ETC LC86E6132

注文コード No. N ※ 6 8 1 0
LC86E6132
No.N ※ 6 8 1 0
N1000
LC86E6132
CMOS LSI
UVEPROM 内蔵型
8 ビット 1 チップマイクロコンピュータ
概要
LC86E6132 は、CMOS 8ビット1チップマイクロコンピュータ LC866100シリーズのUVEPROM内蔵型マイクロ
コンピュータです。
マスクROM版のLC866100シリーズと同等の機能, ピン配置を持ち、EPROMサイズは32Kバイトです。
繰り返しプログラムの書き換えが可能であり、プログラムの開発用として最適です。
特長
■ EPROMデータによるオプション切り換えが可能
LC866100シリーズのオプション機能をEPROMデータによって指定できます。
これにより、量産セット基板を使用した試作評価ができます。
■ 内蔵するEPROMの容量
:
32768バイト
■ 内蔵するRAMの容量
:
640バイト
* 32768バイトEPROM, 640バイトRAMのうち、使用できるEPROM容量, RAM容量は、LC86E6132を適用する
マスクROM版のマスクROM容量やRAM容量と同じになります。
LC86E6132を適用する
LC86E6132で使用できる
LC86E6132で使用できる
マスクROM版
PROM容量
RAM容量
LC866132
32512バイト
640バイト
LC866128
28672バイト
640バイト
LC866124
24576バイト
640バイト
LC866120
20480バイト
512バイト
LC866116
16384バイト
512バイト
LC866112
12288バイト
384バイト
LC866108
8192バイト
384バイト
■ 動作電源電圧
:
■ 命令サイクルタイム
:
4.5∼6.0V
0.98µs∼400µs
■ 動作周囲温度
:
+10℃∼+40℃
■ マスクROM版と同一ピン配列(ピンコンパチブル)
■ 適用するマスクROM版
:
LC866132 / LC866128 / LC866124 / LC866120 / LC866116 /LC866112
/ LC866108
■ 出荷形態
QIC-80E(窓付き)
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途(生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
Ver. 1.01A
N1000 HK IM ◎斎藤 No.6810-1/18
LC86E6132
使用上の注意点
LC86E6132を使用する際には、次の点に注意して下さい。
(1) LC86E6132とLC866100シリーズとの相違点
項目
リセット時の
LC86E6132
LC866132/28/24/20/16/12/08
次ページ「リセット時のポート形式」を参照してください。 ポート形式
リセット解除後の動作
リセット端子に「H」レベルを印
リセット端子に「H」レベルを
加してから3ms程度の期間はLSI内 印加すると、すぐにプロラムカウ
部でオプションの設定を行います。ンタの0番地からプログラムを実
この期間に徐々にオプションが切
行します。
り換わります。その後、プログラム
カウンタの0番地からプログラム
を実行します。
高耐圧端子の
プルダウン抵抗
プルダウン抵抗 有/無
プルダウン抵抗
・S0 / T0∼S6 / T6
無し
オプションで指定可
・S7 / T7∼S15 / T15
有り(固定)
有り(固定)
・S16∼S23
有り(固定)
オプションで指定可
無し
4.5∼6.0V
オプションで指定可
2.5∼6.0V
+10∼+40℃
−30∼+70℃
・S24∼S31
動作電源電圧 (VDD)
動作周囲温度 (Topg)
通常動作時消費電流
半導体ニューズ「電気的特性」を参照してください。
LC86E6132 は、プログラムメモリと同一空間上の7F00H∼7FFFH番地の256バイトを使用してオプションを指
定します。このオプション指定では、LC866100シリーズの持つ全てのオプションを実現できません。
LC866100シリーズのオプションのうち、LC86P6132で対応できるオプションと対応できないオプションを示し
ます。
・LC86E6132 で対応できるオプションの種類
オプションの種類
適用端子,回路
入出力ポートの
ポート0
入出力仕様
(指定はビット単位)
オプション内容
1.入力:プルアップMOS Tr.なし
出力:Nチャネルオープンドレイン
2.入力:プルアップMOS Tr.あり
ポート1
(指定はビット単位)
