定可能 (指定はビット単位) また、リセット時にはオプションに関係するポートの動作が異なります。次表を参照してください。 No.6810-2/18 LC86E6132 ・リセット時のポート形式 適用端子 P0 オプション内容 入力:プルアップMOS Tr. なし 出力:N チャネルオープンドレイン 入力:プルアップMOS Tr. あり 出力:CMOS LC86E6132 (マスク版と同じ) LC866132/28/24/20/16/12/08 プルアップMOS Tr. の付かない 入力モード(出力はオフ) 入力モード プルアップMOS Tr. の付いた ・リセット期間中及び リセット 入力モード(出力はオフ) 解除後の数百µs の間、 プルアップMOS Tr. は付きません。 それ以後はプルアップMOS Tr. は付きます。(出力はオフ) P1 入力:プログラマブルプルアップ MOS Tr. あり プルアップMOS Tr. の付かない 出力:Nチャネルオープンドレイン 入力:プログラマブルプルアップ MOS Tr. あり (マスク版と同じ) 入力:プログラマブルプルアップ MOS Tr. なし (マスク版と同じ) 入力:プログラマブルプルアップ 出力:CMOS P7 入力モード(出力はオフ) プルアップMOS Tr.の付かない (マスク版と同じ) プルアップMOS Tr.なし 入力モード(出力はオフ) プルアップMOS Tr.の付かない (マスク版と同じ) プルアップMOS Tr.あり 入力モード(出力はオフ) プルアップMOS Tr.の付かない 出力:N チャネルオープンドレイン MOS Tr.あり 入力モード(出力はオフ) プルアップMOS Tr. の付かない 出力:CMOS P3 (マスク版と同じ) 入力モード 入力モード プルアップMOS Tr.の付いた ・リセット期間中及びリセット 入力モード 解除後の数百µsの間、 プルアップMOS Tr.は付きません。 それ以後はプルアップMOS Tr. は付きます。 (2) オプション設定プログラム オプションデータはオプション設定プログラム「SU866100.EXE」で作成されます。作成されたオプショ ンデータ はリンカ「L866100.EXE」によってプログラム領域に連結されます。 No.6810-3/18 LC86E6132 (3) ROM空間 LC86E6132とLC866100シリーズはプログラムメモリと同一空間の7F00H∼7FFFHの256バイトをオプション指 定領域として使用しているため、プログラムメモリ容量は最大0000H∼7EFFHの32512バイトになります。 7FFFH オプション指定 領域256バイト 7F00H オプション 指定領域 オプション 指定領域 オプション 指定領域 オプション 指定領域 オプション 指定領域 オプション 指定領域 7EFFH 6FFFH 5FFFH 4FFFH 3FFFH 2FFFH 1FFFH プログラム領域 プログラム領域 プログラム領域 プログラム領域 プログラム領域 プログラム領域 プログラム領域 0000H 32Kバイト 28Kバイト 24Kバイト 20Kバイト 16Kバイト 12Kバイト 8Kバイト LC866132 LC86E6132 LC866128 LC866124 LC866120 LC866116 LC866112 LC866108 使用方法 (1) 書き込みデータ作成 LC86E6132に書き込むデータを用意する必要があります。ファイル変換プログラム「EVA2HEX.EXE」を 用いて、プログラムデバッグに使用したEVAファイルをHEXファイルに変換します。このファイルデータが 書き込みデータとなります。 (2) EPROMへの書き込み方法 (1) で作成したデータをLC86E6132に書き込みを行なう場合、専用の書き込み変換基板(W86EP6132Q)を 用いることによって、汎用EPROMプログラマを使用することができます。 ・EPROMプログラマには、下表に示すものが使用可能です。 メーカ 使用可能機種 アドバンテスト R4945, R4944, R4943 安藤 AF-9704 AVAL PKW-1100, PKW-3000 ミナトエレクトロニクス MODEL1890A ・書き込み方式には、 “27512(VPP=12.5V) インテル高速書き込み”を使用してください。その時、 アドレスの設定は“0∼7FFFH番地” を指定し、ジャンパ(DASEC)は必ずOFFにしてください。 