2sa1294 ds jp

2SA1294
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC3263とコンプリメンタリ)
VCEO
−230
ICBO
VCB=−230V
−100max
μA
V
IEBO
VEB=−5V
−100max
μA
IC=−25mA
−230min
V
−5
V
V(BR)CEO
IC
−15
A
hFE
VCE=−4V, IC=−5A
IB
−4
IC=−5A, IB=−0.5A
VEBO
130(Tc=25℃)
PC
150
Tj
−55∼+150
Tstg
A
VCE(sat)
W
fT
℃
COB
℃
※ランク O(50∼100), Y(70∼140)
50min※
−2.0max
35typ
VCE=−12V, IE=2A
pF
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
–60
12
–5
–10
5
–500
500
0.35typ
1.50typ
0.30typ
00
mA
–30
–10
0m
–20
A
0mA
–1 00 mA
–5
–50mA
–2
–1
I C =–10A
I B =–20mA
0
–1
(V CE = – 4V)
–15
–2
–3
–10
12
5˚C
(ケ
25
ース
˚C(
温度
ケー
)
ス温
−3
度)
0˚C
(ケ
ース
温度
)
コレクタ電流 I C (A)
–5
0
1.4
E
.0A
コレクタ電流 I C (A)
–1
5.45±0.1
C
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
– 3
A
0.65 +0.2
-0.1
製品質量 約6.0g
イ.品名
ロ.ロット番号
V CE ( sat) – I B 特 性( 代 表 例 )
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
–3
.0A
–2
.0
A
.5
2
3
B
VCC
(V)
–1
ø3.2±0.1
5.45±0.1
I C – V CE 特性(代 表 例 )
2.0±0.1
1.05 +0.2
-0.1
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
–15
イ
4.8±0.2
ロ
V
MHz
500typ
VCB=−10V, f=1MHz
15.6±0.4
9.6
1.8
V
単位
2.0
−230
規格値
4.0
VCBO
外形図 MT-100(TO3P)
(Ta=25℃)
試 験 条 件
記 号
19.9±0.3
単 位
4.0max
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
記 号
20.0min
■絶対最大定格
用途:オーディオ、一般用
5.0±0.2
LAPT
–5
–5A
0
–4
0
–0.5
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
–1.0
–1.5
0
–2.0
0
ベース電流 I B (A)
h FE – I C 特性(代表 例 )
–2
–2.5
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
(V CE = – 4V)
200
–1
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V C E = – 4V)
200
3
–0.1
–0.5
–1
–5 –10 –15
過渡熱抵抗 θ j- a ( ˚C/W)
直流電流増幅率 h F E
50
10
–0.02
25 ˚C
100
– 30 ˚C
50
10
–0.02
–0.1
コレクタ電流 I C (A)
–0.5
–1
–5
–10 –15
1
0.5
0.1
f T – I E 特性(代 表 例 )
10
AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス )
10
P c – Ta定 格
m
s
–10
100
DC
熱
板
付
最大許容損失 P C (W)
放
20
–1
–0.5
大
p
限
Ty
–5
無
40
1000 2000
130
–40
60
100
時間 t(ms)
(V CE = – 12V)
遮断周波数 f T (MH Z )
1
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
直流電流増幅率 h F E
125 ˚C
Typ
100
50
放熱板なし
自然空冷
–0.1
0
0.02
0.1
1
エミッタ電流 I E (A)
10
–0.05
–3
–10
–100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
–300
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 Ta( ˚C)
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