NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 1.1 1.0 0.3 0.2 Chip position 0.1 0.0 4.8 4.4 not connected 2.1 1.9 0.8 0.6 0.5 0.3 1.1 0.9 Active area 0.55 0.7 0.3 Collector 2.7 2.5 Emitter GEO06953 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from Bereich von 460 nm bis 1080 nm 460 nm to 1080 nm ● Hohe Linearität ● SMT-Bauform ohne Basisanschluß, ● High linearity ● SMT package without base connection, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten (JEDEC level 4) ● Nur gegurtet lieferbar suitable for vapor phase and IR reflow soldering (JEDEC level 4) ● Available only on tape and reel Anwendungen Applications ● Umgebungslicht-Detektor ● Lichtschranken für Gleich- und Wechsel- ● ● ● ● lichtbetrieb ● Industrieelektronik ● „Messen/Steuern/Regeln“ Semiconductor Group 1 Ambient light detector Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits 1998-04-27 SFH 3400 Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 3400 Q62702-P1796 SFH 3400-2 Q62702-P1103 Klares Epoxy-Gieβharz, Kollektorkennzeichung: breiter Anschluß SFH 3400-3 Q62702-P1805 Transparent epoxy resin, collector marking: broad lead Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 85 o Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage VCE 20 V Kollektor-Emitterspannung, t < 120 s Collector-emitter voltage VCE 70 V Kollektorstrom Collector current IC 50 mA Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current ICS 100 mA Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage VEC 7 V Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 120 mW Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board Thermal resistance for mounting on pcb RthJA 450 K/W Semiconductor Group 2 C 1998-04-27 SFH 3400 Kennwerte (TA = 25 oC, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax λ 460 ... 1080 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 0.55 mm2 Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area LxB LxW 1x1 mm x mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 0.2 ... 0.3 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 60 Grad deg. Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance CCE 15 pF Dunkelstrom Dark current VCE = 10 V, E = 0 ICEO 10 (≤ 200) nA Semiconductor Group 3 1998-04-27 SFH 3400 Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit -1 -2 IPCE 63 ... 125 100 ... 200 160 ... 320 µA IPCE 1.65 2.6 4.2 mA Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ tr , tf 16 24 34 µs Kollektor-EmitterSättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) x 0.3, Ee = 0.1 mW/cm2 VCEsat 170 170 170 mV Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent Ee = 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V 1) 1) -3 IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group Directional characteristics Srel = f (ϕ) 40 30 20 10 ϕ 0 OHF01402 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 1.0 0.8 0.6 0.4 Semiconductor Group 0 20 40 60 80 4 100 120 1998-04-27 SFH 3400 TA = 25 oC, λ = 950 nm Rel.spectral sensitivity Srel = f (λ) OHF02332 100 Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V OHF00326 10 1 mA Ι pce S rel % 1 2 3 70 60 OHF02344 50 C CE pF 10 0 80 Collector-emitter capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz 40 10 -1 30 10 -2 20 10 -3 10 50 40 30 20 10 0 400 500 600 700 800 900 nm 1100 λ OHF01524 1.6 10 -2 mW/cm 2 Ee 10 0 Dark current ICEO = f (TA), VCE = 10 V, E = 0 Photocurrent IPCE = f (TA), VCE = 5 V, normalized to 25 °C Ι PCE 10 -4 -3 10 Ι PCE 25 OHF02342 10 2 nA Ι CEO 1.4 10 1 1.2 0 -2 10 10 -1 10 0 10 1 V 10 2 VCE Total power dissipation Ptot = f (TA) OHF00309 140 mW Ptot 120 100 1.0 80 10 0 0.8 60 0.6 40 10 -1 0.4 20 0.2 10 -2 0 -25 0 25 50 OHF00327 3.0 mA 40 60 80 ˚C 100 TA 0 0 20 40 60 80 C 100 TA OHF02341 10 2 nA Ι CEO 1.0 mW/cm 2 2.5 20 Dark current ICEO = f (VCE), E = 0 Photocurrent IPCE = f (VCE) Ι pce 0 75 C 100 TA 10 1 2.0 10 0 1.5 0.5 mW/cm 2 1.0 10 -1 0.25 mW/cm 2 0.5 0.1 mW/cm 2 0 10 -2 0 10 20 30 40 50 Semiconductor Group 60 V 70 Vce 0 10 20 30 5 40 50 V 70 V CE 1998-04-27