Cree CSD04060E 碳化硅肖特基二极管- Z

C3D04060E
– 碳化硅肖特基二极管
VRRM = 600 V
IF
=4A
Z-Rec™ 整流器
(TC < 160 °C)
Qc 特点
•
•
•
•
•
•
•
•
= 8.5 nC
封装
600 伏肖特基整流器
针对 PFC 升压二极管应用进行优化
零反向恢复电流
零正向恢复电压
高频工作
与温度无关的开关特性
极快的开关
正向电压 (VF) 的正温度系数
TO-252-2
优点
•
•
•
•
•
将双极整流器替换成单极整流器
基本无开关损耗
效率更高
对散热器要求降低
并联器件不会导致热失控
引脚 1
应用
•
•
外壳
引脚 2
开关电源
功率因数校正
-- 典型 PFC Pout:400W-600W
部件号
封装
标记
C3D04060E
TO-252-2
C3D04060
技术数据表:C3
版本 D
D04060E 修订
最大额定值
符号
参数
值
单位
VRRM
测试条件
反向重复峰值电压
600
V
VRSM
反向浪涌峰值电压
600
V
VDC
直流阻断电压
600
V
IF
连续正向电流
4
6
A
TC< 160˚C
TC< 145˚C
22
17
A
TC=25˚C,tP=10 mS,半正弦波 D=0.3
TC=110˚C,tP=10 mS,半正弦波 D=0.3
IFRM
正向重复峰值浪涌电流
IFSM
正向不重复峰值浪涌电流
31.9
28.5
A
TC=25˚C,tP=10 mS,半正弦波 D=0.3
TC=110˚C,tP=10 mS,半正弦波 D=0.3
IFSM
正向不重复峰值浪涌电流
110
A
TC=25˚C,tP=10 µs,脉冲
Ptot
功率耗散
75
32.5
W
TC=25˚C
TC=110˚C
-55 至
+175
˚C
1
8.8
Nm
lbf-in
TJ,Tstg
工作结温和存储温度
TO-220 安装扭矩
注
M3 螺丝
6-32 螺丝
信息若有更改,恕不另行通知。
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1
电气特征
符号
参数
典型
最大
单位
测试条件
注
VF
正向电压
1.5
1.8
1.7
2.4
V
IR
反向电流
10
20
50
100
μA
VR = 600 V TJ=25°C
VR = 600 V TJ=175°C
QC
总电容电荷
8.5
nC
VR = 600 V, IF = 4A
di/dt = 500 A/μs
TJ = 25°C
C
总电容
251
22
21
pF
VR = 0 V,TJ = 25°C,f = 1 MHz
VR = 200 V,TJ = 25˚C,f = 1 MHz
VR = 400 V,TJ = 25˚C,f = 1 MHz
IF = 4 A TJ=25°C
IF = 4 A TJ=175°C
注:
1.这是一款主载子二极管,因此没有反向恢复电荷。
热特征
符号
参数
典型
单位
RθJC
TO-252 封装热阻,结到外壳
2.02
°C/W
典型性能
TO-220 4A
8.0
8.0
1010
(uA)
88
IF Forward Current (A)
6.0
6.0
99
25°C
75°C
125°C
175°C
IF 正向电流 (A)
5.0
5.0
IIR 反向电流
(μA)
Reverse Current
TJ =
TJ =
TJ =
TJ =
7.0
7.0
Current(A)
Series2
4.0
4.0
Series3
Series4
3.0
3.0
66
Series1
Series2
55
Series3
Series4
44
33
TJ = 25°C
TJ = 75°C
22
TJ = 125°C
R
2.0
2.0
77
TJ = 175°C
1.0
1.0
11
0.0
0
0.0
0.0
0.5
0.5
1.0
1.0
1.5
1.5
VF Forward(V)
(V)
VF 正向电压
图 1. 正向特征
2
C3D04060E 修订版本 D
2.0
2.0
2.5
2.5
3.0
3.0
00
00
100
100
200
200
300
300
400
400
500
500
VR 反向电压
(V)
VR Reverse
Voltage (V)
图 2. 反向特征
600
600
700
700
800
800
典型性能
"D2_4A_TO-220"
140
140
40
35
120
120
30
100
100
20
C 电容 (pF)
IF(PEAK) 峰值正向电流 (A)
25
占空系数*
占空系数*
占空系数*
占空系数*
15
10
80
80
"D2_4A_TO-220"
60
60
40
40
20
20
5
0
25
C Capacitance (pF)
20%
30%
50%
70%
直流
00
50
75
100
125
150
175
1
1
10
10
100
100
V Reverse Voltage (V)
VRR反向电压 (V)
TC 外壳温度 (°C)
* 频率 > 1KHz
图 3. 电流降额
热阻抗 (°C/W)
图 4. 电容与反向电压的关系
时间 (s)
图 5. 瞬态热阻抗
3
C3D04060E 修订版本 D
1000
1000
典型性能
80.0
80
70.0
70
功率耗散 (W)
Power Dissipation (W)
60.0
60
50.0
50
40.0
40
30.0
30
20.0
20
10.0
10
0.00
25
25
50
50
75
100
125
75
100
125
Tc Case
Temperature
T 外壳温度
(°C) (°C)
C
图 6. 功率降额
4
C3D04060E 修订版本 D
150
150
175
175
封装尺寸
位置
封装 TO-252-2
英寸
最小
外壳
引脚 2
.250
.289
6.350
7.341
.197
.215
5.004
5.461
C
.027
.050
.686
1.270
D*
.270
.322
6.858
8.179
E
.178
.182
4.521
4.623
F
.025
.045
.635
1.143
G
44˚
46˚
44˚
46˚
H
.380
.410
9.652
10.414
.090 典型
C3D04060E 修订版本 D
2.286 典型
K
6˚
8˚
6˚
8˚
L
.086
.094
2.184
2.388
M
.018
.034
.457
.864
N
.035
.050
.889
1.270
P
.231
.246
5.867
6.248
Q
0.00
.005
0.00
.127
R0.010 典型
R0.254 典型
S
.017
.023
.432
.584
T
.038
.045
.965
1.143
U
.021
.029
.533
.737
注:
* 接片 “D” 可能不存在
5
最大
A
R
引脚 1
最小
B
J
*
毫米
最大
建议的焊盘布局
0
.08
TO-252-2
部件号
封装
标记
C3D04060E
TO-252-2
C3D04060
二极管型号
Diode Model CSD10060
T = VT+If*RT
VfVf
T = VT + If*RT
-3
-3
V
0.98+(T
* -1.8*10
VTT==0.92
+ (Tj * J-1.35*10
) )
-4
-3
R
0.10+(T
9.16*10
RT =0.052
+ (T *J*0.29*10
) )
T=
j
注:Tj = 二极管结温,单位摄氏度
VT
RT
本产品并未针对以下应用进行设计或测试,也不用于以下应用:植入人体的应用;产品失效可能导致死亡、人员受伤或财产损失的应用,包括但不限
于用于以下操作中的装置:核设施、生命维持机器、心脏除颤器或类似的急救设备、飞行器导航、通信或控制系统、空中交通控制系统、武器系统。
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6
C3D04060E 修订版本 D
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