2SA1215

2SA1215
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC2921とコンプリメンタリ)
単位
VCB＝−160V
−100max
μA
VCEO
−160
V
IEBO
VEB＝−5V
−100max
μA
VEBO
−5
V
V(BR)CEO
IC＝−25mA
−160min
V
IC
−15
A
hFE
VCE＝−4V, IC＝−5A
IB
−4
A
VCE(sat)
IC＝−5A, IB＝−0.5A
W
fT
VCE＝−12V, IE＝2A
50typ
MHz
℃
COB
VCB＝−10V, f＝1MHz
400typ
pF
℃
※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180)
V
IC
(A)
VB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
–60
12
–5
5
–500
500
0.25typ
0.85typ
0.2typ
I C – V CE 特性（ 代 表 例 ）
–16
A
–1
I B =–20mA
0
0
–1
–2
–3
–5
I C =–10A
–5A
0
–4
0
–0.2
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
–0.4
–0.6
–0.8
0
–1.0
0
ベース電流 I B (A)
h FE – I C 特性（代表 例 ）
）
温度
–1
–2
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
(V CE = – 4V)
(V C E = – 4V)
200
200
ース
–50mA
–4
–10
（ケ
–10 0mA
–8
–2
）
–1 50 m A
温度
mA
ース
–200
–12
コレクタ電流 I C (A)
0m
（ケ
–30
5˚C
m
00 500 400
–
–
(V C E = – 4V)
12
–6
E
–15
コレクタ電流 I C (A)
m
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
50
3.0 +0.3
-0.1
5.45±0.1
C
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
–3
–7
0.65 +0.2
-0.1
製品質量 約18.4g
イ．品名
ロ．ロット番号
V CE (sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ）
mA
2
3
B
RL
(Ω)
A
ロ
5.45±0.1
VCC
(V)
mA
イ
1.05 +0.2
-0.1
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
A
9
度）
−55∼＋150
Tstg
2-ø3.2±0.1
0˚C
150
Tj
2.1
ス温
150(Tc＝25℃)
PC
24.4±0.2
50min※
−2.0max
6.0±0.2
36.4±0.3
7
ICBO
規格値
−3
V
外形図 MT-200
(Ta＝25℃)
試 験 条 件
ケー
−160
記 号
˚C（
単 位
21.4±0.3
VCBO
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
4.0max
記 号
20.0min
■絶対最大定格
用途：オーディオ、一般用
25
LAPT
2
Typ
100
10
–0.02
–0.5
–0.1
25 ˚C
100
50
– 30 ˚C
50
30
–0.02
–5 –10 –15
–1
過渡熱抵抗 θ j - a ( ˚C/W)
直流電流増幅率 h F E
直流電流増幅率 h F E
125 ˚C
コレクタ電流 I C (A)
–0.1
–0.5
–1
–5
–10 –15
1
0.5
0.1
1
10
100
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性（代 表 例 ）
1000 2000
時間 t(ms)
ASO 曲 線（ 単 発 パ ル ス ）
P c – Ta定 格
(V CE = – 12V)
160
–40
80
10
m
0
0.02
0.1
1
エミッタ電流 I E (A)
12
10
–0.2
–2
40
放熱板なし
自然空冷
–10
80
付
–0.5
板
–1
20
熱
最大許容損失 P C (W)
–5
放
コレクタ電流 I C (A )
C
大
40
D
限
p
無
遮断周波数 f T (MH Z )
–10
Ty
120
s
60
–100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
–200
5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150