2SA1907 シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC5099とコンプリメンタリ) IEBO VEB＝−6V −10max μA −6 V V(BR)CEO IC＝−50mA − 80min V −6 A hFE VCE＝−4V, IC＝−2A 50min※ −3 A VCE(sat) IC＝−12A, IB＝−0.2A PC 60(Tc＝25℃) W fT VCE＝−12V, IE＝0.5A 20typ 150 ℃ COB VCB＝−10V, f＝1MHz 150typ −55∼＋150 ℃ ø3.3±0.2 イ ロ V MHz pF 1.75 ※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180) 1.05 +0.2 -0.1 5.45±0.1 ■代表的スイッチング特性（エミッタ接地） VCC (V) RL (Ω) IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (A) IB2 (A) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) –30 10 –3 –10 5 –0.3 0.3 0.18typ 1.10typ 0.21typ A –20mA –2 I B =–10mA –1 –2 I C =–6A –1 12 –4A –2A 0 0 –1 –2 –3 0 –4 0 –0.5 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) –1.0 (V C E = – 4V) 50 –0.1 –0.5 –1 –5 –6 過渡熱抵抗 θ j- a (˚C /W) 直流電流増幅率 h F E 125 ˚C 25 ˚C – 30 ˚C 100 100 50 30 –0.02 –0.1 コレクタ電流 I C (A) –0.5 –1 –5 –6 1 0.5 0.3 1 10 100 コレクタ電流 I C (A) f T – I E 特性（代 表 例 ） ） 5 300 Typ –1.5 θ j-a – t特 性 h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ） 300 –1 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) (V CE = – 4V) 30 –0.02 0 ベース電流 I B (A) h FE – I C 特性（代 表 例 ） 1000 2000 時間 t(ms) AS O 曲 線（ 単 発 パ ル ス ） P c – Ta定 格 (V CE = – 12V) –10 Typ 1m 10 20 s s 0.05 0.1 0.5 1 エミッタ電流 I E (A) 5 6 –0.1 –5 –10 –50 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) –100 付 0 0.02 板 放熱板なし 自然空冷 熱 –0.5 放 –1 40 大 10 DC 0m ms 限 コレクタ電流 I C (A) –5 10 無 遮断周波数 f T (MH Z ) 60 –20 30 最大許容損失 P C (W) 直流電流増幅率 h F E 0 –1.5 温度 –30mA –4 ース –3 –2 （ケ –50mA 度） –4 ス温 –8 0m A ケー –5 ケー –1 00 m (V C E = – 4V) –6 –3 A 3.35 製品質量 約6.5g イ．品名 ロ．ロット番号 E C（ –1 m 50 C 5˚ A 1.5 I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ） コレクタ電流 I C (A) コレクタ電流 I C (A) –2 m 00 コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) –6 4.4 B V CE (sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ） 0.65 +0.2 -0.1 5.45±0.1 1.5 I C – V CE 特性（代 表 例 ） 0.8 2.15 ˚C（ Tstg 3.45 ±0.2 25 Tj 5.5±0.2 3.0 −0.5max IB 0.8±0.2 V 15.6±0.2 5.5 IC μA 1.6 VEBO −10max 3.3 −80 VCB＝−80V 0˚C VCEO ICBO 度） V 単位 −3 −80 規格値 ス温 VCBO 外形図 FM100(TO3PF) (Ta＝25℃) 試 験 条 件 記 号 23.0±0.3 単 位 9.5±0.2 ■電気的特性 (Ta＝25℃) 規 格 値 記 号 16.2 ■絶対最大定格 用途：オーディオ、一般用 20 3.5 0 放熱板なし 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 Ta( ˚C) 35