C3D06060F 碳化硅肖特基二极管 VRRM = 600 V IF (TC=58˚C) = 6 A Qc = 16 nC Z-Rec™ 整流器 (Full-Pak) 特点 • • • • • • • • 封装 600伏肖特基整流器 零反向恢复电压 零正向恢复电压 高频率工作 与温度无关的切换行为 极快速切换 正向电压(VF)下的正温度系数 完全绝缘的外壳 TO-220-F2 优势 • • • • • 引脚1 用单极整流器取代双极整流器 基本上无切换损耗 效率更高 散热要求降低 并行器件无热失控 应用 • • 表面 引脚2 部件号 封装 标识 C3D06060F TO-220-F2 C3D06060 开关式电源 功率因素校正 最大额定值（除非另行指定，否则TC = 25 ˚C） 符号 参数 单位 测试条件 VRRM 重复峰值反向电压 600 V VRSM 浪涌峰值反向电压 600 V VDC 直流阻断电压 600 V IF 连续正向电流 7 6 3 A TC=25˚C TC=58˚C TC=135˚C IFRM 重复峰值正向浪涌电流 27 18 A TC=25˚C，tP = 10 ms，半正弦波，D=0.3 TC=110˚C，tP = 10 ms，半正弦波，D=0.3 IFSM 非重复峰值正向浪涌电流 44 41 A TC=25˚C，tP = 10 mS，半正弦波，D=0.3 TC=110˚C，tp = 10 mS，半正弦波，D=0.3 IFSM 非重复峰值正向浪涌电流 200 A TC=25˚C，tP = 10 µs，脉冲 Ptot 功耗 17 7.4 W TC=25˚C TC=110˚C -55到 +175 ˚C TJ , Tstg 工作结温和储存温度 TO-220安装扭矩 1 值 C3D06060F 修订版本B 1 8.8 Nm M3螺丝 lbf-in 6-32螺丝 注 电气特性 符号 参数 典型值 最大值 单位 测试条件 注 VF 正向电压 1.6 1.9 1.8 2.4 V IF = 6 A TJ=25°C IF = 6 A TJ=175°C IR 反向电流 10 20 50 200 μA VR = 600 V TJ=25°C VR = 600 V TJ=175°C QC 总电容电荷 16 nC VR = 600 V，IF = 6A di/dt = 500 A/μs TJ = 25°C C 总电容 294 27 26 pF VR = 0 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz VR = 200 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz 注： 1. 这是多数载流子二极管，因此没有反向恢复电荷。 热特性 符号 参数 RθJC 从结点到表面的热阻 典型性能 典型值 单位 8.8 °C/W Forward Characteristics Reverse Characteristics 100 100 1212 90 90 80 80 9 88 IR 反向电流(μA) IF 正向电流(A) IF Forward Current (A) 10 25°C 75°C 125°C 175°C IR Reverse Current (uA) TJ = TJ = TJ = TJ = 直流 11 10 7 66 5 44 3 60 60 50 50 40 TJ = 25°C 40 TJ = 75°C TJ = 125°C 30 30 TJ = 175°C 直流 20 20 10 22 10 1 00 00 0.0 0 0.5 0.5 1.0 1 1.5 1.5 2.0 2 VFVForward Voltage (V) 正向电压(V) F 图1. 正向特性 2 70 70 C3D06060F 修订版本B 2.5 2.5 3.0 3 00 200 200 400 400 600 600 800 800 VR Reverse Voltage (V) VR 反向电压(V) 图2. 反向特性 1000 1000 1200 1200 典型性能 Capacitance vs. Reverse Voltage C3D06060F Current Derating 20 20 350 350 18 18 300 300 250 250 12 12 10 10 暂载率* 暂载率* 暂载率* 暂载率* C电容(pF) 20% 30% 50% 70% 直流 88 6 6 4 4 C Capacitance (pF) IF(PEAK) 峰值正向电流(A) IF(PEAK) Peak Forward Current (A) 16 16 14 14 200 200 Series1 150 150 100 100 5050 22 00 0 25 25 50 50 75 75 100 125 100 125 Tc Case Temperature (° ° C) TC 表面温度(°C) 150 150 0 175 175 11 10 10 100 100 1000 1000 VR 反向电压(V) VR Reverse Voltage (V) * 频率 > 1KHz 图3. 