2sa1909 ds jp

2SA1909
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC5101とコンプリメンタリ)
IEBO
VEB=−6V
−10max
μA
−6
V
V(BR)CEO
IC=−50mA
−140min
−10
A
hFE
20typ
℃
COB
VCB=−10V, f=1MHz
400typ
℃
※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180)
V
3.0
VCE=−12V, IE=0.5A
MHz
3.3
IC=−5A, IB=−0.5A
fT
pF
1.75
1.05 +0.2
-0.1
5.45±0.1
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
VCC
(V)
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
–60
12
–5
–10
5
–0.5
0.5
0.17typ
1.86typ
0.27typ
–10
–15
0m
A
コレクタ電流 I C (A)
–100
–8
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
–8
mA
–7 5m A
–6
–50mA
–4
–25mA
–2
–2
–1
–6
度)
0
(V CE = – 4V)
–4
ス温
–2
–2
I C =–10A
12
I B =–10mA
–5A
0
–1
–2
–3
0
–4
0
–0.5
–1.0
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
h FE – I C 特性(代表 例 )
Typ
50
–1
–5
–1
–1.5
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
θ j-a – t特 性
200
3
125 ˚C
100
100
–0.5
0
(V C E = – 4V)
直流電流増幅率 h F E
25 ˚C
– 30 ˚C
50
20
–0.02
–10
–0.1
–0.5
–1
–5
–10
1
0.5
0.1
1
10
100
f T – I E 特性(代表 例 )
1000 2000
時間 t(ms)
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
ASO 曲 線( 単 発 パ ル ス )
P c – Ta定 格
(V CE = – 12V)
80
–30
30
–5
–10
コレクタ電流 I C (A)
付
10
板
1
エミッタ電流 I E (A)
熱
0.1
–0.1
–3
40
20
放熱板なし
自然空冷
0
0.02
放
–0.5
大
–1
限
遮断周波数 f T (MH Z )
60
s
C
無
D
ms
10
–5
0m
Typ
10
20
10
–10
最大許容損失 P C (W)
直流電流増幅率 h FE
200
–0.1
0
–2.0
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
(V CE = – 4V)
30
–0.02
–1.5
ベース電流 I B (A)
過渡熱抵抗 θ j- a ( ˚C/W)
0
E
ケー
0
3.35
製品質量 約6.5g
イ.品名
ロ.ロット番号
–10
C(
–3
C
5˚
0
A
0m
コレクタ電流 I C (A)
–4
A
0m
1.5
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
–3
A
0m
4.4
B
V CE ( sat) – I B 特 性( 代 表 例 )
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
1.5
I C – V CE 特性(代 表 例 )
0.8
2.15
温度)
−55∼+150
Tstg
VCE(sat)
ケース
150
Tj
−0.5max
A
W
ø3.3±0.2
イ
ロ
˚C (
80(Tc=25℃)
PC
3.45 ±0.2
−30
−4
IB
V
50min※
VCE=−4V, IC=−3A
5.5±0.2
度)
VEBO
0.8±0.2
V
15.6±0.2
5.5
μA
1.6
−10max
ス温
−140
VCB=−140V
ケー
VCEO
ICBO
˚C(
V
単位
25
−140
規格値
9.5±0.2
VCBO
外形図 FM100(TO3PF)
(Ta=25℃)
試 験 条 件
記 号
23.0±0.3
単 位
IC
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
記 号
16.2
■絶対最大定格
用途:オーディオ、一般用
–50
–100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
–200
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 Ta( ˚C)
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