Cree C3D06060G 碳化硅肖特基二极管- Z-Rec 整流器

C3D06060G–碳化硅肖特基二极管
VRRM = 600 V
IF
=6A
Z-Rec™ 整流器
(TC < 155 °C)
Qc 特点
•
•
•
•
•
•
•
= 16 nC
封装
600 伏肖特基整流器
零反向恢复电流
零正向恢复电压
高频工作
与温度无关的开关特性
极快的开关
正向电压 (VF) 的正温度系数
TO-263-2
优点
•
•
•
•
•
将双极整流器替换成单极整流器
基本无开关损耗
效率更高
对散热器要求降低
并联器件不会导致热失控
引脚 1
外壳
引脚 2
应用
•
•
•
开关电源
功率因数校正
-- 典型 PFC Pout:600W-1200W
电机驱动器
-- 典型功率: 2HP-3HP
部件号
封装
标记
C3D06060G
TO-263-2
C3D06060
最大额定值
技术数据表:C3
版本 C
D06060G 修订
符号
参数
值
单位
测试条件
VRRM
反向重复峰值电压
600
V
VRSM
反向浪涌峰值电压
600
V
VDC
直流阻断电压
600
V
IF
连续正向电流
6
8
A
TC< 155˚C
TC< 145˚C
IFRM
正向重复峰值浪涌电流
41
27
A
TC=25˚C,tP=10 mS,半正弦波,D=0.3
TC=110˚C,tP=10 mS,半正弦波,D=0.3
IFSM
正向不重复峰值浪涌电流
70
55
A
TC=25˚C,tP=10 mS,半正弦波,D=0.3
TC=110˚C,tP=10 mS,半正弦波,D=0.3
IFSM
正向不重复峰值浪涌电流
200
A
TC=25˚C,tP = 10 µs,脉冲
Ptot
功率耗散
91
39
W
TC=25˚C
TC=110˚C
-55 至
+175
˚C
1
8.8
Nm
lbf-in
TJ,Tstg
工作结温和存储温度
TO-220 安装扭矩
注
请参阅
图 3
M3 螺丝
6-32 螺丝
信息若有更改,恕不另行通知。
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1
电气特征
符号
参数
典型
最大
单位
测试条件
注
IF = 6 A TJ=25°C
IF = 6 A TJ=175°C
VF
正向电压
1.6
1.9
1.8
2.4
V
IR
反向电流
10
20
50
200
μA
VR = 600 V TJ=25°C
VR = 600 V TJ=175°C
QC
总电容电荷
16
nC
VR = 600 V,IF = 6A
di/dt = 500 A/μs
TJ = 25°C
C
总电容
294
27
26
pF
VR = 0 V,TJ = 25°C,f = 1 MHz
VR = 200 V,TJ = 25˚C,f = 1 MHz
VR = 400 V,TJ = 25˚C,f = 1 MHz
注:
1.这是一款主载子二极管,因此没有反向恢复电荷。
热特征
符号
参数
典型
单位
RθJC
热阻,结到外壳
1.65
°C/W
典型性能
Forward Characteristics
Reverse Characteristics
100
100
11
TJ = 25°C
1010
TJ = 125°C
9
TJ = 175°C
90
90
TJ = 75°C
IR Reverse Current (uA)
80
80
88
7
66
IR 反向电流 (μA)
IF Forward Current (A)
IF 正向电流 (A)
1212
5
44
3
22
60
60
50
50
TJ = 25°C
40
40
TJ = 75°C
30
30
TJ = 125°C
TJ = 175°C
20
20
10
10
1
00
00
0.0
0
0.5
0.5
1.0
1
1.5
1.5
2.0
2
正向电压
(V)
F
VVForward
Voltage
(V)
F
图 1. 正向特征
2
70
70
C3D06060G 修订版本 C
2.5
2.5
3.0
3
00
200
200
400
400
600
600
800
800
VR Reverse Voltage (V)
VR 反向电压 (V)
图 2. 反向特征
1000
1000
1200
1200
典型性能
Capacitance vs. Reverse Voltage
C3D06060 Current Derating
45
45
350
350
40
40
300
300
20%
30%
50%
70%
直流
25
25
250
250
占空系数*
占空系数*
占空系数*
占空系数*
C Capacitance (pF)
30
30
200
