SFH 310 SFH 310 FA 4.8 4.4 1.1 0.9 1.8 1.2 29.0 27.0 3.7 3.5 6.1 5.7 0.6 0.4 Chip position GEX06710 feof6653 Collector/ Cathode 3.4 3.1 ø2.9 ø2.7 2.7 2.1 0.7 0.4 0.8 0.4 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Area not flat SFH 310 SFH 310 FA feo06653 Neu: NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 310) und bei 880 nm (SFH 310 FA) ● Hohe Linearität ● 3 mm-Plastikbauform 400 nm to 1100 nm (SFH 310) and of 880 nm (SFH 310 FA) ● High linearity ● 3 mm plastic package Anwendungen Applications ● Lichtschranken für Gleich- und ● Photointerrupters ● Industrial electronics ● For control and drive circuits Wechsellichtbetrieb ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Semiconductor Group 1 03.96 1998-07-13 SFH 310 SFH 310 FA Typ Type Bestellnummer Ordering Code SFH 310 SFH 310-2 SFH 310-3 Q62702-P874 on request on request SFH 310 FA SFH 310 FA-2 SFH 310 FA-3 Q62702-P1673 on request on request Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s TS 260 °C Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s TS 300 °C Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage VCE 70 V Kollektorstrom Collector current IC 50 mA Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current ICS 100 mA Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 165 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA 450 K/W Semiconductor Group 2 1998-07-13 SFH 310 SFH 310 FA Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value SFH 310 SFH 310 FA 880 Einheit Unit Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 780 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 470 ... 1070 740 ... 1070 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 0.19 0.19 mm2 Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area L×B L×W 0.65 × 0.65 0.65 × 0.65 mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 2.1 ... 2.7 2.1 ... 2.7 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 25 ± 25 Grad deg. Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance CCE 10 10 pF Dunkelstrom Dark current VCE = 10 V, E = 0 ICEO 5 (≤ 100) 5 (≤ 100) nA IPCE IPCE ≥ 0.4 4 ≥ 0.4 – mA mA Fotostrom Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V Semiconductor Group 3 nm 1998-07-13 SFH 310 SFH 310 FA Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value -1 Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V SFH 310: Ev = 1000 Ix, Normlicht/ standard light A, VCE = 5 V -2 -3 Einheit Unit -4 IPCE 0.4 ... 0.8 0.63 ... 1.25 1.0 ... 2.0 ≥ 1.6 mA IPCE 2.1 3.4 5.4 8.6 mA Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ tr, tf 5 7 8 12 µs Kollektor-EmitterSättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) × 0.3, Ee = 0.5 mW/cm2 VCEsat 150 150 150 150 mV 1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe 1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 4 1998-07-13 SFH 310 SFH 310 FA TA = 25 °C, λ = 950 nm Rel.spectr. sensitivity SFH 310, Srel = f (λ) Rel. spectr. sensitivity SFH 310FA,Srel=f (λ) Photocurrent, IPCE = f (Ee), VCE = 5 V OHF02331 100 S rel % 80 60 40 20 0 400 Total power dissipation Ptot = f (TA) 600 800 1000 nm 1200 λ Photocurrent IPCE = f (VCE), Ee = Parameter Dark current ICEO = f (VCE), E = 0 Capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz Photocurrent IPCE = f (TA), VCE = 5 V, normalized to 25 oC OHF00871 200 mW P tot 160 120 80 40 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA Dark current ICEO = f (TA), VCE = 10 V, E = 0 Ι PCE OHF01524 1.6 Ι PCE 25 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 -25 Semiconductor Group 5 0 25 50 75 C 100 TA 1998-07-13