出力:CMOS
1.入力:プログラマブル プルアップMOS Tr.あり
出力:Nチャネルオープンドレイン
2.入力:プログラマブル プルアップMOS Tr.あり
出力:CMOS
ポート3
(指定はビット単位)
1.入力:プログラマブル プルアップMOS Tr.なし
出力:Nチャネルオープンドレイン
2.入力:プログラマブル プルアップMOS Tr.あり
出力:CMOS
入力ポートの
ポート7
プルアップMOS Tr. (指定はビット単位)
1.プルアップMOS Tr. なし
2.プルアップMOS Tr. あり
・LC86E6132 で対応できないオプションの種類
オプションの種類
高耐圧出力端子の
プルダウン抵抗
適用端子,回路
LC86E6132
LC866132/28/24/20/16/12/08
・S0 / T0∼S6 / T6
・S16∼S23
無し
オプションで指定可能
有り(固定) オプションで指定可能
・S24∼S31
無し
オプションで指定可能
(指定はビット単位)
また、リセット時にはオプションに関係するポートの動作が異なります。次表を参照してください。
No.6810-2/18
LC86E6132
・リセット時のポート形式
適用端子
P0
オプション内容
入力:プルアップMOS Tr. なし
出力:N チャネルオープンドレイン
入力:プルアップMOS Tr. あり
出力:CMOS
LC86E6132
(マスク版と同じ)
LC866132/28/24/20/16/12/08
プルアップMOS Tr. の付かない
入力モード(出力はオフ)
入力モード
プルアップMOS Tr. の付いた
・リセット期間中及び リセット
入力モード(出力はオフ)
解除後の数百µs の間、
プルアップMOS Tr. は付きません。
それ以後はプルアップMOS Tr.
は付きます。(出力はオフ)
P1
入力:プログラマブルプルアップ
MOS Tr. あり
プルアップMOS Tr. の付かない
出力:Nチャネルオープンドレイン
入力:プログラマブルプルアップ
MOS Tr. あり
(マスク版と同じ)
入力:プログラマブルプルアップ
MOS Tr. なし
(マスク版と同じ)
入力:プログラマブルプルアップ
出力:CMOS
P7
入力モード(出力はオフ)
プルアップMOS Tr.の付かない
(マスク版と同じ)
プルアップMOS Tr.なし
入力モード(出力はオフ)
プルアップMOS Tr.の付かない
(マスク版と同じ)
プルアップMOS Tr.あり
入力モード(出力はオフ)
プルアップMOS Tr.の付かない
出力:N チャネルオープンドレイン
MOS Tr.あり
入力モード(出力はオフ)
プルアップMOS Tr. の付かない
出力:CMOS
P3
(マスク版と同じ)
入力モード
入力モード
プルアップMOS Tr.の付いた
・リセット期間中及びリセット
入力モード
解除後の数百µsの間、
プルアップMOS Tr.は付きません。
それ以後はプルアップMOS Tr.
は付きます。
(2) オプション設定プログラム
オプションデータはオプション設定プログラム「SU866100.EXE」で作成されます。作成されたオプショ
ンデータ はリンカ「L866100.EXE」によってプログラム領域に連結されます。
No.6810-3/18
LC86E6132
(3) ROM空間
LC86E6132とLC866100シリーズはプログラムメモリと同一空間の7F00H∼7FFFHの256バイトをオプション指
定領域として使用しているため、プログラムメモリ容量は最大0000H∼7EFFHの32512バイトになります。
7FFFH
オプション指定
領域256バイト
7F00H
オプション
指定領域
オプション
指定領域
オプション
指定領域
オプション
指定領域
オプション
指定領域
オプション
指定領域
7EFFH
6FFFH
5FFFH
4FFFH
3FFFH
2FFFH
1FFFH
プログラム領域 プログラム領域 プログラム領域 プログラム領域 プログラム領域 プログラム領域 プログラム領域
0000H
32Kバイト
28Kバイト
24Kバイト
20Kバイト
16Kバイト
12Kバイト
8Kバイト
LC866132
LC86E6132
LC866128
LC866124
LC866120
LC866116
LC866112
LC866108
使用方法
(1) 書き込みデータ作成
LC86E6132に書き込むデータを用意する必要があります。ファイル変換プログラム「EVA2HEX.EXE」を
用いて、プログラムデバッグに使用したEVAファイルをHEXファイルに変換します。このファイルデータが
書き込みデータとなります。
