2sa1907 ds jp

2SA1907
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC5099とコンプリメンタリ)
IEBO
VEB=−6V
−10max
μA
−6
V
V(BR)CEO
IC=−50mA
− 80min
V
−6
A
hFE
VCE=−4V, IC=−2A
50min※
−3
A
VCE(sat)
IC=−12A, IB=−0.2A
PC
60(Tc=25℃)
W
fT
VCE=−12V, IE=0.5A
20typ
150
℃
COB
VCB=−10V, f=1MHz
150typ
−55∼+150
℃
ø3.3±0.2
イ
ロ
V
MHz
pF
1.75
※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180)
1.05 +0.2
-0.1
5.45±0.1
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
VCC
(V)
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
–30
10
–3
–10
5
–0.3
0.3
0.18typ
1.10typ
0.21typ
A
–20mA
–2
I B =–10mA
–1
–2
I C =–6A
–1
12
–4A
–2A
0
0
–1
–2
–3
0
–4
0
–0.5
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
–1.0
(V C E = – 4V)
50
–0.1
–0.5
–1
–5 –6
過渡熱抵抗 θ j- a (˚C /W)
直流電流増幅率 h F E
125 ˚C
25 ˚C
– 30 ˚C
100
100
50
30
–0.02
–0.1
コレクタ電流 I C (A)
–0.5
–1
–5 –6
1
0.5
0.3
1
10
100
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性(代 表 例 )
)
5
300
Typ
–1.5
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
300
–1
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V CE = – 4V)
30
–0.02
0
ベース電流 I B (A)
h FE – I C 特性(代 表 例 )
1000 2000
時間 t(ms)
AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス )
P c – Ta定 格
(V CE = – 12V)
–10
Typ
1m
10
20
s
s
0.05 0.1
0.5
1
エミッタ電流 I E (A)
5 6
–0.1
–5
–10
–50
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
–100
付
0
0.02
板
放熱板なし
自然空冷
熱
–0.5
放
–1
40
大
10
DC
0m
ms
限
コレクタ電流 I C (A)
–5
10
無
遮断周波数 f T (MH Z )
60
–20
30
最大許容損失 P C (W)
直流電流増幅率 h F E
0
–1.5
温度
–30mA
–4
ース
–3
–2
(ケ
–50mA
度)
–4
ス温
–8 0m A
ケー
–5
ケー
–1 00 m
(V C E = – 4V)
–6
–3
A
3.35
製品質量 約6.5g
イ.品名
ロ.ロット番号
E
C(
–1
m
50
C
5˚
A
1.5
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
–2
m
00
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
–6
4.4
B
V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 )
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
1.5
I C – V CE 特性(代 表 例 )
0.8
2.15
˚C(
Tstg
3.45 ±0.2
25
Tj
5.5±0.2
3.0
−0.5max
IB
0.8±0.2
V
15.6±0.2
5.5
IC
μA
1.6
VEBO
−10max
3.3
−80
VCB=−80V
0˚C
VCEO
ICBO
度)
V
単位
−3
−80
規格値
ス温
VCBO
外形図 FM100(TO3PF)
(Ta=25℃)
試 験 条 件
記 号
23.0±0.3
単 位
9.5±0.2
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
記 号
16.2
■絶対最大定格
用途:オーディオ、一般用
20
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 Ta( ˚C)
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