C3D08065I 碳化硅肖特基二极管Z

C3D08065I
VRRM
碳化硅肖特基二极管
Z-Rec™ 整流器
Qc
特点
•
•
•
•
•
•
=
650 V
IF (TC=125˚C) = 8 A
=
21 nC
封装
650伏肖特基整流器
陶瓷封装提供2.5kV隔离电压
零反向恢复电压
高频率工作
与温度无关的切换行为
VF下的正温度系数
优势
•
•
•
•
•
电隔离封装
基本上无切换损耗
效率更高
散热要求降低
并行器件无热失控
引脚1
表面
引脚2
应用
•
•
HVAC
开关式电源
部件号
封装
标识
C3D08065I
隔离TO-220-2
C3D08065I
最大额定值
符号
参数
值
单位
VRRM
重复峰值反向电压
650
V
VRSM
浪涌峰值反向电压
650
V
VDC
直流阻断电压
650
V
IF
连续正向电流
15.2
8
7
A
1
29
19
A
IFSM
非重复峰值正向浪涌电流
69
55
A
Ptot
功耗
48
20
W
TJ
工作结温范围
-55到
+175
˚C
储存温度与表面温度
-55到
+150
˚C
1
8.8
Nm
lbf-in
C3D08065I 修订版本-
TC=125˚C
TC=135˚C
重复峰值正向浪涌电流
TO-220安装扭矩
注
TC=25˚C
IFRM
Tstg,Tc
测试条件
TC=25˚C,tP=10 ms,半正弦脉冲
TC=110˚C,tP=10 ms,半正弦脉冲
TC=25˚C,tP=10 ms,半正弦脉冲
TC=110˚C,tP=10 ms,半正弦脉冲
TC=25˚C
TC=110˚C
M3螺丝
6-32螺丝
参阅图3
电气特性
符号
参数
典型值
最大值
单位
测试条件
注
IF = 8 A TJ=25°C
IF = 8 A TJ=175°C
VF
正向电压
1.5
2.0
1.8
2.4
V
IR
反向电流
12
24
60
220
μA
VR = 650 V TJ=25°C
VR = 650 V TJ=175°C
QC
总电容电荷
21
nC
VR = 650 V,IF = 8A
di/dt = 500 A/μs
TJ = 25°C
C
总电容
441
39
33
pF
VR = 0 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz
VR = 200 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
注:
1.
这是多数载流子二极管,因此没有反向恢复电荷。
热特性
符号
参数
RθJC
从结点到表面的封装热阻
典型值
单位
3.1
°C/W
典型性能
16
4
14
TJ= -55°C
TJ= 25°C
TJ= 75°C
TJ =125°C
TJ =175°C
12
3
IR (μA)
IF (A)
10
8
2
6
4
TJ= -55°C
TJ= 25°C
TJ= 75°C
TJ =125°C
TJ =175°C
1
2
0
0
0.5
1
1.5
2
VF (V)
图1. 正向特性
2
C3D08065I 修订版本-
2.5
3
3.5
0
100
200
300
400
VR (V)
图2. 反向特性
500
600
700
典型性能
40
50.0
35
45.0
20%
30%
50%
70%
直流
30
35.0
30.0
20
PTot (W)
IF (A)
25
40.0
暂载率*
暂载率*
暂载率*
暂载率*
15
25.0
20.0
15.0
10
10.0
5
5.0
0.0
0
25
50
75
100
125
150
25
175
50
75
40
400
35
350
30
300
25
250
20
200
15
100
5
50
0
600
VR (V)
图5. 恢复电荷与反向电压
3
C3D08065I 修订版本-
175
150
10
400
150
图4. 功率降额
C (pF)
Qrr (nC)
图3. 电流降额
200
125
TC ˚C
TC ˚C
0
100
800
0
0.1
1
10
VR (V)
图6.电容与反向电压
100
1000
典型性能
10
1
热阻(˚C/W)
0.1
0.01
0.001
0.0001
1E-6
10E-6
100E-6
1E-3
10E-3
100E-3
1
T (sec)
图7. 瞬态热阻抗
二极管模型
Diode Model CSD10060
VfT = VT+If*RT
Vf T = VT + If*RT
VT = 0.98+(TJ* -1.6*10-3)
-3
-3
RT =
0.04+(T
* 0.522*10
)
J
V
0.92
+ (T * -1.35*10
)
T=
j
RT= 0.052 + (Tj * 0.29*10-3)
注:Tj = 二极管结温(摄氏度)
VT
4
C3D08065I 修订版本-
RT
10
100
封装尺寸
符号
A
A1
b
b1
c
c1
D
E
E1
e1
F
L
L1
φ
5
尺寸(英寸)
尺寸(毫米)
最小值
最大值
最小值
最大值
4.420
2.520
0.710
1.170
0.360
1.170
9.950
8.930
12.550
4.980
2.590
13.080
2.470
3.790
4.720
2.820
0.910
1.370
0.460
1.370
10.250
9.290
12.850
5.180
2.890
13.480
2.870
3.890
1.174
0.099
0.028
0.046
0.014
0.046
0.392
0.352
0.494
0.196
0.102
0.515
0.097
0.149
0.186
0.111
0.036
0.054
0.018
0.054
0.404
0.366
0.506
0.204
0.114
0.531
0.113
0.153
C3D08065I 修订版本-
建议的焊盘布局
测量值的单位为英寸
TO-220-2
部件号
封装
标识
C3D08065I
隔离TO-220-2
C3D08065I
注:可在此处的应用说明中找到推荐的焊接温度曲线:
http://www.cree.com/power_app_notes/soldering
说明
•
符合RoHS规范
本产品中受RoHS限制材料的含量低于此类物质所允许的最大浓度值(也称为阈值),或者依照欧盟2011/65/EC号指令(RoHS2)
用于可豁免的应用场合(依照2013年1月2日实施的版本)。本产品的RoHS声明可向Cree代表索取或从www.cree.com的“产品
文档”部分获取。
•
符合REACh规范
本产品提供REACh高度关注物质(SVHC)的信息。由于欧洲化学品管理局(ECHA)已发布通告,称其计划在可预见的将来频繁修订
SVHC清单,因此请联系Cree代表,确保您了解最新的REACh SVHC合规性声明。也可索取REACh禁止物质的信息(REACh第67
条款)。
•
本产品并非旨在用于以下装置而设计、测试或计划:植入人体的装置或者若产品发生故障可能导致死亡、人身伤害或财产损失的装
置,包括但不限于用于运营核设施的设备、生命维持机、心脏除颤器或类似的急救医疗设备、飞机导航或通信或控制系统、空中交通
管制系统或武器系统。
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6
C3D08065I 修订版本-
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive
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美国电话:+1.919.313.5300
传真: +1.919.313.5451
www.cree.com/power