(2) EPROMへの書き込み方法
(1) で作成したデータをLC86E6132に書き込みを行なう場合、専用の書き込み変換基板(W86EP6132Q)を
用いることによって、汎用EPROMプログラマを使用することができます。
・EPROMプログラマには、下表に示すものが使用可能です。
メーカ
使用可能機種
アドバンテスト
R4945, R4944, R4943
安藤
AF-9704
AVAL
PKW-1100, PKW-3000
ミナトエレクトロニクス
MODEL1890A
・書き込み方式には、
“27512(VPP=12.5V)
インテル高速書き込み”を使用してください。その時、
アドレスの設定は“0∼7FFFH番地”
を指定し、ジャンパ(DASEC)は必ずOFFにしてください。
No.6810-4/18
LC86E6132
(3) データセキュリティ機能の使用方法
「データセキュリティ」とは、予め、マイコンのEPROMに書き込まれているデータを読み出せないように
する機能です。
LC86E6132にデータセキュリティをかける場合には以下の手順で行なってください。
1.書き込み変換基板上のジャンパ(DASEC)をONにします。
2.再度、データを書き込みます。
この時、本機能が動作するために、EPROMプログラマはエラーを表示しますが、プログラマ及び
LSIの異常ではありません。
注意:
・手順2で、全アドレスのデータが“FF”の場合は、データセキュリティはかかりません。
・手順2で、「BLANK⇒PROGRAM⇒VERIFY」の連続動作による書き込みでは、データセキュリティは
かかりません。
・データセキュリティを行なった後は、必ずジャンパをOFFに戻してください。
セキュリティーをかけるとき
セキュリティーをかけないとき
W86EP6132Q
(4) 消去方法
書き込みデータを消去するときには、汎用のEPROMイレーザを使用してください。
(5) 遮光
UVEPROM(紫外線消去型EPROM)を内蔵しています。実際に使用する際には窓に遮光シールを貼って
ください。
No.6810-5/18
LC86E6132
VDDVPP
S16
VP
S17
S18
S19
S20
S21
S22
S23
S24
S25
S26
S27
S28
S29
S30
S31
P00
P01
P02
P03
P04
S8 / T8
P15 / SCK1
73
32
S7 / T7
P16 / BUZ
74
31
S6 / T6
P17 / PWM0
75
30
S5 / T5
P30
76
29
S4 / T4
P31
77
28
S3 / T3
P32
78
27
S2 / T2
P33
79
26
S1 / T1
P34
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
25
S0 / T0
P81 / AN1
P82 / AN2
P83 / AN3
P84 / AN4
P85 / AN5
P86 / AN6
P87 / AN7
P70 / INT0
P71 / INT1
P72 / INT2 / T0IN
P73 / INT3 / T0IN
41
33
13
42
72
P80 / AN0
43
S9 / T9
P14 / SI1 / SB1
12
44
34
11
45
71
CF2
VDD
46
S10 / T10
P13 / SO1
10
47
35
CF1
48
70
9
49
S11 / T11
P12 / SCK0
8
50
36
XT2
VSS
51
69
7
52
S12 / T12
P11 / SI0 / SB0
XT1 / P74
53
37
6
54
68
RES
55
S13 / T13
P10 / SO0
5
56
38
TEST1
57
S14 / T14
67
4
58
39
PWM1
59
66
3
60
P07
VSS
P37
61
65
1
2
62
40
P06
P35
63
64
P05
ピン配置図
P36
24
80
S15 / T15
ILC00011
No.6810-6/18
LC86E6132
システムブロック図
IR
スタンバイ制御
EPROM
制御
CF
RC
X'tal
クロック
ジェネレータ
割込制御
PLA
A15--A0
D7--D0
TA
CE
OE
DASEC
VDDVPP
EPROM(32KB)
ベースタイマ
バス
インタフェース
SIO0
ポート1
SIO1
ポート7
タイマ0
ポート8
PC
ACC
Bレジスタ
Cレジスタ
ALU
タイマ1
ADC
ポート3
PSW
INT0∼3
ノイズ除去フィルタ
RAR
リアルタイム
サービス
RAM
RAM
128バイト
VFD表示
コントローラ
高耐圧出力
