2sc2837 ds jp

2SC2837
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SA1186とコンプリメンタリ)
V
IEBO
VEB=5V
100max
μA
IC=25mA
150min
V
5
V
V(BR)CEO
IC
10
A
hFE
IB
2
VCE=4V, IC=3V
50min※
V
A
VCE(sat)
IC=5A, IB=0.5A
2.0max
PC
100(Tc=25℃)
W
fT
VCE=12V, IE=−1A
70typ
MHz
Tj
150
℃
COB
VCB=80V, f=1MHz
60typ
pF
−55∼+150
℃
※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180)
5.45±0.1
IC
(A)
VB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
60
12
5
–5
500
–500
0.2typ
1.4typ
0.35typ
A
I B =20mA
2
2
0
1
2
3
0
4
0
0.5
1.0
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
1.5
0
2.0
0
200
2
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
(V CE =4V)
1
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
ベース電流 I B (A)
h FE – I C 特性(代表 例 )
25
12
5˚
5A
0
度)
)
度
温
4
ス
I C =10A
1
ー
40mA
6
ケ
4
2
C(
80mA
コレクタ電流 I C (A)
12 0m A
6
(V CE =4V)
8
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
A
160m
コレクタ電流 I C (A)
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
A
200m
8
1.4
E
10
3
300m
C
製品質量 約6.0g
イ.品名
ロ.ロット番号
V CE ( sat) – I B 特 性 ( 代 表 例 )
I C – V CE 特性 (代表 例 )
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
B
RL
(Ω)
A
2
3
1.05 +0.2
-0.1
VCC
(V)
m
400
ø3.2±0.1
ロ
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
10
2.0±0.1
ス温
Tstg
イ
4.8±0.2
ケー
VEBO
15.6±0.4
9.6
1.8
μA
5.0±0.2
100max
C(
150
VCB=150V
0˚
VCEO
ICBO
−3
V
単位
2.0
150
規格値
4.0
VCBO
外形図 MT-100(TO3P)
(Ta=25℃)
試 験 条 件
記 号
19.9±0.3
単 位
4.0max
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
記 号
20.0min
■絶対最大定格
用途:オーディオ、一般用
˚C
LAPT
(V C E =4V)
200
3
Typ
100
20
0.02
0.1
25 ˚C
100
50
1
– 30 ˚C
50
20
0.02
10
過渡熱抵抗 θ j- a ( ˚C/W)
直流電流増幅率 h F E
直流電流増幅率 h F E
125 ˚C
0.05
0.1
0.5
1
5
10
1
0.5
0.2
1
f T – I E 特性(代表 例 )
100
1000 2000
時間 t(ms)
ASO 曲 線( 単 発 パ ル ス )
(V CE =12V)
120
10
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
P c – Ta定 格
100
30
10
m
s
100
60
コレクタ電流 I C (A)
付
エミッタ電流 I E (A)
–6
板
–1
熱
0.2
–0.1
50
放熱板なし
自然空冷
0.5
20
0
–0.02
1
放
40
C
大
60
最大許容損失 P C (W)
D
5
限
80
無
遮断周波数 f T (MH Z )
10
Typ
2
10
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
200
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150
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