2sa1908 ds jp

2SA1908
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC5100とコンプリメンタリ)
−120
V
ICBO
VCB=−120V
−10max
μA
VCEO
−120
V
IEBO
VEB=−6V
−10max
μA
VEBO
−6
V
V(BR)CEO
IC=−50mA
−120min
IC
−8
A
hFE
150
−55∼+150
23.0±0.3
A
VCE(sat)
IC=−3A, IB=−0.3A
W
fT
VCE=−12V, IE=0.5A
20typ
MHz
℃
COB
VCB=−10V, f=1MHz
300typ
pF
℃
※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180)
5.5
ø3.3±0.2
イ
ロ
V
1.75
1.05 +0.2
-0.1
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
VCC
(V)
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
–40
10
–4
–10
5
–0.4
0.4
0.14typ
1.40typ
0.21typ
–4A
–2A
0
–1
–2
–3
0
–4
0
–0.2
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
–0.4
–0.6
–0.8
0
–1.0
h FE – I C 特性(代 表 例 )
–0.1
–0.5
–1
25 ˚C
– 30 ˚C
50
30
–0.02
–5 –8
過渡熱抵抗 θ j - a (˚C /W)
直流電流増幅率 h FE
50
温度
4
100
100
–1.5
θ j-a – t特 性
125 ˚C
Typ
–1.0
(V C E = – 4V)
300
200
–0.5
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
(V CE = – 4V)
30
–0.02
0
ベース電流 I B (A)
ース
(ケ
0˚C
–2
I C =–8A
)
)
度)
温度
ス温
–1
−3
I B =–10mA
–4
ース
–25mA
–6
ケー
–50mA
–4
–2
(ケ
–7 5m A
5˚C
コレクタ電流 I C (A)
(V C E = – 4V)
mA
–2
直流電流増幅率 h FE
E
–8
12
–100
–6
0
C
3.35
製品質量 約6.5g
イ.品名
ロ.ロット番号
mA
コレクタ電流 I C (A)
–
0
15
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
A
m
50
–3
–2
A
1.5
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
–3
m
00
4.4
B
V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 )
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
1.5
–8
0.8
2.15
5.45±0.1
I C – V CE 特性( 代 表 例 )
3.45 ±0.2
1.6
− 0.5max
5.5±0.2
˚C(
Tstg
V
50min※
VCE=−4V, IC=−3A
25
Tj
15.6±0.2
3.0
75(Tc=25℃)
PC
単位
3.3
−3
IB
規格値
試 験 条 件
0.8±0.2
VCBO
記 号
外形図 FM100(TO3PF)
(Ta=25℃)
単 位
9.5±0.2
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
記 号
16.2
■絶対最大定格
用途:オーディオ、一般用
1
0.5
0.2
–0.1
–0.5
–1
–5
–8
1
10
100
f T – I E 特性(代 表 例 )
1000 2000
時間 t(ms)
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス )
P c – Ta定 格
(V CE = – 12V)
80
–20
–10
10
DC
20
s
60
1
エミッタ電流 I E (A)
36
5
8
–0.1
–5
–10
付
0.5
板
0.05 0.1
40
20
放熱板なし
自然空冷
0
0.02
熱
–0.5
放
–1
大
10
m
s
限
コレクタ電流 I C (A)
–5
無
遮断周波数 f T (MH Z )
Typ
10
0m
最大許容損失 P C (W)
30
–50
–100 –150
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150
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