PWM1
スタックポインタ
ポート0
ウォッチドック
タイマ
ILC00038
No.6810-7/18
LC86E6132
LC86E6132 端子説明
端子名
入出力
機能説明
オプション
VSS
VDD
電源の−端子
電源の+端子
VP
電源の−端子(蛍光表示管駆動出力専用電源)
VDDVPP *6
電源の+端子
PROM モード時
(プルダウン抵抗用電源)
PORT 0
入出力
P00∼P07
書き込み電源
・8ビットの入出力ポート
・プルアップ抵抗: 有/無 ・4ビット単位の入出力指定
・出力形式:
・HOLD解除入力
CMOS / Nチャネルオープンドレイン
・ポート0割り込み入力
PORT 1
入出力
P10∼P17
・8ビットの入出力ポート
出力形式:
・1ビット単位の入出力指定可能
CMOS / Nチャネルオープンドレイン D0∼D7
データ入出力
・兼用機能
P10:SIO0 データ出力
P11:SIO0 データ入力/バス入出力
P12:SIO0 クロック入出力
P13:SIO1 データ出力
P14:SIO1 データ入力/バス入出力
P15:SIO1 クロック入出力
P16:ブザー(BUZ )出力
P17:タイマ1出力(PWM出力)
PORT 3
P30∼P37
入力
PORT 7
・8ビットの入力ポート
・1ビット単位の入出力指定可能
出力形式:
CMOS / Nチャネルオープンドレイン
・4ビットの入力ポート
プルアップ抵抗: 有/無 ・兼用機能
P70
入出力
P70:INT0 入力/HOLD解除入力/
PROM制御信号入力
ウオッチドッグタイマ用 Nch-Tr.出力
P71∼P73
入力
P71:INT1 入力/HOLD解除入力
・DASEC(*1)
P72:INT2 入力/タイマ0イベント入力
・OE(*2)
P73:INT3入力(ノイズフィルタ付入力)/
・CE(*3)
タイマ0イベント入力
P74:32.768KHz水晶発振子用入力端子XT1
・インタラプト受付形式, ベクタアドレス
立
立 立 立 H
L
ベ
ち
ち ち ち レ
レ
ク
上
下 上&下 ベ
ベ
タ
が
が が が ル
ル
り
り り り
INT0
○
○
× ○ ○ 03H
INT1
○
○
× ○ ○ 0BH
INT2
INT3
PORT 8
入力
P80∼P87
○
○
○
○
○
○
×
×
×
×
13H
1BH
・8ビットの入力ポート
・兼用機能
AD入力ポート(8本)
S0 / T0∼
S6 / T6
出力
*7
S7 / T7∼
S15 / T15
セグメント/タイミング共用出力
出力
*8
蛍光表示管表示コントローラ
蛍光表示管表示コントローラ
・S14 / T14 : TA(*4)
セグメント/タイミング共用出力
・S15 / T15 : A14(*5)
プルダウン抵抗内蔵出力
No.6810-8/18
LC86E6132
端子名
S16∼S23
入出力
機能説明
出力
*9
オプション
PROM モード時
蛍光表示管表示コントローラ
アドレス入力
セグメント出力
A13∼A0
プルダウン抵抗内蔵出力
S24∼S31
*10
出力
蛍光表示管表示コントローラ
セグメント出力
RES
入力
リセット端子
TEST1
出力
テスト端子。オープンで使用してください。
XT1 / P74
入力
HIGH固定出力
・32.768kHz 水晶発振子用入力端子。
・兼用入力
入力ポートP74
使用しない場合はVDDに接続してください。
32.768kHz 水晶発振子用出力端子
XT2
出力
CF1
入力
セラミック発振子用入力端子
CF2
出力
セラミック発振子用出力端子
使用しない場合はオープンにして下さい。
◎ポートのオプションはすべてビット単位で指定可能です。
*1
データセキュリティ用メモリ選択入力
*2
アウトプットイネーブル入力
*3
チップイネーブル入力
*4
TA→PROM制御信号入力
*5
A14→アドレス入力
*6
VDD端子にはいるノイズを小さくするために、次のように接続してください。
VDD端子とVDDVPP端子を電気的にショートしてください。
LSI
VDD
電源
VDD VPP
VSS
ILC00025
*7
S0 / T0∼S6 / T6には、プルダウン抵抗なし
*8
S7 / T7∼S15 / T15には、プルダウン抵抗あり(固定)
*9
S16∼S23には、プルダウン抵抗あり(固定)
*10 S24∼S31には、プルダウン抵抗なし
No.6810-9/18
LC86E6132
1. 絶対最大定格 / Ta=25℃, VSS=0V
項目
最大電源電圧
入力電圧
記号
VDDMAX
VI(1)
適用端子・備考
条件
規格
min
typ
max
unit
