KOM 2125 KOM 2125 feo06860 NEU: 2fach-Silizium-PIN-Fotodiode in SMT NEW: 2-Chip Silicon PIN Photodiode in SMT Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from Bereich von 400 nm bis 1100 nm 400 nm to 1100 nm ● Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns) ● geeignet für Vapor-Phase Löten und ● Short switching time (typ. 25 ns) ● Suitable for vapor-phase and IR-reflow IR-Reflow-Löten ● SMT-fähig soldering ● Suitable for SMT Anwendungen ● Nachlaufsteuerungen ● Kantenführung ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Applications ● Follow-up controls ● Edge drives ● Industrial electronics ● For control and drive circuits Typ Type Bestellnummer Ordering Code KOM 2125 Q62702-K0047 Semiconductor Group 1 01.97 KOM 2125 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 80 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 60 V Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 150 mW Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit S 40 (≥ 30) 100 (≥ 75) nA/Ix Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 400 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 4 10 mm2 L×B 2 × 2, 2 × 5 mm × mm 0.3 mm ϕ ± 60 Grad deg. IR 5 (≤ 30) 10 (≤ 30) nA Spektrale Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity Sλ 0.62 A/W Quantenausbeute Quantum yield η 0.90 Electrons Photon Semiconductor Group 2 Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, 2856 K) Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V; Spectral sensitivity Diode A Diode B Diode A Diode B Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area L×W Abstand Chipoberfläche zu Vergußoberfläche H Distance chip front to case seal Halbwinkel Half angle Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current Diode A Diode B KOM 2125 Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, 2856 K) (cont’d) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage VO 350 (≥ 300) mV Kurzschlußstrom, Ev = 1000 Ix Short-circuit current Diode A Diode B ISC 38 95 µA Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time RL = 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; IP = 800 µA Diode A Diode B tr, tf 18 25 ns Durchlaßspannung, IF = 100 mA; E = 0 Forward voltage VF 1.0 V Kapazität Capacitance VR = 0 V; f = 1 MHz; E = 0 C0 40 100 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV – 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von IP Temperature coefficient of IP TCI 0.18 %/K Diode A Diode B Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V Diode A Diode B NEP 6.4 × 10– 14 9.1 × 10– 14 W √Hz Nachweisgrenze, VR = 10 V Detection limit Diode A Diode B D* 3.1 × 1012 3.5 × 1012 cm · √Hz W Semiconductor Group 3 KOM 2125 Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ev) Total power dissipation Ptot = f (TA) Dark current, IR = f (VR), E = 0 normalized to 10 V/25 oC Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 Dark current IR = f (TA), VR = 10 V, E = 0, normalized to TA = 25 oC Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 4