シングル N チャンネル MOSFET ELM33416CA-S ■概要 ■特長 ELM33416CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=100V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=1.3A ・ Rds(on) < 230mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 240mΩ (Vgs=5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Ta=100℃ Idm アバランシェ電流 アバランシェ エネルギー Ias Eas 最大許容損失 Tc=100℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 1.3 Id パルス ・ ドレイン電流 L=0.1mH Tc=25℃ 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 100 V ±20 V Pd Tj, Tstg A 0.8 18 A 18 16.5 0.75 3 A mJ W 0.30 -55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 記号 最大接合部 - 周囲温度 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 単位 166 ℃/W ■回路 � SOT-23(TOP VIEW) � � 備考 � 端子番号 端子記号 1 2 3 GATE SOURCE DRAIN � � 4-1 シングル N チャンネル MOSFET ELM33416CA-S ■電気的特性 項目 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲ - ト電圧ドレイン電流 ゲート漏れ電流 記号 条件 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 100 Vds=80V, Vgs=0V Idss Vds=80V, Vgs=0V, Ta=125℃ Igss 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 出力容量 帰還容量 ゲート抵抗 スイッチング特性 総ゲート電荷 Gfs Vsd Vds=10V, Id=2A If=2A, Vgs=0V 1 10 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz Crss Rg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Qg Qgs Vgs=10V, Vds=50V, Id=2A Qgd td(on) ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 tr Vgs=10V, Vds=50V td(off) Id=2A, Rgen=6Ω tf trr Qrr If=2A, dlf/dt=500A/μs 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1％ 4-2 μA ±100 nA 1.0 18 1.5 2.0 V A 1 mΩ 1 1.4 S V 1 1 10 A 220 230 230 240 10 Is ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 V Vds=0V, Vgs=±20V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=10V, Vds=10V Vgs=10V, Id=2A ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Vgs=5V, Id=1A 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 802 80 41 pF pF pF 2.5 Ω 15 nC 2 2 4 16 nC nC ns 2 2 2 330 39 111 ns ns ns 2 2 2 75 0.17 ns nC シングル N チャンネル MOSFET ELM33416CA-S ■標準特性と熱特性曲線 � � � 4-3 シングル N チャンネル MOSFET ELM33416CA-S � � � � � � � � � � 4-4