−0.3
∼
+7.0
V
−0.3
∼
VDD+0.3
VP
VDD−45
∼
VDD+0.3
・S0 / T0∼S15 / T15
VDD, VDDVPP
VDD=VDDVPP
・ポート71, 72, 73, 74, 8
VDD[V]
・RES
出力電圧
入出力電圧
VI(2)
VO(1)
VO(2)
VIO(1)
VDD−45
∼
VDD+0.3
・S16∼S31
PWM1
−0.3
∼
VDD+0.3
・ポート0, 1, 3
−0.3
∼
VDD+0.3
・ポート70
ピ−ク出力電流
高
レ
ベ
ル
出 合計出力電流
力
電
流
IOPH(1)
・ポート0, 1, 3
IOPH(2)
・PWM1
適用1端子当り
S0 / T0∼S15 / T15 適用1端子当り
IOPH(3)
S16∼S31
−4
−15
適用全端子合計
−30
ΣIOAH(2) ・S0 / T0∼S15 / T15 適用全端子合計
・S16∼S31
−140
ΣIOAH(1) ・ポート0, 1, 3
mA
−30
適用1端子当り
・PWM1
低 ピ−ク出力電流 IOPL(1)
レ
ベ
IOPL(2)
ル
合計出力電流 ΣIOAL(1)
出
ΣIOAL(2)
力
ΣIOAL(3)
電
流
許容消費電力
CMOS出力
Pd max
ポート0, 1, 3
CMOS出力
・PWM1
適用1端子当り
20
ポート70
ポート0
適用1端子当り
適用全端子合計
15
40
ポート1
・ポート3
適用全端子合計
適用全端子合計
40
40
・PWM1
QIC80E
Ta=+10∼+40℃
480
mW
℃
動作周囲温度
Topg
10
∼
40
保存周囲温度
Tstg
−65
∼
150
No.6810-10/18
LC86E6132
2. 許容動作条件 / Ta= + 10 ∼+ 40℃, VSS=0V
項目
動作電源電圧
記号
VDD(1)
メモリ保持電源電圧 VHD
適用端子・備考
VDD
VDD
条件
規格
max
unit
0.98µs≦ Tcyc≦400µs
VDD[V]
min
4.5
typ
6.0
V
HOLDモード時
2.0
6.0
−35
VDD
VDD
RAM, レジスタ保持
プルダウン電源電圧 VP
VP
4.5∼6.0
高レベル入力電圧
ポート (シュミット) 出力ディセーブル
4.5∼6.0 0.4 VDD
VIH(1)
+0.9
出力ディセーブル
4.5∼6.0 0.75 VDD
VDD
出力Nch Tr. オフ
4.5∼6.0 0.75 VDD
VDD
VIH(4)
ポート70
出力Nch Tr. オフ
ウオッチドッグタイマ側
4.5∼6.0 0.9 VDD
VDD
VIH(5)
・ポート74
4.5∼6.0 0.75 VDD
VDD
VIH(2)
・ポート1, 3
・ポート72, 73
(シュミット)
VIH(3)
ポート70
ポート入力/
割り込み側
ポート71
RES (シュミット)
・ポート8
低レベル入力電圧
VIL(1)
VIL(2)
・ ポート0 (シュミット) 出力ディセーブル
4.5∼6.0
4.5∼6.0
VSS
VSS
・ポート1, 3
出力ディセーブル
0.2 VDD
0.25 VDD
出力Nch Tr. オフ
4.5∼6.0
VSS
0.25 VDD
出力Nch Tr. オフ
4.5∼6.0
VSS
0.8 VDD
4.5∼6.0
VSS
−1.0
0.25 VDD
4.5∼6.0
12MHz セラミック発振時 4.5∼6.0
0.98
11.76
12
400
12.24
3MHz セラミック発振時 4.5∼6.0
2.94
3
3.06
図1参照
内蔵RC発振
0.4
0.8
3.0
kHz
0.02
0.2
ms
0.1
1
s
1
1.5
・ポート72, 73
(シュミット)
VIL(3)
・ポート70
ポート入力/
割り込み側
・ポート71
・ RES
(シュミット)
VIL(4)
ポート70
VIL(5)
ウオッチドッグタイマ側
・ポート74
・ ポート8
命令サイクルタイム Tcyc
発振周波数範囲
FmCF(1)
CF1, CF2
(注1)
µs
MHz
図1参照
FmCF(2)
CF1, CF2
FmRC
FsXtal
XT1, XT2
4.5∼6.0
32.768kHz 水晶発振時 4.5∼6.0
32.768
図2参照
発振安定時間
TmsCF(1)
CF1, CF2
12MHz セラミック発振時 4.5∼6.0
TmsCF(2)
CF1, CF2
3MHz セラミック発振時 4.5∼6.0
TssXtal
XT1, XT2
(注1)
図3参照
図3参照
32.768kHz 水晶発振時 4.5∼6.0
図3参照
(注1)発振定数は表1, 2参照のこと.
