MOSFET MODULE FBA75CA45/50 UL;E76102 （M） FBA75CA45/50 is a dual power MOSFET module designed for fast swiching applications of high voltage and current.（ 2 devices are serial connected.） The mounting base of the module is electrically isolated from semiconductor elements for simple heatsink construction. VDSS＝500V for high speed switching applications. ● Low ON resistance. ● Wide Safe Operating Areas. 2 3 4 56 1 78 2-φ6.5 ● Suitable 19 （Applications） UPS （CVCF） , Motor Control, Switching Power Supply, etc. 19 19 S2 D1 w e 31max i G2 u S2 30max TAB=110（T0.5） D2 S1 q NAME PLATE S1 r y S1 t G1 ■Maximum Ratings Symbol Item VDSS Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage D.C. IDP Drain Current -ID Source Current PT Total Power Dissipation Tj Channel Temperature Tstg Storage Temperature VISO Isolation Voltage（R.M.S.） Mounting Torque Conditions 450 500 V 75 Duty＝36% Unit V ±20 A 150 75 A 400 W 150 ℃ −40 to ＋125 ℃ 2500 V Tc＝25℃ A.C. 1minute Mounting（M6） Recommended Value 2.5-3.9（25-40） 4.7（48） Terminal（M5） Recommended Value 1.5-2.5（15-25） 2.7（28） N･m （kgf･B） 220 g Typical Value ■Electrical Characteristics Item （Tj＝25℃ unless otherwise specified） Conditions IGSS Gate Leakage Current VGS＝±20V，VDS＝0V IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VGS＝0V，VDS＝500V FBA75CA45 Drain-Source Breakdown Voltage FBA75CA50 VGS＝0V，ID＝1mA （BR） DSS V Ratings FBA75CA45 FBA75CA50 Pulse Mass Symbol Unit：A （Tj＝25℃ unless otherwise specified） VGSS ID 4 17 4 35±0.6 ● ID＝75A, 107.5±0.6 93±0.3 4-M5 VGS（th） Gate-Source Threshold Voltage VDS＝VGS，ID＝10mA RDS（on） Drain-Source On-State Resistance ID＝40A，VGS＝15V VDS（on） Drain-Source On-State Voltage ID＝40A，VGS＝15V gfs Forward Transconductance VDS＝10V，VD＝40A Ratings Min. Typ. Max. Unit ±1.0 μA 1.0 mA 450 V 500 1.0 5.0 V 0.10 Ω 4.0 40 V S Ciss Input Capacitance VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz 13500 pF Coss Output Capacitance VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz 2500 pF Crss Reverse Transfer Capacitance VGS＝0V，VDS＝25V，f＝1.0MHz 1000 pF td（on） tr td （off） tf Turn-on Delay Time Switching Time Rise Time Turn-off Delay Time 60 RL＝7.5Ω，RGS＝50Ω，VGS＝15V ID＝40A，RG＝5Ω Fall Time ns 700 210 VSDS Diode Forward Voltage ーID＝40A，VGS＝0V trr Reverse Recovery Time ーID＝40A，VGS＝0V，di/dt＝100A/μs Rth（j-c） Thermal Resistance 120 1.5 700 V ns 0.31 ℃/W SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: [email protected] FBA75CA45/50 Output Characteristics（Typical） ８０ ５０ 10V 8V 6V ６０ Tj 25℃ Pulse Test ４０ 5V ２０ VGS ２ ４ ６ ８ １０ 4V Forward Transconductance Vs. Drain Current ５0 VDS 10V Pulse Test Tj 25℃ (Typical) ２０ １０ ５ ２ ０． ５ １ ２ ５ １０ ２０ ５０ １００ Drain CurrentＩＤ （A） Tj 25℃ ２０ ３ ４ ５ ６ Gate-Source Voltage VＧＳ （V） Drain-Source On-State Resistance Vs. Channel Temperature ０． ２ ID 75A ０． １ ID 37.5A VGS 10V Pulse Test ０ −８０ −４０ ０ ４０ ８０ １２０ １６０ Channel Temperature Ｔ ｊ （℃） Input Capacitance, Output Capacitance, Reverse Transfer Capacitance（Typical） Drain-Source On-State Resistance Vs. Drain Current VGS 10V Pulse Test ０． １ Tj 100℃ Tj 25℃ Capacitance Ｃ （ＰＦ） Forward Transconductance ｇｆ ｓ （S） Drain-Source On-State Resistance ＲＤＳ （ｏｎ） （Ω） ３０ ０ ０ １２ Drain-Source Voltage VＤＳ （V） ０． ２ ４０ １０ ０ ０ １００ Forward Transfer Characteristics（Typical） VDS 10V Pulse Test Drain Current I（ D A） 15V Drain-Source On-State Resistance ＲＤＳ （ｏｎ） （Ω） Drain Current I（ D A） １００ Tj −25℃ １００００ Ciss VGS 0V f 1MHz Tj 25℃ １０００ Coss Crss ０ ０ ２５ SanRex ５０ ７５ １００ （A） Drain CurrentＩＤ １２０ １５０ １００ ０ ４０ ８０ １２０ １６０ ２００ ２４０ Drain-Source Voltage VDS（V） ® 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: [email protected] FBA75CA45/50 Safe Operating Area １２０ Pw 1m s 10 ms ２ １０1 D.C . ５ ２ １０0 FBA75CA45 ５ Forward Voltage of Free Wheeling Diode Tj 25℃ (Typical) Pulse Test １００ 10 0μ s ５ Drain Current ID（A） 10μ s Source Current ーI（ S A） ２ １０-２ ８０ ６０ ４０ ２０ FBA75CA50 ５ １０1 ２ ５ １０２ ２ ５ Thermal Impedance θ ｊ-Ｃ （℃/Ｗ） Drain-Source Voltage VＤＳ （V） ５ Transient Thermal Impedance 50msec-10sec Max. ２ １０-１ 50μsec-50msec ５ ２ １０-２ ５０μ １００μ２００μ ５００μ １ｍ ２ｍ ２ ５０ｍ１００ｍ２００ｍ ５００ｍ １ ５ｍ １０ｍ ２０ｍ ５ １０ ０ １０３ ５０ｍ ｓ Normalized Transient Thermal Impedanseｒ （ｔ） ［θ ｊ ｈ （ｊ ‐ｃ/Ｒｔ ‐ｃ）］ ２ ０． ４ ０． ６ ０． ８ １． ０ １． ２ １． ４ Source-Drain Voltage VＳＤＳ （V） Normalized Transient Thermal Impedanse Vs. Pulse Width ２ １ ０． ５０ ０． ２０ D 0.5 0.2 0.1 ０． １０ ０． ０５ ０ 0.05 0.02 0.01 0 ５０μ１００μ５００μ１ｍ ５ｍ１０ｍ ５０ｍ１００ｍ ５００ｍ１ ５ １０ Pulse ＰＷ（sec） Timeｔ （sec） SanRex ® 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: [email protected]