No.6810-4/18 LC86E6132 (3) データセキュリティ機能の使用方法 「データセキュリティ」とは、予め、マイコンのEPROMに書き込まれているデータを読み出せないように する機能です。 LC86E6132にデータセキュリティをかける場合には以下の手順で行なってください。 1.書き込み変換基板上のジャンパ(DASEC)をONにします。 2.再度、データを書き込みます。 この時、本機能が動作するために、EPROMプログラマはエラーを表示しますが、プログラマ及び LSIの異常ではありません。 注意: ・手順2で、全アドレスのデータが“FF”の場合は、データセキュリティはかかりません。 ・手順2で、「BLANK⇒PROGRAM⇒VERIFY」の連続動作による書き込みでは、データセキュリティは かかりません。 ・データセキュリティを行なった後は、必ずジャンパをOFFに戻してください。 セキュリティーをかけるとき セキュリティーをかけないとき W86EP6132Q (4) 消去方法 書き込みデータを消去するときには、汎用のEPROMイレーザを使用してください。 (5) 遮光 UVEPROM(紫外線消去型EPROM)を内蔵しています。実際に使用する際には窓に遮光シールを貼って ください。 No.6810-5/18 LC86E6132 VDDVPP S16 VP S17 S18 S19 S20 S21 S22 S23 S24 S25 S26 S27 S28 S29 S30 S31 P00 P01 P02 P03 P04 S8 / T8 P15 / SCK1 73 32 S7 / T7 P16 / BUZ 74 31 S6 / T6 P17 / PWM0 75 30 S5 / T5 P30 76 29 S4 / T4 P31 77 28 S3 / T3 P32 78 27 S2 / T2 P33 79 26 S1 / T1 P34 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 25 S0 / T0 P81 / AN1 P82 / AN2 P83 / AN3 P84 / AN4 P85 / AN5 P86 / AN6 P87 / AN7 P70 / INT0 P71 / INT1 P72 / INT2 / T0IN P73 / INT3 / T0IN 41 33 13 42 72 P80 / AN0 43 S9 / T9 P14 / SI1 / SB1 12 44 34 11 45 71 CF2 VDD 46 S10 / T10 P13 / SO1 10 47 35 CF1 48 70 9 49 S11 / T11 P12 / SCK0 8 50 36 XT2 VSS 51 69 7 52 S12 / T12 P11 / SI0 / SB0 XT1 / P74 53 37 6 54 68 RES 55 S13 / T13 P10 / SO0 5 56 38 TEST1 57 S14 / T14 67 4 58 39 PWM1 59 66 3 60 P07 VSS P37 61 65 1 2 62 40 P06 P35 63 64 P05 ピン配置図 P36 24 80 S15 / T15 ILC00011 No.6810-6/18 LC86E6132 システムブロック図 IR スタンバイ制御 EPROM 制御 CF RC X'tal クロック ジェネレータ 割込制御 PLA A15--A0 D7--D0 TA CE OE DASEC VDDVPP EPROM(32KB) ベースタイマ バス インタフェース SIO0 ポート1 SIO1 ポート7 タイマ0 ポート8 PC ACC Bレジスタ Cレジスタ ALU タイマ1 ADC ポート3 PSW INT0∼3 ノイズ除去フィルタ RAR リアルタイム サービス RAM RAM 128バイト VFD表示 コントローラ 高耐圧出力 PWM1 スタックポインタ ポート0 ウォッチドック タイマ ILC00038 No.6810-7/18 LC86E6132 LC86E6132 端子説明 端子名 入出力 機能説明 オプション VSS VDD 電源の−端子 電源の+端子 VP 電源の−端子(蛍光表示管駆動出力専用電源) VDDVPP *6 電源の+端子 PROM モード時 (プルダウン抵抗用電源) PORT 0 入出力 P00∼P07 書き込み電源 ・8ビットの入出力ポート ・プルアップ抵抗: 有/無 ・4ビット単位の入出力指定 ・出力形式: ・HOLD解除入力 CMOS / Nチャネルオープンドレイン ・ポート0割り込み入力 PORT 1 入出力 P10∼P17 ・8ビットの入出力ポート 出力形式: ・1ビット単位の入出力指定可能 CMOS / Nチャネルオープンドレイン D0∼D7 データ入出力 ・兼用機能 P10:SIO0 データ出力 P11:SIO0 データ入力/バス入出力 P12:SIO0 クロック入出力 P13:SIO1 データ出力 P14:SIO1 データ入力/バス入出力 P15:SIO1 クロック入出力 P16:ブザー(BUZ )出力 P17:タイマ1出力(PWM出力) PORT 3 P30∼P37 入力 PORT 7 ・8ビットの入力ポート ・1ビット単位の入出力指定可能 出力形式: CMOS / Nチャネルオープンドレイン ・4ビットの入力ポート プルアップ抵抗: 有/無 ・兼用機能 P70 入出力 P70:INT0 入力/HOLD解除入力/ PROM制御信号入力 ウオッチドッグタイマ用 Nch-Tr.出力 P71∼P73 入力 P71:INT1 入力/HOLD解除入力 ・DASEC(*1) P72:INT2 入力/タイマ0イベント入力 ・OE(*2) P73:INT3入力(ノイズフィルタ付入力)/ ・CE(*3) タイマ0イベント入力 P74:32.768KHz水晶発振子用入力端子XT1 ・インタラプト受付形式, ベクタアドレス 立 立 立 立 H L ベ ち ち ち ち レ レ ク 上 下 上&下 ベ ベ タ が が が が ル ル り り り り INT0 ○ ○ × ○ ○ 03H INT1 ○ ○ × ○ ○ 0BH INT2 INT3 PORT 8 入力 P80∼P87 ○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × × 13H 1BH ・8ビットの入力ポート ・兼用機能 AD入力ポート(8本) S0 / T0∼ S6 / T6 出力 *7 S7 / T7∼ S15 / T15 セグメント/タイミング共用出力 出力 *8 蛍光表示管表示コントローラ 蛍光表示管表示コントローラ ・S14 / T14 : TA(*4) セグメント/タイミング共用出力 ・S15 / T15 : A14(*5) プルダウン抵抗内蔵出力 No.6810-8/18 LC86E6132 端子名 S16∼S23 入出力 機能説明 出力 *9 オプション PROM モード時 蛍光表示管表示コントローラ アドレス入力 セグメント出力 A13∼A0 プルダウン抵抗内蔵出力 S24∼S31 *10 出力 蛍光表示管表示コントローラ セグメント出力 RES 入力 リセット端子 TEST1 出力 テスト端子。オープンで使用してください。 XT1 / P74 入力 HIGH固定出力 ・32.768kHz 水晶発振子用入力端子。 ・兼用入力 入力ポートP74 使用しない場合はVDDに接続してください。 32.768kHz 水晶発振子用出力端子 XT2 出力 CF1 入力 セラミック発振子用入力端子 CF2 出力 セラミック発振子用出力端子 使用しない場合はオープンにして下さい。 ◎ポートのオプションはすべてビット単位で指定可能です。 *1 データセキュリティ用メモリ選択入力 *2 アウトプットイネーブル入力 *3 チップイネーブル入力 *4 TA→PROM制御信号入力 *5 A14→アドレス入力 *6 VDD端子にはいるノイズを小さくするために、次のように接続してください。 VDD端子とVDDVPP端子を電気的にショートしてください。 LSI VDD 電源 VDD VPP VSS ILC00025 *7 S0 / T0∼S6 / T6には、プルダウン抵抗なし *8 S7 / T7∼S15 / T15には、プルダウン抵抗あり(固定) *9 S16∼S23には、プルダウン抵抗あり(固定) *10 S24∼S31には、プルダウン抵抗なし No.6810-9/18 LC86E6132 1. 