No.6810-11/18
LC86E6132
3. 電気的特性 / Ta= + 10 ∼+ 40℃, VSS=0V
項目
記号
高レベル入力電流 IIH(1)
適用端子・備考
条件
・ポート1, 3
・出力ディセーブル
・プルアップMOS Tr.
・プルアップMOS Tr. オフ
無しのポート0
VDD[V]
4.5∼6.0
規格
min
typ
max
unit
1
µA
・VIN=VDD
(出力 Tr. のオフリーク電流
を含 む)
IIH(2)
・プルアップMOS Tr.
VIN=VDD
4.5∼6.0
1
4.5∼6.0
1
無しのポート70, 71,
72, 73
IIH(3)
低レベル入力電流 IIL(1)
・ポート8
RES
・ポート1, 3
VIN=VDD
・出力ディセーブル
・プルアップMOS Tr.
・プルアップMOS Tr. オフ
無しのポート0
・VIN=VSS
4.5∼6.0
−1
VIN=VSS
4.5∼6.0
−1
VIN=VSS
IOH=−1.0mA
4.5∼6.0
−1
・CMOS出力の
4.5∼6.0 VDD−1
VOH(2)
ポート0, 1, 3
IOH=−0.1mA
4.5∼6.0 VDD−0.5
VOH(3)
・PWM1
S0 / T0∼S15 / T15
IOH=−20mA
4.5∼6.0 VDD−1.8
IOH=−1mA
4.5∼6 0 VDD−1
(出力Tr. のオフリーク電流
を含む)
IIL(2)
・プルアップMOS Tr.
無しの ポート70, 71,
72 , 73
IIL(3)
高レベル出力電圧 VOH(1)
・ポート8
RES
VOH(4)
V
全端子の1本当りの
IOHは1mA以下の時
VOH(5)
S16∼S31
VOH(6)
IOH=−5mA
4.5∼6.0 VDD−1.8
IOH=−1mA
4.5∼6.0 VDD−1
全端子の1本当りの
・ポート0, 1, 3
IOHは1mA以下の時
IOL=10mA
4.5∼6.0
VOL(2)
VOL(3)
・PWM1
ポート70
IOL=1.6mA
IOL=1mA
4.5∼6.0
4.5∼6.0
Rpu
・ポート0, 1, 2, 3, 4, 5
VOH=0.9VDD
4.5∼6.0
15
低レベル出力電圧 VOL(1)
プルアップ
MOSTr抵抗
・ポート70, 71, 72, 73
出力オフリーク電流 IOFF(1)
プルダウン抵抗無しの
・出力Pch Tr. オフ
4.5∼6.0
−1
S0 / T0∼S6 / T6
・VOUT=VSS
・出力Pch Tr. オフ
4.5∼6.0
−30
5.0
60
40
1.5
0.4
0.4
70
kΩ
µA
IOFF(2)
S24∼S31
Rpd
プルダウン抵抗有りの
・出力Pch Tr. オフ
・S7 / T7∼S15 / T15
・VOUT=3V
・S16∼S24
・VP=−30V
出力ディセーブル
4.5∼6.0
0.1 VDD
V
・f=1MHz
4.5∼6.0
10
pF
・VOUT=VDD−40V
プルダウン抵抗
ヒステリシス電圧 VHIS
・ポート0, 1, 3
100
200
kΩ
・ポート70, 71, 72, 73
・RES
端子容量
CP
全端子
・被測定端子以外は、
VIN=VSS
・Ta=25℃
No.6810-12/18
LC86E6132
4. シリアル入出力特性 / Ta= + 10 ∼+ 40℃, VSS=0V
項目
シ
リ
ア
ル
入 周期
力 低レベル
ク パルス幅
ロ
ッ 高レベル
ク パルス幅
ク 出 周期
ロ 力 低レベル
ッ ク パルス幅
ク ロ
ッ 高レベル
ク パルス幅
記号
適用端子・備考
条件
規格
VDD[V]
min
4.5 ∼ 6.0
2
tCKL(1)
4.5 ∼ 6.0
1
tCKH(1)
4.5 ∼ 6.0
1
・オープンドレイン出力時は 4.5 ∼ 6.0
1kΩ のプルアップ抵抗
4.5 ∼ 6.0
2
tCKCY(1)
tCKCY(2)
tCKL(2)
・SCK0, SCK1
・SCK0, SCK1
を外付けする。
・図 5 参照
tCKH(2)
シ デ−タセット tICK
リ アップ時間
ア
ル
入
力 デ−タホ−ルド時間 tCKI
シリアルクロック tCKO(1)
が外部クロック
・図 5 参照
・SI0, SI1
・SCK0, SCK1 の立ち 4.5 ∼ 6.0
上がりに対して
規定する。
max
unit
Tcyc
1 / 2 Tckcy
4.5 ∼ 6.0
・SB0, SB1
typ