200
20
20
C 电容 (pF)
IF(PEAK) 峰值正向电流 (A)
IF(PEAK) Peak Forward Current (A)
35
35
15
15
10
10
Series1
150
150
100
100
5050
55
00
25
25
50
50
75
75
100
100
125
125
150
150
00
175
175
1
1
TTcC Case
外壳温度
(°C)(°°C)
Temperature
10
10
VR 反向电压 (V)
100
100
1000
1000
VR Reverse Voltage (V)
* 频率 > 1KHz
图 3. 电流降额
图 4. 电容与反向电压的关系
1.0E+01
热阻抗
(°C/W)
Zth (°C/W)
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.E-07
1.E-06
1.E-05
1.E-04
Tim
(s)
时间 e(s)
图 5. 瞬态热阻抗
3
C3D06060G 修订版本 C
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
典型性能
80.0
80
70.0
70
Power
Dissipation
(W)
(W)
功率耗散
60.0
60
50.0
50
40.0
40
30.0
30
20.0
20
10.0
10
0.00
25
25
50
50
75
75
100
125
100
125
TcTCase
Temperature
外壳温度 (°C) (°C)
C
图 6. 功率降额
4
C3D06060G 修订版本 C
150
150
175
175
封装尺寸
位置
封装 TO-263-2
英寸
最大
最小
最大
A
.396
.406
10.058
10.312
B
.295
.335
7.493
8.509
C
.05
.065
1.27
1.651
D
.25
.27
6.35
6.858
E*
0.00
.07
0.00
1.778
F
.048
.062
1.219
1.575
G
*
引脚 1
外壳
引脚 2
毫米
最小
.100 典型
.35
.37
8.890
9.398
J
.028
.034
.711
.864
K
2˚
5˚
2˚
5˚
L
.170
.180
4.318
4.572
M
.045
.055
1.143
1.397
N
.595
.615
15.113
15.621
P
0.00
0.10
0.00
2.54
Q
R0.018
典型
R0.022
典型
R0.457
典型
R0.559
典型
R
.090
.110
2.286
2.794
S
.013
.02
.330
.508
T
6.5˚
8.5˚
6.5˚
8.5˚
U
.100
.107
2.540
2.718
W
—
5.0˚
—
5.0˚
注:
* 接片 “E” 可能不存在
5
C3D06060G 修订版本 C
2.540 典型
H
建议的焊盘布局
TO-263-2
部件号
封装
标记
C3D06060G
TO-263-2
C3D06060
二极管型号
Diode Model CSD06060
Vf T = VT + If*RT
VT= 0.975 + (Tj * -1.0*10-3)
RT= 0.09 + (Tj * 0.51*10-3)
注:Tj = 二极管结温,单位摄氏度
VT
RT
本产品中对环境有害物质、持久性生物毒性物质 (PBT)、持久性有机污染物 (POP) 或其它受限制原料的含量低于此类物质所允许的最大浓度值 (也称为阈值),或者依照欧盟关于在电气和电子设备中限制
使用某些有害物质的 2002/95/EC 号指令 (RoHS) 用于可豁免的应用场合 (修订截至 2006 年 4 月 21 日)。
本产品并未针对以下应用进行设计或测试,也不用于以下应用:植入人体的应用;产品失效可能导致死亡、人员受伤或财产损失的应用,包括但不限
于用于以下操作中的装置:核设施、生命维持机器、心脏除颤器或类似的急救设备、飞行器导航、通信或控制系统、空中交通控制系统、武器系统。
版权所有 © 2006-2009 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改,恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是 Cree, Inc. 的注册商标,
Z-Rec 是 Cree, Inc. 的商标。
6
C3D06060G 修订版本 C
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