2sc3284 ds jp

2SC3284
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SA1303とコンプリメンタリ)
150
V
IEBO
5
V
V(BR)CEO
14
A
hFE
100max
μA
VEB＝5V
100max
μA
IC＝25mA
150min
V
VCE＝4V, IC＝5A
50min※
A
VCE(sat)
IC＝5A, IB＝0.5A
2.0max
V
PC
125(Tc＝25℃)
W
fT
VCE＝12V, IE＝−2A
60typ
MHz
Tj
150
℃
COB
VCB＝10V, f＝1MHz
200typ
pF
−55∼＋150
℃
※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180)
5.45±0.1
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
60
12
5
10
–5
0.5
–0.5
0.2typ
1.5typ
0.35typ
(V CE =4V)
0
1
2
3
0
4
0
0.2
0.6
0.8
(V C E =4V)
100
50
0.1
0.5
1
5
25 ˚C
– 30 ˚C
50
20
0.02
10 14
コレクタ電流 I C (A)
0.1
0.5
1
5
10 14
1
0.5
0.1
1
10
100
1000 2000
時間 t(ms)
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性 （代表 例 ）
2
3
過渡熱抵抗 θ j -a ( ˚C/W)
直流電流増幅率 h F E
125 ˚C
Typ
1
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
200
20
0.02
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V CE =4V)
直流電流増幅率 h F E
0
1.0
ベース電流 I B (A)
h FE – I C 特性（代表 例 ）
100
度）
）
12
0.4
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
200
ケー
I C =10A
5A
0
ス温
度
ス
温
5
5˚
I B =20mA
1
ー
50mA
4
10
ケ
10 0m A
8
2
C（
A
15 0m A
コレクタ電流 I C (A)
200m
コレクタ電流 I C (A)
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
14
3
30
1.4
E
0mA
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
A
0m
12
C
製品質量 約6.0ｇ
イ．品名
ロ．ロット番号
V CE (sat) – I B 特 性 （ 代 表 例 ）
A
75
m
400
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
B
RL
(Ω)
14
2
3
1.05 +0.2
-0.1
VCC
(V)
A
0m
60 mA
0
50
ø3.2±0.1
ロ
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
I C – V CE 特性（ 代 表 例 ）
2.0±0.1
C（
Tstg
イ
4.8±0.2
0˚
3
IB
15.6±0.4
9.6
−3
IC
単位
VCB＝150V
˚C
VEBO
試 験 条 件
1.8
VCEO
記 号
5.0±0.2
ICBO
2.0
V
4.0
150
19.9±0.3
単 位
VCBO
記 号
外形図 MT-100(TO3P)
(Ta＝25℃)
規格値
4.0max
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
20.0min
■絶対最大定格
用途：オーディオ、一般用
25
LAPT
AS O 曲 線（ 単 発 パ ル ス ）
P c – Ta定 格
(V CE =12V)
40
130
1m
10
10
Typ
s
100
C
熱
板
付
1
放
5
大
40
D
m
s
限
コレクタ電流 I C (A )
10
無
遮断周波数 f T (MH Z )
60
0m
s
最大許容損失 P C (W)
80
50
20
放熱板なし
自然空冷
0.5
0
–0.02
–0.1
–1
エミッタ電流 I E (A)
66
–10
0.2
3
10
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
200
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
1 25
150