1 / 2 Tckcy
µs
0.1
・図 5 参照
4.5 ∼ 6.0
・SO0, SO1
・SB0, SB1
時の出力遅延
時間
0.1
・SCK0, SCK1 の立ち 4.5 ∼ 6.0
下がりに対して
7 / 12 Tcyc
+ 0.2
規定する。
・オープンドレイン出力時は
1kΩ のプルアップ抵抗
を外付けする。
シ
リ
ア
ル シリアルクロック tCKO(2)
出 が内部クロック
力 時の出力遅延
・SI0, SI1
・SB0, SB1
時間
・図 5 参照
・SCK0, SCK1 の立ち 4.5 ∼ 6.0
1 / 3 Tcyc
下がりに対して
規定する。
+ 0.2
・オープンドレイン出力時は
1kΩ のプルアップ抵抗
を外付けする。
・図 5 参照
5. パルス入力条件 / Ta= + 10 ∼+ 40℃, VSS=0V
項目
記号
適用端子・備考
条件
VDD[V]
規格
min
4.5 ∼ 6.0
1
2
高・低レベル
TPIH(1)
・INT0, INT1
・割り込み要因フラグ
パルス幅
TPIL(1)
・INT2 / T0IN
をセットできる。
・タイマ / カウンタ 0 が
TPIH(2)
ノイズ除去フィルタの
パルスカウントできる。
・割り込み要因フラグ 4.5 ∼ 6.0
TPIL(2)
時定数が 1 / 1 の
場合の INT3 / T0IN
をセットできる。
・タイマ / カウンタ 0 が
TPIH(3)
ノイズ除去フィルタの
パルスカウントできる。
・割り込み要因フラグ 4.5 ∼ 6.0
TPIL(3)
時定数が 1 / 16 の
場合の INT3 / T0IN
をセットできる。
・タイマ / カウンタ 0 が
TPIL(4)
RES
パルスカウントできる。
リセットできる。 4.5 ∼ 6.0
typ
max
unit
Tcyc
32
µs
200
No.6810-13/18
LC86E6132
6. AD 変換特性 / Ta= + 10 ∼+ 40℃, VSS=0V
項目
記号
分解能
N
絶対精度
変換時間
ET
TCAD
アナログ入力
VAIN
適用端子・備考
条件
規格
VDD[V]
4.5∼6.0
(注2)
AD変換時間=16×Tcyc
min
typ
max
8
unit
bit
15.68
±1.5
65.28
(ADCR2=0の時)
(注3)
(Tcyc=
0.98µs)
(Tcyc=
4.08µs)
AD変換時間=32×Tcyc
(ADCR2=1の時)
31.36
(Tcyc=
130.56
(Tcyc=
(注3)
0.98µs)
VSS
4.08µs)
VDD
V
1
µA
AN0∼AN7
電圧範囲
アナログポート
IAINH
VAIN=VDD
入力電流
IAINL
VAIN=VSS
(注2) 絶対精度は量子化誤差(±1 / 2 LSB)を除く。
LSB
µs
−1
(注3) 変換時間は、変換をスタートさせる命令が出てからアナログ入力値に対する完全なデジタル変換値がレジス
タに設定されるまでの時間をいう。
7. 消費電流特性 / Ta= + 10 ∼+ 40℃, VSS=0V
項目
通常動作時
記号
IDDOP(1)
適用端子・備考
VDD
条件
・FmCF=12MHz
VDD[V]
4.5∼6.0
規格
min
typ
max
unit
11
27
mA
6
14
4
12
3
10
セラミック発振時
・FsXtal=32.768 kHz
消費電流
(注4)
水晶発振時
・システムクロックは12MHz側
IDDOP(2)
・内蔵RC発振は停止
・FmCF=3MHz 4.5∼6.0
セラミック発振時
・FsXtal=32.768kHz
水晶発振時
・システムクロックは3MHz側
IDDOP(3)
・内蔵RC発振は停止
・FmCF=0Hz (発振停止) 4.5∼6.0
・FsXtal=32.768kHz
水晶発振時
・システムクロックは内蔵
RC発振
IDDOP(4)
・FmCF=0Hz (発振停止) 4.5∼6.0
・FsXtal=32.768kHz
水晶発振時
・システムクロックは32.768kHz側
・内蔵RC発振は停止
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LC86E6132
7. 消費電流特性 / Ta= + 10 ∼+ 40℃, VSS=0V
項目
HALTモード
記号
適用端子・備考
IDDHALT(1) VDD
消費電流
(注4)
条件
規格
typ
max
unit
4.5∼6.0
5
11