絶対最大定格 / Ta=25℃, VSS=0V 項目 最大電源電圧 入力電圧 記号 VDDMAX VI(1) 適用端子・備考 条件 規格 min typ max unit −0.3 ∼ +7.0 V −0.3 ∼ VDD+0.3 VP VDD−45 ∼ VDD+0.3 ・S0 / T0∼S15 / T15 VDD, VDDVPP VDD=VDDVPP ・ポート71, 72, 73, 74, 8 VDD[V] ・RES 出力電圧 入出力電圧 VI(2) VO(1) VO(2) VIO(1) VDD−45 ∼ VDD+0.3 ・S16∼S31 PWM1 −0.3 ∼ VDD+0.3 ・ポート0, 1, 3 −0.3 ∼ VDD+0.3 ・ポート70 ピ−ク出力電流 高 レ ベ ル 出 合計出力電流 力 電 流 IOPH(1) ・ポート0, 1, 3 IOPH(2) ・PWM1 適用1端子当り S0 / T0∼S15 / T15 適用1端子当り IOPH(3) S16∼S31 −4 −15 適用全端子合計 −30 ΣIOAH(2) ・S0 / T0∼S15 / T15 適用全端子合計 ・S16∼S31 −140 ΣIOAH(1) ・ポート0, 1, 3 mA −30 適用1端子当り ・PWM1 低 ピ−ク出力電流 IOPL(1) レ ベ IOPL(2) ル 合計出力電流 ΣIOAL(1) 出 ΣIOAL(2) 力 ΣIOAL(3) 電 流 許容消費電力 CMOS出力 Pd max ポート0, 1, 3 CMOS出力 ・PWM1 適用1端子当り 20 ポート70 ポート0 適用1端子当り 適用全端子合計 15 40 ポート1 ・ポート3 適用全端子合計 適用全端子合計 40 40 ・PWM1 QIC80E Ta=+10∼+40℃ 480 mW ℃ 動作周囲温度 Topg 10 ∼ 40 保存周囲温度 Tstg −65 ∼ 150 No.6810-10/18 LC86E6132 2. 許容動作条件 / Ta= + 10 ∼+ 40℃, VSS=0V 項目 動作電源電圧 記号 VDD(1) メモリ保持電源電圧 VHD 適用端子・備考 VDD VDD 条件 規格 max unit 0.98µs≦ Tcyc≦400µs VDD[V] min 4.5 typ 6.0 V HOLDモード時 2.0 6.0 −35 VDD VDD RAM, レジスタ保持 プルダウン電源電圧 VP VP 4.5∼6.0 高レベル入力電圧 ポート (シュミット) 出力ディセーブル 4.5∼6.0 0.4 VDD VIH(1) +0.9 出力ディセーブル 4.5∼6.0 0.75 VDD VDD 出力Nch Tr. オフ 4.5∼6.0 0.75 VDD VDD VIH(4) ポート70 出力Nch Tr. オフ ウオッチドッグタイマ側 4.5∼6.0 0.9 VDD VDD VIH(5) ・ポート74 4.5∼6.0 0.75 VDD VDD VIH(2) ・ポート1, 3 ・ポート72, 73 (シュミット) VIH(3) ポート70 ポート入力/ 割り込み側 ポート71 RES (シュミット) ・ポート8 低レベル入力電圧 VIL(1) VIL(2) ・ ポート0 (シュミット) 出力ディセーブル 4.5∼6.0 4.5∼6.0 VSS VSS ・ポート1, 3 出力ディセーブル 0.2 VDD 0.25 VDD 出力Nch Tr. オフ 4.5∼6.0 VSS 0.25 VDD 出力Nch Tr. オフ 4.5∼6.0 VSS 0.8 VDD 4.5∼6.0 VSS −1.0 0.25 VDD 4.5∼6.0 12MHz セラミック発振時 4.5∼6.0 0.98 11.76 12 400 12.24 3MHz セラミック発振時 4.5∼6.0 2.94 3 3.06 図1参照 内蔵RC発振 0.4 0.8 3.0 kHz 0.02 0.2 ms 0.1 1 s 1 1.5 ・ポート72, 73 (シュミット) VIL(3) ・ポート70 ポート入力/ 割り込み側 ・ポート71 ・ RES (シュミット) VIL(4) ポート70 VIL(5) ウオッチドッグタイマ側 ・ポート74 ・ ポート8 命令サイクルタイム Tcyc 発振周波数範囲 FmCF(1) CF1, CF2 (注1) µs MHz 図1参照 FmCF(2) CF1, CF2 FmRC FsXtal XT1, XT2 4.5∼6.0 32.768kHz 水晶発振時 4.5∼6.0 32.768 図2参照 発振安定時間 TmsCF(1) CF1, CF2 12MHz セラミック発振時 4.5∼6.0 TmsCF(2) CF1, CF2 3MHz セラミック発振時 4.5∼6.0 TssXtal XT1, XT2 (注1) 図3参照 図3参照 32.768kHz 水晶発振時 4.5∼6.0 図3参照 (注1)発振定数は表1, 2参照のこと. No.6810-11/18 LC86E6132 3. 