电流降额 图4. 电容与反向电压 1E+2 1.0E+01 Zth (°C/W) Zth (°C/W) 1E+1 1.0E+00 1.0E-01 1E+0 1.0E-02 1E-1 1.0E-03 1.E-07 1E-2 1E-5 1.E-06 1E-4 1.E-05 1E-3 1.E-04 1E-2 1.E-03 1E-1 Tim e (s) 时间 (s) Time (s) 图5. 瞬态热阻抗 3 C3D06060F 修订版本B 1E+0 1.E-02 1E+1 1.E-01 1E+2 1.E+00 1E+3 典型性能 20.0 20 18.0 18 Power Dissipation 功耗(W) (W) 16 16.0 14 14.0 12 12.0 10 10.0 8 8.0 6.0 6 4 4.0 2.0 2 0 0.0 25 25 50 50 75 75 100 125 100 125 Tc Case Temperature (°C) TC 表面温度(°C) 150 150 175 175 图6. 功率降额 封装尺寸 封装TO-220-F2 E A F POS B G C H P L D S T M N 引脚1 引脚2 4 C3D06060F 修订版本B 表面 英寸 毫米 最小值 最大值 最小值 A .177 .193 4.5 最大值 4.9 B .092 .108 2.34 2.74 C .248 .272 6.3 6.9 D .098 .114 2.5 2.9 E .390 .406 9.9 10.3 F .118 .134 3.0 3.4 G .122 .137 3.1 3.5 H .617 .633 15.67 16.07 L .039 .055 1.0 1.4 M .016 .031 0.4 0.8 N .185 .217 4.7 5.5 P 0 .154 0 3.9 S .476 .508 12.1 13.18 T .016 .031 0.4 0.8 注： 1. 尺寸L、M、T要求采用浸焊表面处理 建议的焊盘布局 TO-220-2 部件号 封装 标识 C3D06060F TO-220-F2 C3D06060 C3D06060G TO-263-2 C3D06060 CSD06060G TO-263-2 CSD06060 注：可在此处的应用说明中找到推荐的焊接温度曲线: http://www.cree.com/power_app_notes/soldering 二极管模型 Diode Model CSD06060 Vf T = VT + If*RT VT= 0.975 + (Tj * -1.0*10-3) RT= 0.09 + (Tj * 0.51*10-3) 注：Tj = 二极管结温（摄氏度） VT 5 C3D06060F 修订版本B RT 说明 • 符合RoHS规范 本产品中受RoHS限制材料的含量低于此类物质所允许的最大浓度值（也称为阈值），或者依照欧盟2011/65/EC号指令(RoHS2) 用于可豁免的应用场合（依照2013年1月2日实施的版本）。本产品的RoHS声明可向Cree代表索取或从www.cree.com的“产品 文档”部分获取。 • 符合REACh规范 本产品提供REACh高度关注物质(SVHC)的信息。由于欧洲化学品管理局(ECHA)已发布通告，称其计划在可预见的将来频繁修订 SVHC清单，因此请联系Cree代表，确保您了解最新的REACh SVHC合规性声明。也可索取REACh禁止物质的信息（REACh第67 条款）。 • 本产品并非旨在用于以下装置而设计、测试或计划：植入人体的装置或者若产品发生故障可能导致死亡、人身伤害或财产损失的装 置，包括但不限于用于运营核设施的设备、生命维持机、心脏除颤器或类似的急救医疗设备、飞机导航或通信或控制系统、空中交通 管制系统或武器系统。 版权所有 © 2013 Cree, Inc.保留所有权利。 本文所列信息随时可能出现更改，恕不另行通知。 Cree、Cree徽标和Zero Recovery是Cree, Inc.的注册商标。 6 C3D06060F 修订版本B Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真： +1.919.313.5451 www.cree.com/power