elm34810aa

デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM34810AA-N
■概要
■特長
ELM34810AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー
・ Vds=30V
・ Id=7A
MOSFET です。
・ Rds(on) < 21mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 35mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
特に指定なき場合、 Ta=25℃
規格値
単位
備考
30
V
±20
V
7
Id
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
Pd
接続温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
A
6
40
A
2.0
1.3
-55 ～ 150
3
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
Rθja
定常状態
■端子配列図
Typ.
Max.
62.5
単位
℃/W
備考
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
1
端子記号
SOURCE1
2
3
4
GATE1
SOURCE2
GATE2
5
6
7
DRAIN2
DRAIN2
DRAIN1
8
DRAIN1
4-1
��
��
��
��
��
��
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM34810AA-N
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
Idss
30
V
Vds=24V, Vgs=0V
1
Vds=20V, Vgs=0V
Ta=55℃
10
ゲート漏れ電流
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
Igss Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
Vgs=10V, Id=7A
Vgs=4.5V, Id=6A
15
21
順方向相互コンダクタンス
Gfs
Vds=15V, Id=5A
24
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Vsd
Is
If=1A, Vgs=0V
パルス電流
動的特性
入力容量
Ism
出力容量
帰還容量
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
Ciss
Coss
Crss
Vgs=0V, Vds=15V
f=1MHz
Qg
Qgs
Qgd
Vgs=5V, Vds=15V, Id=7A
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
td(off) Id=1A, Rgen=6Ω
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tf
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
trr
Qrr
If=5A, dlf/dt=100A/μs
備考 :　1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. デューティーサイクル≦1％
4-2
1.0
25
μA
±100 nA
1.5 3.0
V
A
21
35
1
mΩ
1
S
1
1.2
1.3
V
A
1
2.5
A
3
1650
pF
365
170
pF
pF
18.0 25.0
nC
2
nC
nC
2
2
5.5
6.7
11
9
25
20
18
40
ns
ns
ns
2
2
2
11
20
ns
2
15.5
7.9
ns
nC
NIKO-SEM
Dual N-Channel Enhancement Mode
Field Effect Transistor
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
P2103HVG
SOP-8
Lead-Free
ELM34810AA-N
■標準特性と熱特性曲線
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Jun-29-2004
NIKO-SEM
Dual N-Channel Enhancement Mode
Field Effect Transistor
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
P2103HVG
SOP-8
Lead-Free
ELM34810AA-N
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Jun-29-2004