電気的特性 / Ta= + 10 ∼+ 40℃, VSS=0V 項目 記号 高レベル入力電流 IIH(1) 適用端子・備考 条件 ・ポート1, 3 ・出力ディセーブル ・プルアップMOS Tr. ・プルアップMOS Tr. オフ 無しのポート0 VDD[V] 4.5∼6.0 規格 min typ max unit 1 µA ・VIN=VDD (出力 Tr. のオフリーク電流 を含 む) IIH(2) ・プルアップMOS Tr. VIN=VDD 4.5∼6.0 1 4.5∼6.0 1 無しのポート70, 71, 72, 73 IIH(3) 低レベル入力電流 IIL(1) ・ポート8 RES ・ポート1, 3 VIN=VDD ・出力ディセーブル ・プルアップMOS Tr. ・プルアップMOS Tr. オフ 無しのポート0 ・VIN=VSS 4.5∼6.0 −1 VIN=VSS 4.5∼6.0 −1 VIN=VSS IOH=−1.0mA 4.5∼6.0 −1 ・CMOS出力の 4.5∼6.0 VDD−1 VOH(2) ポート0, 1, 3 IOH=−0.1mA 4.5∼6.0 VDD−0.5 VOH(3) ・PWM1 S0 / T0∼S15 / T15 IOH=−20mA 4.5∼6.0 VDD−1.8 IOH=−1mA 4.5∼6 0 VDD−1 (出力Tr. のオフリーク電流 を含む) IIL(2) ・プルアップMOS Tr. 無しの ポート70, 71, 72 , 73 IIL(3) 高レベル出力電圧 VOH(1) ・ポート8 RES VOH(4) V 全端子の1本当りの IOHは1mA以下の時 VOH(5) S16∼S31 VOH(6) IOH=−5mA 4.5∼6.0 VDD−1.8 IOH=−1mA 4.5∼6.0 VDD−1 全端子の1本当りの ・ポート0, 1, 3 IOHは1mA以下の時 IOL=10mA 4.5∼6.0 VOL(2) VOL(3) ・PWM1 ポート70 IOL=1.6mA IOL=1mA 4.5∼6.0 4.5∼6.0 Rpu ・ポート0, 1, 2, 3, 4, 5 VOH=0.9VDD 4.5∼6.0 15 低レベル出力電圧 VOL(1) プルアップ MOSTr抵抗 ・ポート70, 71, 72, 73 出力オフリーク電流 IOFF(1) プルダウン抵抗無しの ・出力Pch Tr. オフ 4.5∼6.0 −1 S0 / T0∼S6 / T6 ・VOUT=VSS ・出力Pch Tr. オフ 4.5∼6.0 −30 5.0 60 40 1.5 0.4 0.4 70 kΩ µA IOFF(2) S24∼S31 Rpd プルダウン抵抗有りの ・出力Pch Tr. オフ ・S7 / T7∼S15 / T15 ・VOUT=3V ・S16∼S24 ・VP=−30V 出力ディセーブル 4.5∼6.0 0.1 VDD V ・f=1MHz 4.5∼6.0 10 pF ・VOUT=VDD−40V プルダウン抵抗 ヒステリシス電圧 VHIS ・ポート0, 1, 3 100 200 kΩ ・ポート70, 71, 72, 73 ・RES 端子容量 CP 全端子 ・被測定端子以外は、 VIN=VSS ・Ta=25℃ No.6810-12/18 LC86E6132 4. シリアル入出力特性 / Ta= + 10 ∼+ 40℃, VSS=0V 項目 シ リ ア ル 入 周期 力 低レベル ク パルス幅 ロ ッ 高レベル ク パルス幅 ク 出 周期 ロ 力 低レベル ッ ク パルス幅 ク ロ ッ 高レベル ク パルス幅 記号 適用端子・備考 条件 規格 VDD[V] min 4.5 ∼ 6.0 2 tCKL(1) 4.5 ∼ 6.0 1 tCKH(1) 4.5 ∼ 6.0 1 ・オープンドレイン出力時は 4.5 ∼ 6.0 1kΩ のプルアップ抵抗 4.5 ∼ 6.0 2 tCKCY(1) tCKCY(2) tCKL(2) ・SCK0, SCK1 ・SCK0, SCK1 を外付けする。 ・図 5 参照 tCKH(2) シ デ−タセット tICK リ アップ時間 ア ル 入 力 デ−タホ−ルド時間 tCKI シリアルクロック tCKO(1) が外部クロック ・図 5 参照 ・SI0, SI1 ・SCK0, SCK1 の立ち 4.5 ∼ 6.0 上がりに対して 規定する。 