mA
4.5∼6.0
2.2
9
・内蔵RC発振は停止
・HALTモード
4.5∼6.0
400
1100
25
100
0.05
30
・HALTモード
VDD[V]
min
・FmCF=12MHz
セラミック発振時
・FsXtal=32.768kHz
水晶発振時
・システムクロックは12MHz
・内蔵RC発振は停止
IDDHALT(2)
・HALTモード
・FmCF=3MHz
セラミック発振時
・FsXtal=32.768kHz
水晶発振時
・システムクロックは3MHz
IDDHALT(3)
µA
・FmCF=0Hz (発振停止)
・FsXtal=32.768kHz
水晶発振時
・システムクロックは内蔵RC発振
IDDHALT(4)
・HALTモード
4.5∼6.0
・FmCF=0Hz (発振停止)
・FsXtal=32.768kHz
水晶発振時
・システムクロックは 32.768kHz側
・内蔵RC発振は停止
HOLDモード
消費電流
IDDHOLD(1) VDD
HOLDモード
4.5∼6.0
(注4)
(注4)消費電流は出力 Tr. およびプルアップ MOS Tr.に流れる電流を含まない。
No.6810-15/18
LC86E6132
表 1 セラミック発振保証定数(メインクロック)
発振の種類
メ−カ
発振子
C1
C2
12MHz セラミック発振
ムラタ
CSA12.0MTZ
33pF
33pF
京セラ
CST12.0MTW
KBR-12.0M
3 MHzセラミック発振
ムラタ
内蔵
33pF
33pF
CSA 3.00MG
CST3.00MGW
33pF
内蔵
京セラ
KBR-3.0MS
※ C1, C2 はK公差(± 10%), SL 特性を使用すること。
47pF
表 2 水晶発振保証定数(サブクロック)
発振の種類
メーカ
発振子
32.768kHz 水晶発振
33pF
47pF
C3
C4
大真空
DT-38 (1TA252E00)
18pF
18pF
京セラ
KF-38G-13P0200
18pF
18pF
※C3, C4 はJ公差(±5%), CH特性を使用すること。
(高精度を必要としないものについては、K公差(±10%), SL特性を使用すること。)
(注意)・回路パタ−ンの影響を受けるので、発振に関わる部品はできるだけパタ−ン長を伸ばさないように
近くに配置すること。
・上記以外の発振子を用いた場合には、特性を保証できない。
CF1
C1
CF2
CF
XT1
C2
図1 セラミック発振回路
C3
XT2
X'tal
C4
図2 水晶発振回路
ILC00059
ILC00065
No.6810-16/18
LC86E6132
VDD
動作VDD下限
0V
電源
リセット時間
RES
内蔵RC発振
tms CF
CF1, CF2
tss Xtal
XT1, XT2
動作モード
不定
リセット
命令実行
リセット時間と発振安定時間
HOLD解除信号
Valid
内蔵RC発振
tms CF
CF1, CF2
tss Xtal
XT1, XT2
動作モード
HOLD
命令実行
HOLD解除信号と発振安定時間
図3 発振安定時間
ILC00046
No.6810-17/18
LC86E6132
VDD
RRES
RES
CRES
(注意)電源が動作電源電圧の下限を上回ったあと
200µsまでは必ずリセットがかかるように
RRES, CRESの値を決めること。
図4 リセット回路
ILC00052
0.5VDD
ACタイミング測定点
VDD
tCKCY
tCKL
tCKH
SCK0
SCK1
1kΩ
tICK
tCKI
SI0
SI1
tCKO
50pF
SO0, SO1
SB0, SB1
タイミング
テスト負荷
図5 シリアル入出力テスト条件
tPIL
ILC00073
tPIH
図6 パルス入力タイミング条件
ILC00074
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品(機器)での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
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保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
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PS No.6810-18/18