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2SC2921
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SA1215とコンプリメンタリ)
試 験 条 件
単位
VCB=160V
100max
μA
VCEO
160
V
IEBO
VEB=5V
100max
μA
VEBO
5
V
V(BR)CEO
IC=25mA
160min
V
IC
15
A
hFE
VCE=4V, IC=5A
50min※
IB
4
A
VCE(sat)
IC=5A, IB=0.5A
2.0max
V
PC
150(Tc=25℃)
W
fT
VCE=12V, IE=−2A
60typ
MHz
Tj
150
℃
COB
VCB=10V, f=1MHz
200typ
pF
−55∼+150
℃
※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180)
24.4±0.2
2-ø3.2±0.1
IC
(A)
VB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
60
12
5
–5
500
–500
0.2typ
1.5typ
0.35typ
I C – V CE 特性(代 表 例 )
mA
5˚
12
5A
0
1
2
3
0
4
0
0.2
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
0.4
0.6
0.8
0
1.0
0
ス温
2
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
(V CE =4V)
(V C E =4V)
200
1
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
ベース電流 I B (A)
h FE – I C 特性(代表 例 )
C(
I C =10A
I B =20mA
0
度)
)
度
温
5
ケー
1
ス
50mA
5
10
ー
10 0m A
2
0˚
A
15 0m A
ケ
コレクタ電流 I C (A)
(V CE =4V)
mA
200m
10
E
C(
300
3.0 +0.3
-0.1
5.45±0.1
C
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
コレクタ電流 I C (A)
400
0.65 +0.2
-0.1
15
3
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
A
0m
A
2
3
製品質量 約18.4g
イ.品名
ロ.ロット番号
V CE ( sat) – I B 特 性( 代 表 例 )
75
6
m
500
ロ
B
RL
(Ω)
A
イ
5.45±0.1
VCC
(V)
m
00
9
1.05 +0.2
-0.1
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
15
2.1
−3
Tstg
6.0±0.2
36.4±0.3
7
記 号
ICBO
˚C
V
21.4±0.3
単 位
160
VCBO
外形図 MT-200
(Ta=25℃)
規格値
4.0max
記 号
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
20.0min
■絶対最大定格
用途:オーディオ、一般用
25
LAPT
2
200
Typ
50
10
0.02
0.1
0.5
1
100
25 ˚C
– 30 ˚C
50
20
0.02
10 15
コレクタ電流 I C (A)
0.1
0.5
1
10
100
P c – Ta定 格
s
120
C
5
板
付
80
40
放熱板なし
自然空冷
0.5
0.3
–10
熱
1
放
コレクタ電流 I C (A)
m
大
20
2000
限
40
1000
無
遮断周波数 f T (MH Z )
D
10
–1
10
160
Typ
エミッタ電流 I E (A)
1
時間 t(ms)
40
80
–0.1
0.1
AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス )
(V CE =12V)
0
–0.02
10 15
0.5
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性(代 表 例 )
60
5
1
最大許容損失 P C (W)
100
過渡熱抵抗 θ j -a (˚C /W)
直流電流増幅率 h FE
直流電流増幅率 h FE
125 ˚C
2
10
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
200
5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 Ta( ˚C)
61
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