max unit Tcyc 1 / 2 Tckcy 4.5 ∼ 6.0 ・SB0, SB1 typ 1 / 2 Tckcy µs 0.1 ・図 5 参照 4.5 ∼ 6.0 ・SO0, SO1 ・SB0, SB1 時の出力遅延 時間 0.1 ・SCK0, SCK1 の立ち 4.5 ∼ 6.0 下がりに対して 7 / 12 Tcyc + 0.2 規定する。 ・オープンドレイン出力時は 1kΩ のプルアップ抵抗 を外付けする。 シ リ ア ル シリアルクロック tCKO(2) 出 が内部クロック 力 時の出力遅延 ・SI0, SI1 ・SB0, SB1 時間 ・図 5 参照 ・SCK0, SCK1 の立ち 4.5 ∼ 6.0 1 / 3 Tcyc 下がりに対して 規定する。 + 0.2 ・オープンドレイン出力時は 1kΩ のプルアップ抵抗 を外付けする。 ・図 5 参照 5. パルス入力条件 / Ta= + 10 ∼+ 40℃, VSS=0V 項目 記号 適用端子・備考 条件 VDD[V] 規格 min 4.5 ∼ 6.0 1 2 高・低レベル TPIH(1) ・INT0, INT1 ・割り込み要因フラグ パルス幅 TPIL(1) ・INT2 / T0IN をセットできる。 ・タイマ / カウンタ 0 が TPIH(2) ノイズ除去フィルタの パルスカウントできる。 ・割り込み要因フラグ 4.5 ∼ 6.0 TPIL(2) 時定数が 1 / 1 の 場合の INT3 / T0IN をセットできる。 ・タイマ / カウンタ 0 が TPIH(3) ノイズ除去フィルタの パルスカウントできる。 ・割り込み要因フラグ 4.5 ∼ 6.0 TPIL(3) 時定数が 1 / 16 の 場合の INT3 / T0IN をセットできる。 ・タイマ / カウンタ 0 が TPIL(4) RES パルスカウントできる。 リセットできる。 4.5 ∼ 6.0 typ max unit Tcyc 32 µs 200 No.6810-13/18 LC86E6132 6. AD 変換特性 / Ta= + 10 ∼+ 40℃, VSS=0V 項目 記号 分解能 N 絶対精度 変換時間 ET TCAD アナログ入力 VAIN 適用端子・備考 条件 規格 VDD[V] 4.5∼6.0 (注2) AD変換時間=16×Tcyc min typ max 8 unit bit 15.68 ±1.5 65.28 (ADCR2=0の時) (注3) (Tcyc= 0.98µs) (Tcyc= 4.08µs) AD変換時間=32×Tcyc (ADCR2=1の時) 31.36 (Tcyc= 130.56 (Tcyc= (注3) 0.98µs) VSS 4.08µs) VDD V 1 µA AN0∼AN7 電圧範囲 アナログポート IAINH VAIN=VDD 入力電流 IAINL VAIN=VSS (注2) 絶対精度は量子化誤差(±1 / 2 LSB)を除く。 LSB µs −1 (注3) 変換時間は、変換をスタートさせる命令が出てからアナログ入力値に対する完全なデジタル変換値がレジス タに設定されるまでの時間をいう。 7. 消費電流特性 / Ta= + 10 ∼+ 40℃, VSS=0V 項目 通常動作時 記号 IDDOP(1) 適用端子・備考 VDD 条件 ・FmCF=12MHz VDD[V] 4.5∼6.0 規格 min typ max unit 11 27 mA 6 14 4 12 3 10 セラミック発振時 ・FsXtal=32.768 kHz 消費電流 (注4) 水晶発振時 ・システムクロックは12MHz側 IDDOP(2) ・内蔵RC発振は停止 ・FmCF=3MHz 4.5∼6.0 セラミック発振時 ・FsXtal=32.768kHz 水晶発振時 ・システムクロックは3MHz側 IDDOP(3) ・内蔵RC発振は停止 ・FmCF=0Hz (発振停止) 4.5∼6.0 ・FsXtal=32.768kHz 水晶発振時 ・システムクロックは内蔵 RC発振 IDDOP(4) ・FmCF=0Hz (発振停止) 4.5∼6.0 ・FsXtal=32.768kHz 水晶発振時 ・システムクロックは32.768kHz側 ・内蔵RC発振は停止 No.6810-14/18 LC86E6132 7. 