Cree C3D03060F 碳化硅肖特基二极管- Z

C3D03060F–碳化硅肖特基二极管
VRRM = 600 V
Z-Rec™ 整流器(全隔离式封装)
IF(AVG)= 3 A
Qc 特点
•
•
•
•
•
•
•
•
= 6.7 nC
封装
600 伏肖特基整流器
针对 PFC 升压二极管应用进行优化
零反向恢复电流
零正向恢复电压
高频工作
与温度无关的开关特性
极快的开关
正向电压 (VF) 的正温度系数
TO-220-F2
优点
•
•
•
•
•
引脚 1
将双极整流器替换成单极整流器
基本无开关损耗
效率更高
对散热器要求降低
并联器件不会导致热失控
应用
•
•
外壳
引脚 2
开关电源
功率因数校正
-- 典型 PFC Pout:150W-300W
部件号
封装
标记
C3D03060F
TO-220-F2
C3D03060
D03060F
技术数据表:C3
Rev. B
最大额定值
符号
参数
值
单位
VRRM
反向重复峰值电压
600
V
VRSM
反向浪涌峰值电压
600
V
VDC
直流阻断电压
600
V
IF(AVG)
平均正向电流
3.0
A
TC=105˚C
IFRM
正向重复峰值浪涌电流
20
15
A
TC=25˚C,tP=10 mS,半正弦波 D=0.3
TC=110˚C,tP=10 mS,半正弦波 D=0.3
IFSM
正向不重复峰值浪涌电流
28
22
A
TC=25˚C,tP=10 mS,半正弦波 D=0.3
TC=110˚C,tP=10 mS,半正弦波 D=0.3
IFSM
正向不重复峰值浪涌电流
100
A
TC=25˚C,tP=10 µs,脉冲
Ptot
功率耗散
12.5
5.4
W
TC=25˚C
TC=110˚C
-55 至
+175
˚C
1
8.8
Nm
lbf-in
TJ,Tstg
工作结温和存储温度
TO-220 安装扭矩
测试条件
注
M3 螺丝
6-32 螺丝
信息若有更改,恕不另行通知。
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1
电气特征
符号
参数
典型
最大
单位
测试条件
1.7
2.4
V
50
100
μA
VR = 600 V TJ=25°C
VR = 600 V TJ=175°C
注
IF = 3 A TJ=25°C
IF = 3 A TJ=175°C
VF
正向电压
IR
反向电流
10
20
QC
总电容电荷
6.7
nC
VR = 600 V,IF = 3A
di/dt = 500 A/μS
TJ = 25°C
C
总电容
155
13
12
pF
VR = 0 V,TJ = 25°C,f = 1 MHz
VR = 200 V,TJ = 25˚C,f = 1 MHz
VR = 400 V,TJ = 25˚C,f = 1 MHz
注:
1.这是一款主载子二极管,因此没有反向恢复电荷。
热特征
符号
参数
典型
单位
RθJC
TO-220-F2 封装热阻,结到外壳
12.0
°C/W
典型性能
1.40E-05
14
6.0
6.0
TJ =
TJ =
TJ =
TJ =
5.0
5.0
25°C
75°C
125°C
175°C
12
1.20E-05
1.00E-05
10
8.00E-068
3.0
3.0
TJ = 25°C
TJ = 75°C
2.00E-062
TJ = 175°C
6.00E-066
2.0
2.0
4.00E-064
1.0
1.0
TJ = 125°C
0.00E+000
0
0.0
0.0 0.0
0.5
0.5
1.0
1.0
1.5
1.5
VF 正向电压 (V)
图 1.正向特征
2
IR 反向电流 (μA)
IF 正向电流 (A)
4.0
4.0
C3D03060F Rev. B
2.0
2.0
2.5
2.5
3.0
3.0
0
0
100
100
200
200
300
300
400
400
500
VR 反向电压 (V)
图 2.反向特征
500
600
600
700
700
800
800
Capacitance
典型性能
C3D03060F Current Derating
80
12
12
80
70
60
88
10%
30%
50%
70%
直流
66
占空系数*
占空系数*
占空系数*
占空系数*
44
C 电容 (pF)
Capacitance (pF)
60
F(PEAK)
(A)
峰值正向电流
I
IF(PEAK)
Peak
Forward
Current (A)
70
10
10
50
50
40
40
30
30
20
20
22
10
10
00
25
25
50
50
75
100
75
100
TC 外壳温度 (°C)
125
125
* 频率 > 1KHz (°
TC Case Temperature
°C)
150
150
0
0
175
175
1
1
10
10
V 反向电压 (V)
100
100
R
Reverse Voltage
图 3.电流降额
热阻抗 (°C/W)
图 4.电容与反向电压的关系
时间 (s)
图 5.瞬态热阻抗
3
C3D03060F Rev. B
1000
1000
典型性能
16.0
16
12.0
12
10.0
10
功率耗散 (W)
Power Dissipation (W)
14.0
14
8.08
6.06
4.04
2.02
0.00
25
25
50
50
75
100
125
75
100
125
Tc Case
Temperature
T 外壳温度
(°C) (°C)
C
图 6.功率降额
4
C3D03060F Rev. B
150
150
175
175
封装尺寸
封装 TO-220-F2
E
A
F
位置
B
G
C
H
P
L
S
D
T
M
N
引脚 1
引脚 2
5
C3D03060F Rev. B
外壳
英寸
毫米
最小
最大
最小
A
.177
.193
4.5
最大
4.9
B
.092
.108
2.34
2.74
6.9
C
.248
.272
6.3
D
.098
.114
2.5
2.9
E
.390
.406
9.9
10.3
3.4
F
.118
.134
3.0
G
.122
.137
3.1
3.5
H
.617
.633
15.67
16.07
L
.039
.055
1.0
1.4
M
.016
.031
0.4
0.8
N
.185
.217
4.7
5.5
P
0
.154
0
3.9
S
.476
.508
12.1
12.9
T
.016
.031
0.4
0.8
注:
1. 尺寸 L、M、T 适用于浸焊表面处理
建议的焊盘布局
TO-220-2
部件号
封装
标记
C3D03060F
TO-220-F2
C3D03060
二极管型号
Diode Model CSD04060
Vf T =VfVTT=+ V
If*R
T+If*R
T
T
-3
VVT =0.965
-3
1.01+(T
-1.26*10
)
+ (Tj *J*-1.3*10
)
T=
-3
R
-3
0.14+(T
1.13*10
RT =0.096
+ (T *J*1.06*10
) )
T=
j
注:Tj = 二极管结温,单位摄氏度
VT
RT
本产品中对环境有害物质、持久性生物毒性物质 (PBT)、持久性有机污染物 (POP) 或其它受限制原料的含量低于此类物质所允许的最大浓度值 (也称为阈值),或者依照欧盟关于在电气和电子设备中限制
使用某些有害物质的 2002/95/EC 号指令 (RoHS) 用于可豁免的应用场合 (修订截至 2006 年 4 月 21 日)。
本产品并未针对以下应用进行设计或测试,也不用于以下应用:植入人体的应用;产品失效可能导致死亡、人员受伤或财产损失的应用,包括但不限
于用于以下操作中的装置:核设施、生命维持机器、心脏除颤器或类似的急救设备、飞行器导航、通信或控制系统、空中交通控制系统、武器系统。
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6
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