Cree C3D02060E 碳化硅肖特基二极管- Z-Rec 整流器

C4D02120E–碳化硅肖特基二极管
Z-Rec™ 整流器
特点
•
•
•
•
•
•
IF, TC<135˚C
= 6.9 A
Qc = 15 nC
1200 伏肖特基整流器
针对 PFC 升压二极管应用进行优化
零反向恢复电流
高频工作
与温度无关的开关特性
正向电压 (VF) 的正温度系数
TO-252-2
将双极整流器替换成单极整流器
基本无开关损耗
效率更高
对散热器要求降低
并联器件不会导致热失控
引脚 1
外壳
引脚 2
应用
•
•
= 1200 V
封装
优点
•
•
•
•
•
VRRM 太阳能逆变器
功率因数校正
部件号
封装
标记
C4D02120E
TO-252-2
C4D02120
D02120E
技术数据表:C4
Rev. A
最大额定值
符号
参数
值
单位
VRRM
测试条件
反向重复峰值电压
1200
V
VRSM
反向浪涌峰值电压
1300
V
VDC
直流阻断电压
1200
V
IF
持续正向电流
6.9
A
TC=135˚C;无交流分量
IFRM
正向重复峰值浪涌电流
14.4
10
A
TC=25˚C,tP=10 ms,半正弦脉冲
TC=110˚C,tP=10 ms,半正弦脉冲
IFSM
正向不重复峰值浪涌电流
18.8
16.4
A
TC=25˚C,tP=10 ms,半正弦脉冲
TC=110˚C,tP=10 ms,半正弦脉冲
Ptot
功率耗散
51.7
22.4
W
TC=25˚C
TC=110˚C
Tc
最高外壳温度
135
˚C
TJ
工作结温范围
-55 至
+175
˚C
Tstg
存储温度范围
-55 至
+135
˚C
信息若有更改,恕不另行通知。
www.cree.com
注
1
电气特征
符号
参数
典型
最大
单位
测试条件
注
VF
正向电压
1.5
1.9
1.8
3
V
IR
反向电流
10
40
50
150
μA
VR = 1200 V TJ=25°C
VR = 1200 V TJ=175°C
QC
总电容电荷
15
nC
VR = 1200 V, IF = 2A
di/dt = 200 A/μs
TJ = 25°C
C
总电容
167
11
8
pF
VR = 0 V,TJ = 25°C,f = 1 MHz
VR = 400 V,TJ = 25˚C,f = 1 MHz
VR = 800 V,TJ = 25˚C,f = 1 MHz
IF = 2 A TJ=25°C
IF = 2 A TJ=175°C
注:
1.这是一款主载子二极管,因此没有反向恢复电荷。
热特征
符号
参数
典型
单位
RθJC
TO-252 封装热阻,结到外壳
2.9
°C/W
典型性能
600
4
TJ=-55°C
TJ= 25°C
TJ= 75°C
TJ = 125°C
TJ =175°C
3.5
3
500
400
IR (μA)
IF (A)
2.5
2
1.5
300
TJ=-55°C
TJ= 25°C
TJ= 75°C
TJ = 125°C
TJ =175°C
200
1
100
0.5
0
0
0.5
1
1.5
2
VF (V)
图 1.正向特征
2
C4D02120E Rev. A
2.5
3
3.5
0
0
500
1000
VR (V)
图 2.反向特征
1500
2000
典型性能
35
60
30
50
20%
30%
50%
70%
直流
20
占空系数*
占空系数*
占空系数*
占空系数*
40
PTot (W)
IF(peak) (A)
25
15
20
10
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
25
175
图 4.功率降额
14
160
125
150
175
140
120
C (pF)
10
8
6
100
80
60
4
40
2
20
0
200
400
600
800
1000
0
0.1
VR (V)
3
100
图 3.电流降额
180
75
TC ˚C
16
0
50
TC ˚C
12
Qrr (nC)
30
图 5.恢复电荷与反向电压的关系
C4D02120E Rev. A
1
10
VR (V)
图 6.电容与反向电压
100
1000
典型性能
10
热阻 (˚C/W)
1
0.1
0.01
0.001
1E-6
10E-6
100E-6
1E-3
10E-3
100E-3
时间 (秒)
图 7.瞬态热阻抗
二极管型号
Diode Model CSD04060
VfT = VT+If*RT
Vf T = VT + If*RT
V = 0.99+(T * -1.70*10-3)
-3
J
VT=T0.965 + (Tj * -1.3*10
)
-4
RT = 0.15+(TJ* 2.40*10
-3
)
RT= 0.096 + (Tj * 1.06*10 )
注:Tj = 二极管结温,单位摄氏度
VT
4
C4D02120E Rev. A
RT
1
10
建议的焊盘布局
.08
部件号
封装
标记
C4D02120E
TO-252-2
C4D02120
TO-252-2
封装尺寸
位置
封装 TO-252-2
英寸
最大
最小
最大
A
.250
.289
6.350
7.341
B
.197
.215
5.004
5.461
C
.027
.050
.686
1.270
D*
.270
.322
6.858
8.179
E
.178
.182
4.521
4.623
F
.025
.045
.635
1.143
G
44˚
46˚
44˚
46˚
H
.380
.410
9.652
10.414
J
*
引脚 2
外壳
.090 典型
2.286 典型
K
6˚
8˚
6˚
8˚
L
.086
.094
2.184
2.388
M
.018
.034
.457
.864
N
.035
.050
.889
1.270
P
.231
.246
5.867
6.248
Q
0.00
.005
0.00
.127
R
引脚 1
毫米
最小
R0.010 典型
R0.254 典型
S
.017
.023
.432
.584
T
.038
.045
.965
1.143
U
.021
.029
.533
.737
注:
* 接片 “D” 可能不存在
本产品中对环境有害物质、持久性生物毒性物质 (PBT)、持久性有机污染物 (POP) 或其它受限制原料的含量低于此类物质所允许的最大浓度值 (也称为阈值),或者依照欧盟关于在电气和电子设备中限制
使用某些有害物质的 2002/95/EC 号指令 (RoHS) 用于可豁免的应用场合 (修订截至 2006 年 4 月 21 日)。
本产品并未针对以下应用进行设计或测试,也不用于以下应用:植入人体的应用;产品失效可能导致死亡、人员受伤或财产损失的应用,包括但不限
于用于以下操作中的装置:核设施、生命维持机器、心脏除颤器或类似的急救设备、飞行器导航、通信或控制系统、空中交通控制系统、武器系统。
版权所有 ©2012 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改,恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是 Cree, Inc. 的注册商标,Z-Rec 是
Cree, Inc. 的商标。
5
C4D02120E Rev. A
华刚国际贸易有限公司
香港沙田香港科学园
科技大道东 2 号
光电子中心 3 楼 301室
电话:+852 2424 8228
传真:+852 2422 2737
电邮:CreeSalesAsia@cree.com