消費電流特性 / Ta= + 10 ∼+ 40℃, VSS=0V 項目 HALTモード 記号 適用端子・備考 IDDHALT(1) VDD 消費電流 (注4) 条件 規格 typ max unit 4.5∼6.0 5 11 mA 4.5∼6.0 2.2 9 ・内蔵RC発振は停止 ・HALTモード 4.5∼6.0 400 1100 25 100 0.05 30 ・HALTモード VDD[V] min ・FmCF=12MHz セラミック発振時 ・FsXtal=32.768kHz 水晶発振時 ・システムクロックは12MHz ・内蔵RC発振は停止 IDDHALT(2) ・HALTモード ・FmCF=3MHz セラミック発振時 ・FsXtal=32.768kHz 水晶発振時 ・システムクロックは3MHz IDDHALT(3) µA ・FmCF=0Hz (発振停止) ・FsXtal=32.768kHz 水晶発振時 ・システムクロックは内蔵RC発振 IDDHALT(4) ・HALTモード 4.5∼6.0 ・FmCF=0Hz (発振停止) ・FsXtal=32.768kHz 水晶発振時 ・システムクロックは 32.768kHz側 ・内蔵RC発振は停止 HOLDモード 消費電流 IDDHOLD(1) VDD HOLDモード 4.5∼6.0 (注4) (注4)消費電流は出力 Tr. およびプルアップ MOS Tr.に流れる電流を含まない。 No.6810-15/18 LC86E6132 表 1 セラミック発振保証定数(メインクロック) 発振の種類 メ−カ 発振子 C1 C2 12MHz セラミック発振 ムラタ CSA12.0MTZ 33pF 33pF 京セラ CST12.0MTW KBR-12.0M 3 MHzセラミック発振 ムラタ 内蔵 33pF 33pF CSA 3.00MG CST3.00MGW 33pF 内蔵 京セラ KBR-3.0MS ※ C1, C2 はK公差(± 10%), SL 特性を使用すること。 47pF 表 2 水晶発振保証定数(サブクロック) 発振の種類 メーカ 発振子 32.768kHz 水晶発振 33pF 47pF C3 C4 大真空 DT-38 (1TA252E00) 18pF 18pF 京セラ KF-38G-13P0200 18pF 18pF ※C3, C4 はJ公差(±5%), CH特性を使用すること。 (高精度を必要としないものについては、K公差(±10%), SL特性を使用すること。) (注意)・回路パタ−ンの影響を受けるので、発振に関わる部品はできるだけパタ−ン長を伸ばさないように 近くに配置すること。 ・上記以外の発振子を用いた場合には、特性を保証できない。 CF1 C1 CF2 CF XT1 C2 図1 セラミック発振回路 C3 XT2 X'tal C4 図2 水晶発振回路 ILC00059 ILC00065 No.6810-16/18 LC86E6132 VDD 動作VDD下限 0V 電源 リセット時間 RES 内蔵RC発振 tms CF CF1, CF2 tss Xtal XT1, XT2 動作モード 不定 リセット 命令実行 リセット時間と発振安定時間 HOLD解除信号 Valid 内蔵RC発振 tms CF CF1, CF2 tss Xtal XT1, XT2 動作モード HOLD 命令実行 HOLD解除信号と発振安定時間 図3 発振安定時間 ILC00046 No.6810-17/18 LC86E6132 VDD RRES RES CRES (注意)電源が動作電源電圧の下限を上回ったあと 200µsまでは必ずリセットがかかるように RRES, CRESの値を決めること。 図4 リセット回路 ILC00052 0.5VDD ACタイミング測定点 VDD tCKCY tCKL tCKH SCK0 SCK1 1kΩ tICK tCKI SI0 SI1 tCKO 50pF SO0, SO1 SB0, SB1 タイミング テスト負荷 図5 シリアル入出力テスト条件 tPIL ILC00073 tPIH 図6 パルス入力タイミング条件 ILC00074 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品(機器)での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物(役務を含む)に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報(掲載回路および回路定数を含む)は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第3者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.6810-18/18